транзисторы полевые импортные
HKTD120N04, N-канальный силовой MOSFET, 40В, 120А, 110Вт (TO-252)
1306934526
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
HKTD15N10, N-канальный силовой MOSFET, 100В, 15А, 34Вт (TO-252)
1421948829
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
HKTD20N06, N-канальный силовой MOSFET, 60В, 20А, 45Вт (TO-252)
144135112
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
HKTD4N50, N-канальный силовой MOSFET, 500В, 5А, 22Вт (TO-252)
1710219053
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
HKTD4N65, N-канальный силовой MOSFET, 650В, 4А, 23.1Вт (TO-252)
662433942
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
HKTD50N03, N-канальный силовой MOSFET, 30В, 50А, 37Вт (TO-252)
903649999
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
HKTD50N06, N-канальный силовой MOSFET, 60В, 50А, 45Вт (TO-252)
1018664303
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
HKTD5N20, N-канальный силовой MOSFET, 200В, 5А, 78Вт (TO-252)
547419638
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
HKTD5N50, N-канальный силовой MOSFET, 500В, 5А, 22Вт (TO-252)
2113503579
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
HKTD70N04, N-канальный силовой MOSFET, 40В, 70А, 108Вт (TO-252)
615379776
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
HKTD7N65, N-канальный силовой MOSFET, 650В, 7А, 27.2Вт (TO-252)
1306934525
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
HKTD80N03, N-канальный силовой MOSFET, 30В, 80А, 60Вт (TO-252)
1421948830
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
HKTD90N03, N-канальный силовой MOSFET, 30В, 90А, 62.5Вт (TO-252)
144135111
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-252 |
HKTG150N03, N-канальный MOSFET, 30В, 150А, 75Вт (PDFN5x6)
1710219052
| Структура | N-канал |
| Корпус | PDFN5x6 |
IPW60R017C7, транзистор N-кан 600В TOP247-3-1
1250188499
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 60 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 3,5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 45 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 431 |
| Покзать параметры | |
| Температура, С | -50...+150 |
| Корпус | TO247-3 |
IRC840, транзистор N канал 500В 8А TO220
989826683
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 850 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 125 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Покзать параметры | |
| Корпус | TO220AB |
IRCZ34PBF, транзистор N канал 60В 30А TO-220
1119705548
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 50 |
| Корпус | TO-220 |
IRF1404ZPBF, Транзистор MOSFET N-канал Si 40В 180А [TO-220АB] аналог IRF1404ZPBF
2066640696
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-220 |
IRF2805PBF, nранзистор полевой N-канал 55В 75А авто [TO-220AB]
774222721
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-220AB |
IRF3808PBF, транзистор N канал 75В 140А TO220AB полный аналог IRF3808PBF
196282709
| Структура | N-канал |
| Корпус | TO-220AB |
IRF4905PBF, транзистор P канал55В -74А ТО220AB
741035374
| Структура | P-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -74 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 21 |
| Температура, С | -55...+175 |
| Корпус | TO220AB |
IRF4905STRRPBF -NN, транзистор IRF4905STRRPBF 0.1 Ом
1242502172
| Структура | P-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -55 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -74 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | -4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 200 |
| Покзать параметры | |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | TO252-3 |
IRF510PBF, транзистор N канал 100В 5.6А TO220AB
2132934383
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.6 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 540 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 43 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 1,3 |
| Температура, С | -55...+175 |
| Корпус | TO220AB |
IRF510PBF, транзистор N канал 100В 5.6А TO220AB
615456961
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.6 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 540 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 43 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 1,3 |
| Температура, С | -55...+175 |
| Корпус | TO220AB |
IRF520PBF, транзистор N канал 100В 9.2А TO220AB
854747492
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9.2 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 4 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 270 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 60 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 2,7 |
| Температура, С | -55...+175 |
| Корпус | TO220AB |
