Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Схема проезда к офису

транзисторы полевые импортные
Скрыть подбор по параметрам
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики S,А/В
Температура, С
Корпус
Особенности
Кол-во на странице:
IRF630NPBF, транзистор Nкан 200В 9.5А TO220AB
287688164
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 300
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 82
Покзать параметры
IRF630PBF, транзистор N канал 200В 9.0А TO220AB
999102379
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 400
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 74
Покзать параметры
IRF640NPBF, транзистор N канал 200В 18А TO220AB
1135782339
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 18
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 150
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 150
Покзать параметры
IRF640SPBF, транзистор N канал 200В 18А D2Pak
932483485
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 18
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 180
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Покзать параметры
IRF6645TRPBF, N канал транзистор 100В 25А SJ
1857250807
Структура N-канал
IRF7101PBF, транзистор 2N канал 20В 3.5А SO8
1417054484
Структура 2N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 3.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Покзать параметры
IRF7103TRPBF, транзистор 2N канал 50В 3А 130мОм 8-SO
2046753946
Структура 2N-канал
Корпус SOIC-8
IRF7240PBF
138183164
IRF7303TRPBF, 2N канал транзистор 30В 5.3А SO8
618765474
Структура 2N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Покзать параметры
IRF7303TRPBF, транзистор 2N канал 30В 5.3А SO8
1572945604
Структура 2N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 05.фев
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Покзать параметры
IRF7307TRPBF, транзистор N/P канал 20В 5.2 -4.3А SO8
1488702578
Структура N&P-канал
Корпус SOIC-8
IRF7309TRPBF, N/P кан транзистор 30B 4/-3A SO8
1629967267
Структура N&P-канал
Корпус SOIC-8
IRF7309TRPBF, транзистор N/Pкан 30B 4/-3A SO8
711911854
Структура N&P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30/-30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4/-3
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50/100
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,4
Покзать параметры
IRF730PBF, транзистор N канал 400В 5.5А TO220AB
1511862114
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 5.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 1000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 74
Покзать параметры
IRF7319TRPBF, транзистор N/P канал 30B 6.5/-4.9A SO8
155095276
Структура N&P-канал
Корпус SOIC-8
IRF7331PBF, транзистор 2Nкан 20В 7А SO8
1454887606
Структура 2N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Покзать параметры
IRF7341TRPBF, транзистор 2N канал 55В 4.7А SO8
2139904227
Структура 2N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 4.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 50
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Покзать параметры
IRF7341TRPBF, транзистор 2N канал 55В 4.7А SO8
813606598
Структура 2N-канал
Корпус SOIC-8
IRF7342TRPBF, [S0-8] [транзистор 2P канал -55В -3.4А SO8
1596736134
Структура 2P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -3.4
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 105
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Покзать параметры
IRF7343TRPBF, транзистор N/Pкан 55В 4.7/-3.4А SO8
1338097658
Структура N&P-канал
Корпус SOIC-8
IRF7351TRPBF, транзистор 2N канал 60В 8А SO8
1631922131
Структура 2N-канал
Корпус SOIC-8
IRF7351TRPBF, транзистор 2N канал 60В 8А SO8
500577164
Структура 2N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 17.авг
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2
Покзать параметры
IRF7401TRPBF, транзистор N канал 20В 8.7А SO8 DC 17+ made in Phillipines
1466584748
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 0,7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 22
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2,5
Покзать параметры
IRF7403TRPBF, транзистор N канал 30В 8.5А SO8
1441608640
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 8.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 22
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2,5
Покзать параметры
IRF7404TRPBF, транзистор Pкан -20В -6.7А SO8
1969243047
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -6.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 22
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2,5
Покзать параметры
IRF7406TRPBF, транзистор Pкан -30В -5.8А SO8
1003975792
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -5.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 45
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2,5
Покзать параметры
IRF740ASPBF, транзистор N канал 400В 10А D2Pak
1337581249
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 10
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 550
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 125
Покзать параметры
IRF740PBF, Транзистор, N-канал 400В 10А [TO-220AB]
985434395
Структура N-канал
Корпус TO-220AB
IRF7416TRPBF, транзистор P канал 30В -10А SO8
835090459
Структура P-кан+Диод
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -10
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -2,04
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 20
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2,5
Покзать параметры
IRF7420TRPBF, транзистор P канал 12В -11.5А SO8
1951423296
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -12
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -11.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -0,9
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 14
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2,5
Покзать параметры
IRF7424TRPBF, транзистор P канал 30В -11А SO8
2053365672
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -11
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -2,5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 13.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2,5
Покзать параметры
IRF7455PBF, транзистор N канал 30В 15А SO8
521124700
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 15
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 7.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2,5
Покзать параметры
IRF7507TRPBF, транзистор N/P канал 20В 2.4/-1.7А Micro8
1860916496
Структура N&P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20/-20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 2.4/-1.7
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 0,7
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 135/270
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,25
Покзать параметры
IRF7607PBF, транзистор N канал 20В 6.5А Micro8
42947410
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 6.5
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 30
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 1,8
Покзать параметры
IRF7807ZTRPBF, транзистор N канал 30В 8.3А SO8
951126269
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 11
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2,25
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 18.2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2,5
Покзать параметры
IRF7828TRPBF, N канал транзистор 30В 100А SO8
1631147436
Структура N-канал
Корпус SOIC-8
IRF7828TRPBF, транзистор N канал 30В 13.6А SO8
1780351283
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 13.6
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 9.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 2,5
Покзать параметры