транзисторы полевые импортные
SISS71DN-T1-GE3, Транзистор, MOSFET P-CH 100V 23A 8-Pin PowerPAK 1212-S EP
458399330
| Корпус | PowerPAK 1212 |
SiZ254DT-T1-GE3, МОП транзистор N-канал 70В (D-S) MOSFETs Symm. PowerPAIR 3 x 3, 16.1мОм,
10V, 20.9
418511134
| Структура | N-канал |
| Корпус | PowerPAIR |
SiZ340ADT-T1-GE3, МОП транзистор 2хN-канал 30-V (D-S) MOSFETs PowerPAIR 3 x 3, 9.4мОм,
10VмОм, 7.5
512619456
| Структура | 2N-канал |
| Корпус | PowerPAIR |
SiZ342ADT-T1-GE3, МОП транзистор 2хN-канал 30В (D-S) MOSFET PowerPAIR 3 x 3, 9.4мОм,
10VмОм, 7.5V
156389096
| Структура | 2N-канал |
| Корпус | PowerPAIR |
SiZF906BDT-T1-GE3, МОП транзистор N-канал 30В (D-S) MOSFET with Schottky Diode PowerPAIR
F 6 x 5 , 2
1984595075
| Структура | N-канал |
| Корпус | PowerPAIR |
SiZF928DT-T1-GE3, Dual МОП транзистор N-канал 30В (D-S) MOSFET PowerPAIR F 6 x 5,
0.75мОм, 10V, 1.2
1722473043
| Структура | N-канал |
| Корпус | PowerPAIR |
SPP20N60C3, транзистор TO-220
1424591897
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 5,5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 190 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 208 |
| Покзать параметры | |
| Корпус | TO220AB |
SQ2310ES-T1_GE3, Транзистор MOSFET N канал 20В 6A 3-Pin SOT-23
657652052
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
SQ2361AEES-T1_GE3, транзистор MOSFET P-канал 60В 2.8A 2-Pin SOT-23
1980722858
| Структура | P-канал |
| Корпус | SOT-23 |
SQ3419EV-T1_GE3, транзистор MOSFET P-канал 40В 6.9A 6-Pin TSOP
264852374
| Структура | P-канал |
| Корпус | TSOP-6 |
SQ3427AEEV-T1_GE3, полевой транзистор P-канал 60В 5.3A Automotive 6-Pin TSOP
902866123
| Структура | P-канал |
| Корпус | TSOP-6 |
SQ3427EV-T1_GE3, SQ3427EV Series 60В 5.3А SMT автомоб. P-канал TSOP-6
756542529
| Структура | P-канал |
| Корпус | TSOP-6 |
SQD25N06-22L_GE3, полевой транзистор N канал 60В 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK
1459056156
| Структура | N-канал |
| Корпус | DPAK (TO-252AA) |
SQD40052EL_GE3, МОП транзистор N-канал 40В (D-S) 175C MOSFET DPAK (TO-252), 6мОм,
10V, 7.8мОм, 4.5
1409694839
| Структура | N-канал |
| Корпус | DPAK (TO-252AA) |
SQD50N06-09L-GE3, Транзистор, N канал 60В 50A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK
1705561067
| Структура | N-канал |
| Корпус | DPAK (TO-252AA) |
SQJ126EP-T1_GE3, МОП транзистор N-канал 30В (D-S) 175C MOSFET PowerPAK SO-8L BWL,
0.94мОм, 10V
1319188516
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOIC-8 |
