Силовые IGBTи SiC модули
CM50DU-24H, модуль 2 IGBT 1200В 50A 3 поколение U серия
493598234
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,9 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 7,5 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 400 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 100 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,2 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 200 |
CM50DY-24H, модуль 2 IGBT 1200В 50A 3 поколение H серия
2021798868
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,5 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 25 |
| Входная емкость затвора,нФ | 10 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 400 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 100 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 20 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,4 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 150 |
CM50E3U-24H, IGBT модуль 1200В 50A 3 поколение U серия
596461254
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | чоппер с диодом |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,9 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 7,5 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 400 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 100 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,2 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 200 |
CM50MXA-24S, IGBT модуль 50A 1200В поколение NX6
1014868199
| Тип силового модуля | CIB интеллектуальный модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Защита от перегрева | нет |
CM50RL-24NF, модуль 7 IGBT 1200В 50A 5 поколение NF серия
1658990362
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 20 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 8,5 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 390 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 100 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM50TF-12H, модуль 6 IGBT 600В 50A H серия 3 поколение
284941379
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 25 |
| Входная емкость затвора,нФ | 5 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 250 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 100 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 20 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,8 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 300 |
CM50TF-24H, модуль 6 IGBT 1200В 50A 3 поколение H серия
892077605
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,5 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 25 |
| Входная емкость затвора,нФ | 10 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 400 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 100 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 20 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,4 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 200 |
CM50TL-24NF, модуль 6 IGBT 1200В 50A 5 поколение NF серия
1570281184
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 8,5 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 390 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 100 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,1 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 50 |
CM50TU-24F, модуль 6 IGBT RTC 1200В 50A 4 поколение F серия
2104135933
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 20 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 320 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 100 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,8 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 50 |
CM50YE13-12H, IGBT модуль 3 50A 600В
932615524
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Покзать параметры | |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 100 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM600DU-24F, модуль 2 IGBT RTC 1200В 600A 4 поколение F серия
698557337
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,95 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 230 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 550 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,95 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 200 |
CM600DU-24NF 2016, модуль 2 IGBT 1200В 600A 5 поколение NF серия
285654389
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
CM600DU-24NF#300G, модуль 2 IGBT 1200В 600A 5 поколение NF серия
1260189336
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,95 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 140 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 2 080 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,95 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 180 |
CM600DU-24NF, модуль 2 IGBT 1200В 600A 5 поколение NF серия
723737474
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Защита от перегрева | нет |
CM600DU-5F, модуль 2 IGBT RTC 250В 600A 4 поколение F серия
1110510324
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 250 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,2 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 170 |
| Драйвер управления | VLA500 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 100 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 4 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 4000 |
CM600DX-24S1, модуль 2 IGBT 600A 1200В NX6.1 серия
2042460631
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
CM600DX-24T, IGBT модуль 600А 1200В T серия NX типа
248189258
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
CM600DX-24T, IGBT модуль 600А 1200В T серия NX типа
223945256
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
CM600DX-34T #300G, IGBT модуль, 1700В, 600А, 175С (DX)
1722470831
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
CM600DX-34T, IGBT модуль 600A 1700 Вольт T-серии
1703591066
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
CM600DX-34T, IGBT модуль 600А 1700В Т-серии
1032313310
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
CM600DXL-24S, модуль 2 IGBT 600A 1200В NX6
203106561
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
CM600DXP-24T, IGBT модуль T1 серия NX типа 1200В
917899077
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
CM600DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 600A 5 поколение NF серия
584007651
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,7 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 90 |
| Драйвер управления | VLA500 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 130 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,7 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 300 |
CM600DY-24A, модуль 2 IGBT 1200В 600A 5 поколение A серия
1385558714
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 93 |
| Драйвер управления | VLA503 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 3 670 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,1 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 194 |
CM600DY-24T, IGBT модуль T серия STD типа 600 A 1200 В
1692505047
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
CM600DY-34H, модуль 2 IGBT 1700В 600A
1106447268
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
CM600E2Y-34H, IGBT модуль 1700В 600A
902236989
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | чоппер с диодом |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,75 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 70 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 6 900 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 5,5 |
| Напряжение изоляции, В | 4000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,4 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1500 |
CM600HA-24A#300G, модуль 1 IGBT 1200В 600A 5 поколение A серия
459732493
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
CM600HA-24A, модуль 1 IGBT 1200В 600A 5 поколение A серия
1368492087
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 108 |
| Драйвер управления | VLA503 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 3 670 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,1 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 194 |
CM600HA-5F, модуль 1 IGBT 250В 600A 4 поколение F серия
1374394210
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 250 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,2 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 160 |
| Драйвер управления | VLA500 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 960 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 4 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,2 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 4000 |
CM600HB-24A, модуль 1 IGBT 1200В 600A 5 поколение A серия
398306584
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 108 |
| Драйвер управления | VLA503 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 3 670 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,1 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 194 |
CM600HB-90H, модуль 1 IGBT 4500В 600A
1526379952
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 4500 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 3 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 108 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 6 700 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 6000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 4 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 2400 |
CM600HG-130H, модуль 1 IGBT 6500В 600A
1765747514
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 6500 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 5,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 124 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 8 900 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 10200 |
CM600HU-12H, модуль 1 IGBT 600В 600A 3 поколение U серия
1377407729
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,4 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 52,8 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 560 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,6 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 600 |
CM600HX-24A, IGBT модуль 600A 1200В 5 поколение NX серия
308089929
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
CM600YE2N-12F, IGBT модуль 3 600A 600В
15793147
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 1,6 |
| Покзать параметры | |
| Входная емкость затвора,нФ | 160 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 860 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,1 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 600 |
CM600YE2P-12F, IGBT модуль 3 600A 600В
2087363637
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом |
| Драйвер управления | внешний |
| Покзать параметры | |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1200 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM750HG-130R#301, HV-IGBT/6500V High Voltage Insulated Gate Bipolar Transistor
825741764
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 750 |
CM75BU-12H, IGBT модуль 600В 75A 3 поколение U серия
1661102958
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
CM75DU-24H, модуль 2 IGBT 1200В 75A 3 поколение U серия
2054882302
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,9 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 11 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 600 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 150 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,2 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 350 |
CM75DY-24NF, модуль 2 IGBT 1200В 75A 5 поколение NF серия
1224441492
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
CM75DY-34T#300G, IGBT модуль T серии стандартного типа 1700В
1099702109
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
CM75E3U-24F, IGBT модуль RTC 1200В 75A 4 поколение F серия
1922069270
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | чоппер с диодом |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 29 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 450 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 150 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,2 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 50 |
CM75E3U-24H, IGBT модуль 1200В 75A 3 поколение U серия
1223239903
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | чоппер с диодом |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,9 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 11 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 600 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 150 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,2 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 200 |
CM75MX-12A, IGBT модуль 75A 600В NX5
858618982
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
CM75MX-24A, IGBT модуль 1200В NX5
1159200586
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 24 |
