транзисторы полевые импортные
CR160-E3, транзистор 1.6мА, 100В,TO-18
1712302917
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Корпус | TO-18 |
CR360-E3, транзистор 3.6мА, 100В,TO-18
976950516
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Корпус | TO-18 |
CR470-E3, транзистор 4.7мА, 100В,TO-18
97404162
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Корпус | TO-18 |
CSD16323Q3, транзистор 8SON
796560233
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1,1 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 5.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 108 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | SON8-3x3 |
CSD16401Q5, транзистор 8SON
577967427
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 38 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1,5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 2.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3,1 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 168 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | SON8-3x3 |
CSD16406Q3, транзистор 8SON
1471177025
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 19 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1,7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 7.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2,7 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 53 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | SON8-3x3 |
CSD16407Q5, транзистор 8SON
716625863
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 31 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1,6 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 3.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3,1 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 111 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | SON8-5x6 |
CSD16409Q3, транзистор 8SON
1509097947
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 12.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2,6 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 38 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | SON8-5x6 |
CSD16410Q5A, транзистор 8SON
2137965949
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 16 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1,9 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 38 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | SON8-5x6 |
CSD16412Q5A, транзистор 8SON
1844963522
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 16 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 33 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | SON8-5x6 |
CSD16414Q5, транзистор 8SON
1318698749
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 34 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1,6 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 2.6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3,2 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 138 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | SON8-5x6 |
CSD25301W1015, транзистор 6DSBGA
1373151590
| Структура | P-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -12 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -2.2 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -0,6 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 82 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 9 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | DSBGA-4 |
CSD25401Q3, транзистор 8SON
797268432
| Структура | P-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -14 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -1,2 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 11.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2,8 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 43 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | SON8-3x3 |
CSD75301W1015, транзистор 6DSBGA
515843170
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -1.2 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -0,7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 100 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0,8 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 5,2 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | DSBGA-6 |
FA38SA50LC, транзистор N канал 500В 38А SOT227
135436559
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 38 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 130 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 500 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 22 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | SOT227 |
FDMS2734, N-канальный MOSFET транзистор сверхвысокой мощности, 250В, 25А, 140Вт [Power-56-8
(DFN5X6-
257667889
| Структура | N-канал |
| Корпус | DFN5x6 |
FDPF12N60NZ, транзистор (FQPF12N60C) , TO220F
1713410520
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 530 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 39 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 13,5 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | TO220FP |
FDS8958A, транзистор 30В 7А NP SO8
1540427324
| Структура | N&P-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 7 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 28/52 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Покзать параметры | |
| Корпус | SO8 |
FDS9945, транзистор N-кан 60В 3.5А 100мОм SO8
1897160327
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 100 |
| Температура, С | -55…+175 |
| Корпус | SO8 |
FDS9945, транзистор SOIC8
1242514785
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 100 |
| Температура, С | -55…+175 |
| Корпус | SO8 |
FGH40N60UFDTU, транзистор TO247
1501941137
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 6,5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 290 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Покзать параметры | |
| Корпус | TO247AB-3 |
FMMT495, мощный высокопроизводительный транзистор, 170В, 1А, 250мВт (SOT-23) = Diodes
529991170
| Корпус | SOT-23 |
FQP10N60C, транзистор (IRF840, IRF840A) TO220AB
1948146521
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.5 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 730 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 156 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 8 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | TO220AB |
FQP9N50, транзистор (IRF840), TO-220AB
1268133422
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 730 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 147 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 8,2 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | TO220AB |
FQPF12N60C, транзистор TO220F
1191057131
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 650 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0,51 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 13 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | TO220FP |
