транзисторы полевые импортные
NVTFS5116PL, P-канальный быстропереключательный MOSFET транзистор, -60В, -26А, 5.2Вт
(PRPAK3*3) = NV
1775398392
| Структура | P-канал |
| Корпус | PRPAK3x3 |
RF1K49154, транзистор
122435617
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 2 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 130 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Температура, С | -55…+150 |
| Покзать параметры | |
| Корпус | SO8 |
RS100N135T, Транзистор N канал 100В 135A TO-220, (=NCEP01T13, VST004N10MS , HGP042N10S
, HRG100N039
631012502
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 135 |
| Корпус | TO-220 |
RS100N85G, Транзистор N-канал, 100V, 85A, DFN5*6, аналог для FTP078N10S, HRG100N068GL
1437581555
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 85 |
| Корпус | DFN5x6 |
RS10N80F, МОП-транзистор , Pd - рассеивание мощности: 25 Вт
338730215
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
RS12N65F, N-канал полевой транзистор, 650В, 12A, TO-220F (=SiHF7N60E-GE3, STF10N60M2,TK10A60D,2SK356
531786901
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Корпус | TO-220F |
RS20N50W, N-канал транзистор 500В 20A, TO-247, (аналог SiHG20N50C-E3, 2SK2837)
531786900
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Корпус | TO-247-3 |
RS20N65F, N-канал полевой транзистор, 650В, 20A ,TO-220F, аналог для IRFP21N60LPBF,
STF15N60M2,,IXT3
631012513
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Корпус | TO-220F |
RS30N50W, N-канал полевой транзистор, 500В, 30A, TO-247, аналог для FDH45N50F SIHG25N50E-GE3
631012514
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Корпус | TO-247-3 |
RS85N150S TO-263, Транзистор N-канал, 85V, 150A, TO-263. NCEP60T20D , CRST045N10N
, CRSS042N10N
935071439
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 85 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 150 |
| Корпус | TO-263 |
RSF60R070W, Транзистор, N-канал, 600В, 45А [TO-247] аналог STW48NM60N
63772500
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 45 |
| Корпус | TO-247-3 |
RSM1701K0W, N-канал SiC транзистор 1700В 5A TO-247-3 (=H1M170F1KD, C2M1000170D)
1296419062
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1700 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 3 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 1000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 69 |
| Покзать параметры | |
| Температура, С | -40.00…+150.00 |
| Корпус | TO-247-3 |
SI2300A, [SOT-23]; 20V 6A 25mR@4.5V,6A 1V@50?A N Channel MOSFETs ROHS;=FDN337N(ON);=SI2300DS(Vishay)
551731492
| Корпус | SOT-23 |
SI2301A, [SOT-23]; 20V 2.8A 400mW 142mR@2.5V,2A 1V@250A P Channel MOSFETs ROHS;=NDS332P(ON);=SI2301D
2076395315
| Корпус | SOT-23 |
SI2304DDS-T1-GE3, транзистор, N-канал, 30V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R
1226570954
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
SI2312, N-канальный низковольтный MOSFET, 20В, 5А, 0.35Вт (SOT-23)
2051376070
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
SI2318CDS-T1-GE3, транзистор, N канал 40В 5.6A 3-Pin SOT-23
1401238440
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
SIHG20N50C-E3, транзистор N канал 560В 20А TO247AC (IRFP450/IRFP460(A/LC)
1380433676
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 560 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 270 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 250 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 6,4 |
| Температура, С | -55…+150 |
| Корпус | TO247AC |
SIS447DN-T1-GE3, Транзистор, P-канал 20В 18A 8-Pin PowerPAK 1212 EP
1683875182
| Структура | P-канал |
| Корпус | PowerPAK 1212 |
SPP03N60S5, транзистор 600В Rds(on) 1.4om, 3.2A, ( BUZ90A) TO-220
1807016692
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.2 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 5,5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 1260 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 38 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 556 |
| Корпус | TO220AB |
SPW47N60C3FKSA1, транзистор IGBT 600В 47А 70мОм TO247
334185902
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 47 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 70 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 415 |
| Покзать параметры | |
| Корпус | TO247AC |
SPW47N60C3FKSA1, транзистор IGBT 650В 47А 70мОм TO247
1928144207
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 47 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 20 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 70 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 415 |
| Покзать параметры | |
| Корпус | TO247AC |
STP60NF06, Транзистор, STripFET II, N-канал, 60В, 0.014Ом, 60А [TO-220AB]
1257808912
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-220AB |
TLE5212G, транзистор 2x0.5A 4x50mA low-side SO28
809185632
| Структура | Инт. ключ |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 24 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 800 |
| Корпус | SO28 |
| Особенности | Интеллектуальный ключ с защитой |
TLE5224G2, транзистор 2x4A Low Sw.PDSO-24-3
868866075
| Структура | Инт. ключ |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 250 |
| Корпус | SO24 |
| Особенности | Интеллектуальный ключ с защитой |
