транзисторы полевые импортные
YJL3407AL, MOSFET транзистор P-канальный -30В -4.1А [SOT-23-3L]
2029068317
| Структура | P-канал |
| Корпус | SOT-23-3 |
YJL3416A, [SOT-23] MOSFET транзистор Single-ESD N-канальный 20В 6А
1103099565
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-23 |
YJQ3400A, MOSFET транзистор Dual N-канальный 30В 7.7А [DFN2020-6L]
59699849
| Структура | N-канал |
| Корпус | DFN2020-6L |
YJQ35N04A, MOSFET транзистор N-канальный 40В 35А [DFN3.3X3.3]
1506384092
| Структура | N-канал |
| Корпус | DFN3.3x3.3 |
YJQ4666A, MOSFET транзистор P-канальный -20В -7А [DFN2020-6L]
1222499263
| Структура | P-канал |
| Корпус | DFN2020-6L |
YJQ4666B, MOSFET транзистор P-канальный -16В -7А [DFN2020-6L]
343584678
| Структура | P-канал |
| Корпус | DFN2020-6L |
YJQ4666C, MOSFET транзистор P-канальный -16В -8А [DFN2020-6L]
1909668619
| Структура | P-канал |
| Корпус | DFN2020-6L |
YJS2301A, сдвоенный P-канальный усиленный FET транзистор, -20В, -3.7А, 1.2Вт [SOT-23-6L]
2029068328
| Структура | P-канал |
| Корпус | SOT-23-6 |
YJS4953A, MOSFET транзистор Dual P-канальный -30В -5.1А [SOP-8]
462984387
| Структура | 2P-канал |
| Корпус | SOP-8 |
1N60AA3, N-канальный силовой MOSFET, 600В, 1А, 8Вт (SOT-223) = 1N60G-AA3-R (UTC)
1439377298
| Структура | N-канал |
| Корпус | SOT-223-3 |
2N6660, транзистор
1469914278
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | -60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | -1.1 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 3000 |
| Корпус | TO39 |
BC857BDW, двойной PNP транзистор общего назначения, -50В, -0.2А, 0.3Вт (SOT-363) =
BC857BDW1T1G (ONS
1975115284
| Корпус | SOT-363 |
BSC123N08NS3G, транзистор полевой N-канал 80В 55A TDSON-8
1369807699
| Структура | N-канал |
| Корпус | TDSON-8 |
BSS123, транзистор SOT23
517014122
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.17 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 2 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 6000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0,36 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 0,8 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | SOT23 |
BSS123LT1G, транзистор N-канал 100В 170мА SOT-23-3
1845418281
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.17 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1,6 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0,225 |
| Покзать параметры | |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | SOT23 |
BSS138, транзистор 7-F SOT23
1845712915
| Структура | N-канал |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 50 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.2 |
| Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 1,5 |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм | 3500 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0,3 |
| Покзать параметры | |
| Крутизна характеристики S,А/В | 0,1 |
| Температура, С | -55...+150 |
| Корпус | SOT23 |
