транзисторы полевые импортные
RSM065030Z, N-канал SiC MOSFET, N-канальный силовой МОП транзистор, 650В, 55A, 30
мОм, TO-247-4L
543416430
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 55 |
| Корпус | TO-247-4 |
RSM065060W, N-канал SiC MOSFET, N-канальный силовой МОП транзистор, 650В, 29A, 60
мОм, TO-247-3L
2109500371
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 29 |
| Корпус | TO-247-3 |
RSM065060Z, N-канал SiC MOSFET, N-канальный силовой МОП транзистор, 650В, 29A, 60
мОм, TO-247-4L
187186071
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 29 |
| Корпус | TO-247-4 |
RSM120018Z, N-канал SiC MOSFET, N-канальный силовой МОП транзистор, 1200В, 105A, 18
мОм, TO-247-4L
1753270012
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 105 |
| Корпус | TO-247-4 |
RSM120025W, N-канал SiC MOSFET, N-канальный силовой МОП транзистор, 1200В, 90A, 25
мОм, TO-247-3L
1349985485
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 90 |
| Корпус | TO-247-3 |
RSM120040W, N-канал SiC Power полевой транзистор, 60А, 40, TO-247 аналог IMW120R040M1H,
C3M0040120D
133619648
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Корпус | TO-247-3 |
RSM120075W, N-канал SiC MOSFET, N-канальный силовой МОП транзистор, 1200В, 33A, 75
мОм, TO-247-3L
1378897870
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 33 |
| Корпус | TO-247-3 |
RSM120075Z, N-канал SiC MOSFET, N-канальный силовой МОП транзистор, 1200В, 33A, 75
мОм, TO-247-4L
1782182397
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 33 |
| Корпус | TO-247-4 |
RSM120080W, N-канал SiC Power полевой транзистор,36А, 80, TO-247 аналог AIMW120R080M1
, C2M0080120D
1432464293
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 36 |
| Корпус | TO-247-3 |
RSM120080Z, N-канал SiC MOSFET, N-канальный силовой МОП транзистор, 1200В, 36A, 80
мОм, TO-247-4L
216098456
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 36 |
| Корпус | TO-247-4 |
RSM120160W, N-канал SiC MOSFET, N-канальный силовой МОП транзистор, 1200В, 18A, 160
мОм, TO-247-3L
619382983
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Корпус | TO-247-3 |
RSM120160Z, N-канал SiC MOSFET, N-канальный силовой МОП транзистор, 1200В, 18A, 160
мОм, TO-247-4L
946700958
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Корпус | TO-247-4 |
RSM170045W, N-канал SiC Power MOSFET, VDS =1700В,ID =72A аналог C2M0045170D
1269818808
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 72 |
RSM170045Z, моп транзистор N канал 1700В, 72A (TO247-4) аналог C2M0045170P
823287390
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 72 |
| Корпус | TO-247-4 |
RSM1701K0Z, N-канал SiC MOSFET, N-канальный силовой МОП транзистор, 1700В, 5A, 1000
мОм, TO-247-4L
543416431
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Корпус | TO-247-4 |
RSU12N65D, N-канал полевой транзистор, 650В, 12 A, TO-252.
531786902
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Корпус | TO-252 |
RSU12N65F, N-канал полевой транзистор, 650В, 12 A, TO-220F
2097870843
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Корпус | TO-220F |
RSU4N65D, N-канал полевой транзистор , 650В, 4A, 880 мОм, TO-252
999886910
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Корпус | TO-252 |
RSU5N65D, N-канал полевой транзистор, 650В, 5 A, TO-252.
1437581566
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Корпус | TO-252 |
RSU7N65D, N-канал полевой транзистор, 650В, 7 A, TO-252.
1694586316
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Корпус | TO-252 |
RSU7N65F, N-канал полевой транзистор, 650В, 7 A, TO-220F
1034297039
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Корпус | TO-220F |
SI1539CDL-T1-GE3, Транзистор, N/P-канал 30В 0.7A/0.4A 6-Pin SC-70
129021020
| Структура | N&P-канал |
| Корпус | SC-70 |
SI3441DV, транзистор
639791873
| Структура | P-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -2.3 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -0,95 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 135 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0,96 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 8 |
| Температура, С | -55…+150 |
| Корпус | TSOP6 |
SI3447DV-T1, транзистор
923016992
| Структура | P-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.2 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -0,45 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 50 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 15 |
| Температура, С | -55…+150 |
| Корпус | TSOP6 |
SI3900DV-T1-GE3, N канал транзистор 20В 2.4A TSOP-6
468844511
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2.4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 125 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1,15 |
| Температура, С | -55…+150 |
| Покзать параметры | |
| Корпус | TSOP6 |
SI7135DP-T1-GE3, полевой транзитор P-канал 30В 31.6A PowerPAK-SO-8
966244908
| Структура | P-канал |
| Корпус | SOIC-8 |
