Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Схема проезда к офису

транзисторы полевые импортные
Скрыть подбор по параметрам
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт
Крутизна характеристики S,А/В
Температура, С
Корпус
Особенности
Кол-во на странице:
BF991, транзистор SOT143
1831432874
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 45
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.2
Корпус SOT143
BSC340N08NS3G, N канал транзистор 80В 7A
531794686
Структура N-канал
BSS123, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100В, 0.2А, 350мВт [SOT-23]
462984375
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.17
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 6000
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0,36
Покзать параметры
BSS138, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 50В, 340мА, 350мВт [SOT-23] = BSS138LT1G
1625783789
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,5
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 3500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0,3
Покзать параметры
FDV301N, транзистор SOT-23
43891684
Корпус SOT-23
FQP18N50V2, транзистор TO220
584685601
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 225
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 208
Температура, С -55...+150
Покзать параметры
HUF75307D3, транзистор TO252
1877529135
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 55
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 15
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 90
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 45
Температура, С -55...+175
Покзать параметры
IRF7410PBF, SO8
1296677224
Корпус SOIC-8
IRFB9N60APBF, транзистор N канал 600В 9.2А ТО220АВ
1376744335
Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 9.2
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 750
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 170
Покзать параметры
IRFL9014TRPBF, транзистор P канал -60В -1.8А SOT223
1710168609
Структура P-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В -60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А -1.8
Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В -4
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 500
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 3,1
Покзать параметры
IRFPC60LCPBF, Nкан 600В 16А TO247AC
1329136815
Корпус TO-247AC
IRFR120PBF, полевой транзистор N канал 100В 7.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK
317750351
Структура N-канал
Корпус DPAK (TO-252AA)