Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Схема проезда к офису

транзисторы полевые отечественные
Скрыть подбор по параметрам
Структура
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт
Крутизна характеристики S,мА/В
Корпус
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм
Кол-во на странице:
2П306Б, транзистор полевой
1456735165
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,15
Крутизна характеристики S,мА/В 5
Корпус KT-112
Покзать параметры
КП103И1, (90-92г.)
818176208
Структура P-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,021
Крутизна характеристики S,мА/В 2
Корпус KT-26
КП103Л1, (90-92г)
2054884183
Структура P-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,066
Крутизна характеристики S,мА/В 3
Корпус KT-26
КП303А, никель
1830822441
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,2
Крутизна характеристики S,мА/В 2
Корпус KT-112
Покзать параметры
КП303Б, никель
1077286903
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,2
Крутизна характеристики S,мА/В 2
Корпус KT-112
Покзать параметры
КП303Е, никель
643431893
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,2
Крутизна характеристики S,мА/В 4
Корпус KT-112
Покзать параметры
2П301Б, (1990-1992г.)
1557174940
Структура P-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 5,4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,2
Крутизна характеристики S,мА/В 2
Корпус KT-114
2П302А, транзистор полевой
13386215
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,3
Крутизна характеристики S,мА/В 9
Корпус KT-27
Покзать параметры
2П305А
1890504072
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 15
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,15
Крутизна характеристики S,мА/В 8
Корпус KT-112
Покзать параметры
КП103Е1, (90-92г)
1456729454
Структура P-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,007
Крутизна характеристики S,мА/В 1
Корпус KT-26
КП103Ж1, (90-92г)
1372902930
Структура P-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2,2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,012
Крутизна характеристики S,мА/В 2
Корпус KT-26
КП103К1, транзистор полевой
979539735
Структура P-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,038
Крутизна характеристики S,мА/В 2
Корпус KT-26
КП302АМ, (1991-1992)
1295369482
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,3
Крутизна характеристики S,мА/В 8
Корпус TO-18
Покзать параметры
КП302ВМ, 1991г.
1033239968
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 20
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 10
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,3
Корпус TO-18
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 100
КП304А
1617170040
Структура P-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,2
Крутизна характеристики S,мА/В 4
Корпус KT-114
Покзать параметры
КП305И, транзистор полевой
1110783047
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 15
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,15
Крутизна характеристики S,мА/В 7
Корпус KT-112
Покзать параметры
КП327Б, транзистор полевой
367833385
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2,7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,2
Крутизна характеристики S,мА/В 9,5
Корпус KT-29
Покзать параметры
КП103Е1, Транзистор, Р-канал, малой мощности [TO-92 / КТ-26]
1156004227
Структура P-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1,5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,007
Крутизна характеристики S,мА/В 1
Корпус KT-26
КП103И, Транзистор, Р-канал, малой мощности [КТ-17]
774250077
Структура P-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,021
Крутизна характеристики S,мА/В 2
Корпус KT-26
КП103И1, Транзистор, Р-канал, малой мощности [TO-92 / КТ-26]
1228617838
Структура P-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 12
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,021
Крутизна характеристики S,мА/В 2
Корпус KT-26
КП103К1, Транзистор, Р-канал, малой мощности [TO-92 / КТ-26]
248678625
Структура P-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,038
Крутизна характеристики S,мА/В 2
Корпус KT-17
КП302ВМ, Транзистор, N-канал TO-18
739423100
Структура N-FET
Корпус TO-18
КП303А никель, Транзистор, N-канал [КТ-112]
295732593
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,2
Крутизна характеристики S,мА/В 2
Корпус KT-112
Покзать параметры
КП303Б никель, Транзистор, N-канал [КТ-112]
1352196513
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,2
Крутизна характеристики S,мА/В 2
Корпус KT-112
Покзать параметры
КП303В никель, Транзистор, N-канал [КТ-112]
699017150
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,2
Крутизна характеристики S,мА/В 3
Корпус KT-112
Покзать параметры
КП303Е никель, Транзистор, N-канал [КТ-112]
14735384
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,2
Крутизна характеристики S,мА/В 4
Корпус KT-112
Покзать параметры
КП303И никель, Транзистор, N-канал [КТ-112]
512903134
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,2
Крутизна характеристики S,мА/В 4
Корпус KT-112
Покзать параметры
КП305Д, Транзистор, N-канал [КТ-112]
246611780
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 15
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,15
Крутизна характеристики S,мА/В 8
Корпус KT-112
Покзать параметры
КП327Б, Транзистор, N-канальный с двумя изолированными затворами [КТ-29]
1720654100
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 18
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 2,7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,2
Крутизна характеристики S,мА/В 9,5
Корпус KT-29
Покзать параметры
КП501А, КТ-26 (ТО-92), КР1014КТ112А
932957198
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 240
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,5
Крутизна характеристики S,мА/В 100
Корпус TO-92
КП501А, Транзистор, N-канальный с изолированным затвором [TO-92 / КТ-26]
1270351116
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 240
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,5
Крутизна характеристики S,мА/В 100
Корпус TO-92
КП501Б, Транзистор, N-канальный с изолированным затвором [TO-92 / КТ-26]
53813642
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 200
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В 1
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,5
Крутизна характеристики S,мА/В 100
Корпус TO-92
КП504А, TO92-3
297605044
Корпус TO-92
КП505А, Транзистор, N-канал, 50В, 0.5Вт [TO-92 / КТ-26]
469102717
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 0,5
КП723А, Транзистор, N-канальный с изолированным затвором [TO-220]
1955924771
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 60
Крутизна характеристики S,мА/В 1 000
Корпус TO-220
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 35
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм 0,028
КП901А, Транзистор, N-канал, генераторный [КТ-42]
457098169
Структура N-FET
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 70
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт 20
Крутизна характеристики S,мА/В 100
Корпус KT-42
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А 4
КТ209В, TO92-3
1726563356
Корпус TO-92
КТ209К, TO92-3
459019055
Корпус TO-92
КТ209Л, TO92-3
362508855
Корпус TO-92
КТ3102А, TO-18, Ni
28548381
Корпус TO-18