Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
драйверы для IGBT модулей
Силовые IGBTи SiC модули
диодно-тиристорные модули
твердотельные ВЧ модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
Полупроводниковые модули
Силовые IGBTи SiC модули
Скрыть подбор по параметрам
Тип силового модуля
Макс.напр.к-э,В
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
Защита от перегрева
Структура модуля
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
Максимальная частота модуляции,кГц
Входная емкость затвора,нФ
Драйвер управления
Защита по току
Защита от короткого замыкания
Защита от пониженного напряжения питания
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
Максимальный ток эмиттера, А
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
Напряжение изоляции, В
Напряжение эмиттер-коллектор,В
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс
Мощность привода, кВт
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
GD150HFX170C1S, IGBT, 1700V/150A, замена для SKM145GB176D
1823882946
GD300HFY120C6S, IGBT модуль 1.2KV 480A 150DEG C 1.613KW, аналог CM300DX-24T, CM300DX-24T#330G
1531948130
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
GD75FFX170C6SA, IGBT модуль , 1700V/75A 6 in one-package
1437574998
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
GD900SGU120C3SN, NPT Ultra Fast IGBT (SIC Diode)
206732321
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 900
IGBT FF1400R12IP4
1317896700
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1 400
MG100HF12LEC1, IGBT модуль, 1200B, 100A (C1) = SKM100GB125DN = FF100R12RT4 = 2MBI100VA-120-50
1316881363
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
MG100HF12TFC1, IGBT модуль, 1200B, 100A, 441Вт (C1) =GD100HFF120C1S , SKM100GB12T4
1935225043
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
MG100HF12TLC1, IGBT модуль, 1200B, 100A, 785Вт (C1) = SKM100GB12T4
1927275230
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
MG100P12E2, IGBT модуль, 1200В, 100A (E2) = Infineon FP100R12KT4 = FUJI 7MBR100VN120-50
44872131
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
MG100TF12E2A, IGBT модуль, 1200В, 100А, 446Вт (E2A)
217255528
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
MG10P12E1, IGBT модуль, 1200В, 10А, 120Вт (E1)
2099680281
Тип силового модуля сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 10
MG10P12P2, IGBT модуль, 1200В, 10А, 140Вт (P2)
985433434
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 10
MG10P12P3, IGBT модуль, 1200В, 10А, 140Вт (P3)
299823904
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 10
MG150HF12LEC2, IGBT модуль, 1200В, 150А, 1136Вт [C2] = MG150HF12MRC2
1609968958
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
MG150HF12MIC2, IGBT модуль, 1200В, 150А (C2) = SKM150GAL12T4 (Semikron)
1767101062
MG150HF12TFC1, IGBT модуль, 1200В, 150А, 968Вт (С1)
1230442158
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
MG150HF12TFC2, IGBT модуль, 1200В, 150А, 1150Вт (C2)
288072012
MG150HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 150А, 833Вт (C2) = GD150HFU120C2S
1047586898
MG150P12E2, IGBT модуль, 1200В, 150A (E2) = Infineon FP200R12KT4; = FUJI 7MBR150VN120-50
1610956072
MG150TF12E2A, IGBT модуль, 1200В, 150А, 715Вт (E2A) = CM150TX-24S
1209082602
MG150ZD12TFP3S_110, IGBT модуль, 1200В, 150A, (P3S)
301757005
MG15P12E1, IGBT модуль, 1200В, 15А, 142Вт (E1)
346878071
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 15
MG15P12P2, IGBT модуль, 1200В, 15А, 155Вт (P2)
1865907845
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 15
MG15P12P3, IGBT модуль, 1200В, 15А, 155Вт (P3)
1912962012
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 15
MG160TT12MSN2, IGBT модуль, 1200В, 160A, (N2)
1511610586
MG160TT12MSN3, IGBT модуль, 1200В, 160A, (N3)
861042410
MG200HF12LEC2, IGBT модуль, 1200В, 200А, 1358Вт [C2]
1873590443
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
MG200HF12MIC2, IGBT модуль 200А 1200В
1004452320
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
MG200HF12TFC2, IGBT модуль, 1200B, 200A, 1250Вт (C2) = GD200HFF120C2S , SKM200GB12T4
1634242290
MG200HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 200А, 1250Вт [C2]
874727403
MG200TT12MSP3S, IGBT модуль, 1200В, 200A, (P3S)
1264326936
MG225ZD12TFP3S, IGBT модуль, 1200В, 225A, (P3S)
1464556419
MG230ZD12TFP3S, IGBT модуль, 1200В, 230A, (P3S)
101527522
MG2512E1A, IGBT модуль
459690984
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
MG25P12E1, IGBT модуль, 1200В, 25А, 166Вт (E1)
703108430
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
MG25P12E1A, IGBT модуль, 1200В, 25A, 165Вт (E1A)
115212513
MG25P12P3, IGBT модуль,1200В, 25A, 175Вт (P3) = Infineon FP25R12W2T4 = FUJI 7MBR25VKD120-50
448156658
MG300HF12LEC2, IGBT модуль, 1200B, 300A, 2000Вт (C2)
764475816
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
MG300HF12MRC2, Выпрямительный диодный модуль 1800В 300А [D3]
2131147128
MG300HF12TFC2, IGBT модуль, 1200B, 300A, 1700Вт (C2) = SKM300GB12T4
361191289
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
MG3512E1A, IGBT модуль
299823903
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 35
MG35P12E1A, IGBT модуль, 1200В, 35A, 227Вт (E1A)
1450871428
MG35P12P3, IGBT модуль, 1200В, 35A, 215Вт (P3) = FP35R12W2T4 (Infineon) = 7MBR35VKD120-50 (FUJI)
2014240599
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 35
MG400HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 450А [C2] = MG400HF12MIC2
43885018
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 400
MG400TL065MSP4M, IGBT модуль, 650В, 400A, (P4M)
1217272769
MG40HF12LEC1, IGBT модуль, 1200В, 40А, 312Вт (C1)
714642756
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 40
MG40P12E1, IGBT модуль, 1200В, 40A, 227Вт (E1) = Infineon FP40R12KT3/E3 = FUJI 7MBR35VA120-50
851441185
MG450HF12LVC2, IGBT модуль, 1200В, 450A (C2) = Infineon FF450R12KT4 = FUJI 2MBI450VH-120-50
1877442170
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.