Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
драйверы для IGBT модулей
Силовые IGBTи SiC модули
диодно-тиристорные модули
твердотельные ВЧ модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
Полупроводниковые модули
Силовые IGBTи SiC модули
Скрыть подбор по параметрам
Тип силового модуля
Макс.напр.к-э,В
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
Защита от перегрева
Структура модуля
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
Максимальная частота модуляции,кГц
Входная емкость затвора,нФ
Драйвер управления
Защита по току
Защита от короткого замыкания
Защита от пониженного напряжения питания
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
Максимальный ток эмиттера, А
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
Напряжение изоляции, В
Напряжение эмиттер-коллектор,В
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс
Мощность привода, кВт
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
PM25CL1A120, модуль 6 IGBT 1200В 25A 5 поколение L1 серия
184313951
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Покзать параметры
PM25RL1A120#350G, IGBT модуль 350G 7 IGBT 1200В 25A 5 поколение L1 серия
802124845
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,85
Покзать параметры
PM25RL1B120 #350, модуль 7 IGBT 1200В 25A 5 поколение L1 серия
1220332739
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
PM25RL1B120, модуль 7 IGBT 1200В 25A 5 поколение L1 серия
2096738821
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
PM300CLA120, модуль 6 IGBT 1200В 300A 5 поколение L серия
474024776
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,9
Покзать параметры
PM300CVA060, модуль 6 IGBT 600В 300A 3 поколение В серия
1707756986
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,35
Покзать параметры
PM300DV1A120, IGBT модуль 1200В 300A V1 серия
316573715
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
PM300RL1A060, IGBT модуль 600В 300A L1 серия
1926243668
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
PM400DV1A060, IGBT модуль 600В 400A V1 серия
396220303
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 400
PM450CGC060, IGBT модуль IGBT модуль G серия 600В
717058627
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Покзать параметры
PM450DV1A120, IGBT модуль 1200В 450A В1 серия
1083473282
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Защита от перегрева есть
PM50B4LA060, IGBT модуль 600В 50A 5 поколение
321767897
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
PM50CL1A120, IGBT модуль 1200В 50A 5 поколение L1 серия
1810775927
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Покзать параметры
PM50CLA060, модуль 6 IGBT 600В 50A 5 поколение L серия
215877308
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,5
Покзать параметры
PM50CLB120, модуль 6 IGBT 1200В 50A 5 поколение L серия
1537186956
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,9
Покзать параметры
PM50RL1A120#350G, модуль 7 IGBT 1200В 50A 5 поколение L1 серия (замена pin to pin версии с суффиксом
1785475600
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
PM50RLA060, модуль 7 IGBT 600В 50A 5 поколение L серия
1482791056
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,5
Покзать параметры
PM50RLB060, модуль 7 IGBT 600В 50A 5 поколение L серия
88958202
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,5
Покзать параметры
PM50RLB120, модуль 7 IGBT 1200В 50A 5 поколение L серия
1612290368
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,9
Покзать параметры
PM50RSA060, модуль 7 IGBT 600В 50A 3 поколение S серия
1521640263
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,8
Покзать параметры
PM50RSD120, IPM модуль 7 IGBT 1200В 50A 4 поколение S серия
2122130087
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,4
Покзать параметры
PM50RSK060, модуль 7 IGBT 600В 50A 3 поколение S серия
2139870307
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,8
Покзать параметры
PM600CLA060, модуль 6 IGBT 600В 600A 5 поколение L серия
1692313188
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,8
Покзать параметры
PM600DV1A060, IGBT модуль 600В 600A V1 серия
1841101229
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
PM600DVA060, модуль 2 IGBT 600В 600A 3 поколение V серия
1540984748
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Защита от перегрева есть
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,35
Покзать параметры
PM75B4LA060, IGBT модуль 600В 75A 5 поколение
530287793
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,55
Покзать параметры
PM75CG1B120#300G, IGBT модуль серия G1 1200В
2042719870
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
PM75CL1A120, модуль 6 IGBT 1200В 75A 5 поколение L1 серия
2078331640
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,55
Покзать параметры
PM75CL1B120#350G, модуль 6 IGBT 1200В 75A 5 поколение L1 серия
1617691710
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,55
Покзать параметры
PM75CLA060, модуль 6 IGBT 600В 75A 5 поколение L серия
469357936
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,5
Покзать параметры
PM75CLB060, модуль 6 IGBT 060В 75A 5 поколение L серия
1443160219
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,5
Покзать параметры
PM75CLB120, модуль 6 IGBT 1200В 75A 5 поколение L серия
369759713
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,9
Покзать параметры
PM75CSD120, модуль 6 IGBT 1200В 75A 4 поколение S серия
1478136197
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,4
Покзать параметры
PM75RL1A120#350G, модуль 7 IGBT 1200В 75A 5 поколение L1 серия
1289454923
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,55
Покзать параметры
PM75RL1B120, модуль 7 IGBT 1200В 75A 5 поколение L1 серия
1630674505
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,55
Покзать параметры
PM75RLA060, модуль 7 IGBT 600В 75A 5 поколение L серия
1296565558
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,5
Покзать параметры
PM75RLB060, модуль 7 IGBT 600В 75A 5 поколение L серия
1427922222
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,5
Покзать параметры
PM75RSD060, модуль 7 IGBT 600В 75A 4 поколение S Dash серия
1823959904
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,7
Покзать параметры
PM75RVA060, модуль 7 IGBT 600В 75A 3 поколение V серия
407216779
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,35
Покзать параметры
PS11011, IGBT модуль 0.1кВт 600В 1/3 фаз
1138504362
Тип силового модуля CIB интеллектуальный модуль
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 2
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,9
Покзать параметры
PS11012, IGBT модуль 0.2кВт 600В 1/3 фаз
1431797338
Тип силового модуля CIB интеллектуальный модуль
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 2
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,9
Покзать параметры
PS11013, IGBT модуль 0.4кВт 600В 1/3 фаз
365471755
Тип силового модуля CIB интеллектуальный модуль
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 3
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,9
Покзать параметры
PS11015, IGBT модуль 1.5кВт 600В 1/3 фаз
1028841552
Тип силового модуля CIB интеллектуальный модуль
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 5
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,9
Покзать параметры
PS11025-A, IGBT модуль 2.2кВт 220В 1/3 фаз
500511714
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 220
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+3ф мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,9
Покзать параметры
PS12012-A, IGBT модуль 0.2кВт 400В
1117329448
Тип силового модуля CIB интеллектуальный модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 5
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 3,6
Покзать параметры
PS12013-A, IGBT модуль 0.4кВт 400В
567980232
Тип силового модуля CIB интеллектуальный модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 5
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 3,6
Покзать параметры
PS12014-A, IGBT модуль 0.75кВт 400В
399591911
Тип силового модуля CIB интеллектуальный модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 5
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 3,6
Покзать параметры
PS12017-A, IGBT модуль 3.0кВт 400В
1225572324
Тип силового модуля CIB интеллектуальный модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 10
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 3,6
Покзать параметры
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.