Силовые IGBTи SiC модули
CM150DY-24H, модуль 2 IGBT 1200В 150A 3 поколение H серия
1493001899
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,5 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 25 |
| Входная емкость затвора,нФ | 30 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 100 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,25 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 350 |
CM150DY-24NF, модуль 2 IGBT 1200В 150A 5 поколение NF серия
913808673
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 30 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 780 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,8 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 80 |
CM150DY-34A, модуль 2 IGBT 1700В 150A 5 поколение A серия
249893493
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,2 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 37 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 600 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Напряжение изоляции, В | 3500 |
CM150DY-34T#300G, IGBT модуль T серия STD типа
1759102823
| Макс.напр.к-э,В | 1500 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
CM150RL-12NF, модуль 7 IGBT 600В 150A 5 поколение NF серия
993521902
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,7 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 23 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 730 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,7 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 100 |
CM150RL-24NF, модуль 7 IGBT 1200В 150A 5 поколение NF серия
140844598
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 23 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 890 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,4 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 70 |
CM150RX-24S, модуль 7 IGBT 150A 1200В NX6
2006147060
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
CM150RX-24T#300G, IGBT модуль T серия NX типа 1200В
2018623197
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
CM150TL-12NF, модуль 6 IGBT 600В 150A 5 поколение NF серия
1081057455
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,7 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 23 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 730 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,7 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 100 |
CM150TL-24NF, модуль 6 IGBT 1200В 150A 5 поколение NF серия
612997591
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 23 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 890 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,1 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 70 |
CM150TU-12F, модуль 6 IGBT RTC 600В 150A 4 поколение F серия
98354664
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,6 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 41 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 520 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM150TX-24S, модуль 6 IGBT 150A 1200В NX6
850258435
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
CM150TX-24T#300G, модуль IGB T-Series NX-Type
690063871
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
CM150TX-24T#300G, модуль IGB T-Series NX-Type
1136842735
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
CM150TX-24T#330G, модуль IGB T-Series NX-Type
176075642
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
CM150TX-34T#310G, IGBT модуль T серия NX типа
569578981
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
CM15YE13-12H, IGBT модуль 3 15A 600В
378875886
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 15 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 1,5 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 50 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 30 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,8 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 200 |
CM1600HC-34H, IGBT модуль 1700В 1600A
429425678
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 600 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,6 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 140 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 12 500 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 3200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 5,5 |
| Напряжение изоляции, В | 4000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,3 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1300 |
CM165YE4-12F, IGBT модуль 3 165A 600В
1376625998
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 165 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом |
| Драйвер управления | внешний |
| Покзать параметры | |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 330 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM1800HC-34H, модуль 1 IGBT 1700В 1800A
21626602
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 800 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,4 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 180 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 15 600 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 3600 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 5,5 |
| Напряжение изоляции, В | 4000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,4 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1300 |
CM1800HC-34N, модуль 1 IGBT 1700В 1800A
1107707755
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 800 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,4 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 168 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 10 000 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 3600 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 4000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,6 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 400 |
CM200DU-12H, модуль 2 IGBT 600В 200A 3 поколение U серия
424288451
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
CM200DU-12NFH, модуль 2 IGBT 600В 200A 50кГц NFH серия
882529888
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 60 |
| Входная емкость затвора,нФ | 55 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 590 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 400 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM200DU-24NFH, модуль 2 IGBT 1200В 200A 50кГц NFH серия
651473778
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
CM200DU-24NFH, модуль 2 IGBT 1200В 200A 50кГц NFH серия
1502840906
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 5 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 60 |
| Входная емкость затвора,нФ | 32 |
| Драйвер управления | VLA500 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 830 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 400 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 5 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 80 |
CM200DX-24S, модуль 2 IGBT 200A 1200В NX6
724984718
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
CM200DX-34SA, модуль 2 IGBT 200A 1700В NX6
542085933
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
CM200DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 200A 5 поколение NF серия, замена CM200DY-12H
1267862704
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
CM200DY-24A#300G, модуль 2 IGBT 1200В 200A 5 поколение A серия
520476043
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 35 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 340 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 400 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,1 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 100 |
CM200DY-24NF, модуль 2 IGBT 1200В 200А 5 поколение NF серия
1205604117
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 47 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 130 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 400 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,8 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 150 |
CM200DY-34A, модуль 2 IGBT 1700В 200A 5 поколение A серия
524310778
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,2 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 49,4 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 980 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 400 |
| Напряжение изоляции, В | 3500 |
CM200DY-34T#300G, IGBT модуль T серии стандартного типа 1700В
193018882
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
CM200E3U-12H, IGBT модуль 600В 200A 3 поколение U серия
21205830
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | чоппер с диодом |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,4 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 17,6 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 650 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 400 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,6 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 400 |
CM200E3U-24F, IGBT модуль RTC 1200В 200A 4 поколение F серия
1092380463
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | чоппер с диодом |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 78 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 830 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 400 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,2 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 80 |
CM200RL-12NF, модуль 7 IGBT 600В 200A 5 поколение NF серия
1633672435
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,7 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 30 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 890 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 400 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,7 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 100 |
CM200RL-24NF, модуль 7 IGBT 1200В 200А 5 поколение NF серия
732821541
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 35 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 160 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 400 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM200RXL-24S, IGBT модуль NX6 серия 1200
190417236
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
CM200TL-12NF, модуль 6 IGBT 600В 200A 5 поколение NF серия
1693321348
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,7 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 30 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 890 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 400 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,7 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 100 |
CM200TL-24NF, модуль 6 IGBT 1200В 200A 5 поколение NF серия
2122359461
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 35 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 160 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 400 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM200YE4-12F, IGBT модуль 3 200A 600В
1496479966
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом |
| Драйвер управления | внешний |
| Покзать параметры | |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 400 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM225DX-34T#311G, модуль IGBT T-Series NX-Type 1700V
2069725982
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 225 |
CM2400HC-34H, модуль 1 IGBT 1700В 2400A
1688595878
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 2 400 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,6 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 210 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 17 800 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 4800 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 5,5 |
| Напряжение изоляции, В | 4000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,3 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1300 |
CM2400HC-34N, модуль 1 IGBT 1700В 2400A
1153033342
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 2 400 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,15 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 352 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 13 100 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 4800 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 4000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,6 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 400 |
CM2400HCB-34N, модуль 1 IGBT 1700В 2400A
539654719
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 2 400 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 396 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 4800 |
| Напряжение изоляции, В | 4000 |
CM25YE13-12H, IGBT модуль 3 25A 600В
12170294
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 25 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Покзать параметры | |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 50 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM300DU-12NFH, модуль 2 IGBT 600В 300A 50кГц NFH серия
1315010713
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 60 |
| Входная емкость затвора,нФ | 83 |
| Драйвер управления | VLA503 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 780 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 600 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,6 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 150 |
CM300DU-24H, модуль 2 IGBT 1200В 300A 3 поколение U серия
393435373
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,9 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 45 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 130 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 600 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,2 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 300 |
CM300DU-24NFH#300G, модуль 2 IGBT 1200В 300A NFH серия
1567996815
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 5 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 60 |
| Входная емкость затвора,нФ | 47 |
| Драйвер управления | VLA500 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 130 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 600 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 5 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 80 |
