Силовые IGBTи SiC модули
TG1400HF17H1-S300, IGBT модуль
226385820
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 400 |
TIM1000NSM33-PSA011, IGBT модуль
985900708
| Макс.напр.к-э,В | 3300 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 000 |
TIM1200DDM17-TSA, IGBT модуль 1700В 1200A
682235462
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
TIM1200DDM17-TSA000, IGBT модуль 1700В 1200A = CM1200DC-34N
944752376
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
TIM1500ESM33-PSA012, IGBT модуль
176898706
| Макс.напр.к-э,В | 3300 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 500 |
TIM1600FSM17-PSA011, IGBT модуль 1700В 1600A
1683565523
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 600 |
TIM800DDM17-PSA000, IGBT модуль
223952874
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 800 |
TXFF300R12MMT, IGBT модуль, 1200В, 300А, 1499Вт [M] = CM300DX-24T (Mitsubishi) = XNG300B24KC5A5
(Xin
2060496342
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
TXFF450R12MMT, IGBT модуль, 1200В, 450А, 2265Вт [M] = CM450DX-24T (Mitsubishi) = XNG450B24KC5A5
(Xin
1831186427
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 450 |
TXFF600R12MMT, IGBT модуль, 1200В, 600А, 3950Вт [M] = XNG600B24KC5A5 (Xiner Semi)
= GD600HFY120C6S
897696928
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
VS-40MT120PHAPBF, Модуль, IGBT - MTP SWITCH
873430202
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
VS-40MT120UHAPBF, IGBT модуль NPT поколение 1200В 80А MTP серия
617553830
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 80 |
VS-50MT060WHTAPBF, модуль 2 IGBT 50А 600В 20 100кГц MTP
1124002666
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 100 |
VS-CPV362M4FPBF, модуль 3 IGBT 600В 8.8А 1 8кГц IMS2
979545276
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 8,8 |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 10 |
| Входная емкость затвора,нФ | 0,34 |
| Покзать параметры | |
| Драйвер управления | внешний |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 23 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 26 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,66 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 25 |
VS-CPV362M4UPBF, модуль 3 IGBT 600В 7.2А 8 60кГц IMS2
747909620
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 7,2 |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 30 |
| Входная емкость затвора,нФ | 0,53 |
| Покзать параметры | |
| Драйвер управления | внешний |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 23 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 22 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,95 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 22 |
VS-CPV363M4KPBF, IGBT модуль 600В 11А IMS2
848668504
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 11 |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 30 |
| Входная емкость затвора,нФ | 0,74 |
| Покзать параметры | |
| Драйвер управления | внешний |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 36 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 22 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 24 |
VS-CPV364M4KPBF, IGBT модуль
606741839
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 24 |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 30 |
| Входная емкость затвора,нФ | 1,6 |
| Покзать параметры | |
| Драйвер управления | внешний |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 63 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 48 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,3 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 30 |
VS-CPV364M4UPBF, IGBT модуль 600В IMS2
717417845
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 20 |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 30 |
| Входная емкость затвора,нФ | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Драйвер управления | внешний |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 63 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 60 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,1 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 15 |
VS-GA200SA60UP, IGBT модуль 600B 200А 40кГц SOT227
364867966
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 40 |
VS-GA200TS60UPBF, модуль 2 IGBT 600В 200А 40кГц
152767965
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 40 |
VS-GB75YF120N, IGBT модуль 1200В 75А Econo 2
1900316276
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
VUB120-16NO2, IGBT модуль 1200В 140А
431280413
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 140 |
XN2001S, DriVer IC SOP8 Half-bridge
1608170952
| Макс.напр.к-э,В | 200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 30 |
XN21011S, DriVer IC SOP8 Half-bridge
1204886425
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 0,015 |
XN21012S, DriVer IC SOP8 Half-bridge
1523996930
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 0,1 |
XN2101S, DriVer IC SOP8 Half-bridge
1927281457
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 0,5 |
XN21364S, DriVer IC SOP28 Three-phase
361197516
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 0,35 |
XN2304S, DriVer IC SOP8 Half-bridge
764482043
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 0,5 |
XN44176S, DriVer IC SOP8 Single channel
801601898
| Макс.напр.к-э,В | 25 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1,75 |
XN7888, DriVer IC TSSOP20 Three-phase
1964401312
| Макс.напр.к-э,В | 200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 0,7 |
XN9524S, DriVer IC SOP8 Dual channel
1261874913
| Макс.напр.к-э,В | 25 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1,5 |
XNF30N60T, IGBT TO-220F 600V 30A
1823238802
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 30 |
XNG100B24KC1S, IGBT 1200V 100A Half Bridge
1467008443
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Структура модуля | полумост |
XNG100B24UC1S, IGBT 1200V 100A Half Bridge
99075498
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Структура модуля | полумост |
XNG100PI24TC4AS5, IGBT 1200V 100A PIM Three Phase Input
1665159439
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
XNG100PI24TC4S5, IGBT 1200V 100A PIM Three Phase Input
1063723916
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
