Силовые IGBTи SiC модули
CM300DX-12A, IGBT модуль NX5 серия 600В
1377405937
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 12 |
CM300DX-24S, модуль 2 IGBT 300A 1200В NX6
776889582
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
CM300DX-24S1, IGBT модуль на 300A 1200В, серия NX6.1
1917866816
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
CM300DX-24T#300G, модуль на 300 Ампер 1200 Вольт
631012340
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
CM300DX-24T#330G, модуль на 300 Ампер 1200 Вольт
2024485679
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
CM300DX-24T1#301G, модуль на 300 Ампер 1200 Вольт
454786179
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
CM300DX-34T#310G, IGBT модуль T серия NX типа
1082922887
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
CM300DX-34T#311G, модуль IGBT T-series NX-Type 1700V
906926568
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
CM300DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 300A 5 поколение NF серия
1640092942
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,7 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 45 |
| Драйвер управления | VLA503 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 780 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 600 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,7 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 120 |
CM300DY-24A, модуль 2 IGBT 1200В 300A 5 поколение A серия
1760318589
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 47 |
| Драйвер управления | VLA503 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 890 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 600 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,1 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 180 |
CM300DY-24H, модуль 2 IGBT 1200В 300A H серия
314133086
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,5 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 25 |
| Входная емкость затвора,нФ | 60 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 2 100 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 600 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 20 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,4 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 500 |
CM300DY-24NF, модуль 2 IGBT 1200В 300A 5 поколение NF серия
1410870999
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 70 |
| Драйвер управления | VLA503 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 130 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 600 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM300DY-24NF, модуль 2 IGBT 1200В 300А 5 поколение NF серия
149034714
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 70 |
| Драйвер управления | VLA503 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 130 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 600 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM300DY-34A, модуль 2 IGBT 1700В 300A 5 поколение A серия
181866658
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,2 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 74 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 2 900 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 600 |
| Напряжение изоляции, В | 3500 |
CM300DY-34T, IGBT модуль 300А 1700В T серия
145964715
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
CM300HA-12H, модуль 1 IGBT 600В 300A 3 поколение H серия
1645700972
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 25 |
| Входная емкость затвора,нФ | 30 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 100 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 600 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,1 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 600 |
CM300HA-24H, модуль 1 IGBT 1200В 300A 3 поколение H серия
2033932108
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,5 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 25 |
| Входная емкость затвора,нФ | 60 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 2 100 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 600 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 20 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,4 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 500 |
CM300TJ-24NF, модуль 6 IGBT 1200В 300A 5 поколение NF серия
1112804401
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 47 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 2 010 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 600 |
CM300YE2N-12F, IGBT модуль 3 300A 600В
1522728762
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом |
| Драйвер управления | внешний |
| Покзать параметры | |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 600 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM300YE2P-12F, IGBT модуль 3 300A 600В
545615257
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом |
| Драйвер управления | внешний |
| Покзать параметры | |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 600 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM350DU-5F, модуль 2 IGBT RTC 250В 350A 4 поколение F серия
1527164782
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 250 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 350 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,2 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 99 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 960 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 700 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 4 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,2 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 2400 |
CM35MXA-24S, IGBT модуль 35A 1200В NX6
457336833
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 35 |
CM400DU-12NFH, модуль 2 IGBT 600В 400A 50кГц NFH серия
419001490
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 60 |
| Входная емкость затвора,нФ | 110 |
| Драйвер управления | VLA503 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 960 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 800 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM400DU-24H, модуль 2 IGBT 1200В 400A 3 поколение U серия
528677086
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,9 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 45 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 100 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 800 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,2 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 300 |
CM400DU-24NFH, модуль 2 IGBT 1200В 400A 50кГц NFH серия
69407610
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 5 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 60 |
| Входная емкость затвора,нФ | 63 |
| Драйвер управления | VLA500 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 040 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 800 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 5 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 100 |
CM400DU-34KA, модуль 2 IGBT 1700В 400A KA серия
1236397798
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 3,2 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 57 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 950 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 800 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 5,5 |
| Напряжение изоляции, В | 3500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,2 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 300 |
CM400DU-5F, модуль 2 IGBT RTC 250В 400A 4 поколение F серия
1593242213
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 250 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,2 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 110 |
| Драйвер управления | VLA503 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 890 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 800 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 4 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,2 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 400 |
CM400DY-24A, модуль 2 IGBT 1200В 400A 5 поколение A серия
1458654486
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 70 |
| Драйвер управления | VLA503 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 2 710 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 800 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,1 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 180 |
CM400DY-24NF, модуль 2 IGBT 1200В 400A 5 поколение NF серия
922085979
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 94 |
| Драйвер управления | VLA503 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 470 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 800 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,8 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 160 |
CM400DY-34A, модуль 2 IGBT 1700В 400A 5 поколение A серия
50009603
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,2 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 98,8 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 3 780 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 800 |
| Напряжение изоляции, В | 3500 |
CM400DY-50H, модуль 2 IGBT 2500В 400A
1058728208
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 2500 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 3,2 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 40 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 3 400 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 800 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 6000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,9 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 2000 |
CM400DY-66H, модуль 2 IGBT 3300В 400A
2064248746
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 3300 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 4,4 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 40 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 3 400 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 800 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 6000 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 2000 |
CM400HA-28H, модуль 1 IGBT 1400В 400A 3 поколение H серия
1557445255
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1400 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 3,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 25 |
| Входная емкость затвора,нФ | 80 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 2 800 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 800 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6,5 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 500 |
CM400HA-34H, модуль 1 IGBT 1700В 400A
1063183190
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,7 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 25 |
| Входная емкость затвора,нФ | 85 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 4 100 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 800 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 4000 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1500 |
CM400HB-90H, модуль 1 IGBT 4500В 400A
447816335
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 4500 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 3 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 72 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 4 300 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 800 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 6000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 4 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 2400 |
CM400HG-66H, IGBT модуль 3300В HG серия
637629997
| Макс.напр.к-э,В | 3300 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Защита от перегрева | нет |
CM400HU-24H, модуль 1 IGBT 1200В 400A 3 поколение U серия
499039927
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,9 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 60 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 2 100 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 800 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,2 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 350 |
CM400ST-24S1, IGBT модуль 400А 1200В
478608865
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
CM400YE2N-12F, IGBT модуль 3 400A 600В
772415411
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом |
| Драйвер управления | внешний |
| Покзать параметры | |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 800 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM400YE2P-12F, IGBT модуль 3 400A 600В
1271863739
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом |
| Драйвер управления | внешний |
| Покзать параметры | |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 800 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM450DX-24S1, модуль 2 IGBT 450A 1200В NX6.1 серия
1027243448
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 450 |
| Защита от перегрева | нет |
CM450DX-24T#300G, IGBT модуль 450A 1200В T-серии
861206657
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 450 |
| Защита от перегрева | нет |
CM450DX-34T#311G, IGBT модуль 1700В серия T NX типа
879565698
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 450 |
| Защита от перегрева | нет |
CM450DY-24T#300G, IGBT модуль T-Series STD-Type
1968969346
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 450 |
| Защита от перегрева | нет |
CM450TJ-24NF, модуль 6 IGBT 1200В 450A 5 поколение NF серия
1309284695
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Покзать параметры | |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 800 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM500HA-34A, модуль 1 IGBT 1700В 500A 5 поколение A серия
1391796836
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 500 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,2 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 120 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1000 |
| Напряжение изоляции, В | 3500 |
CM50BU-24H, модуль 4 IGBT 1200В 50A 3 поколение U серия
1085005212
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,9 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 7,5 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 400 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 100 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,2 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 200 |
CM50DU-24F, модуль 2 IGBT RTC 1200В 50A 4 поколение F серия
1555545570
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 20 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 320 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 100 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 20 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,85 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 50 |
