Транзисторы
транзисторы биполярные отечественныетранзисторы биполярные импортныетранзисторы полевые отечественныетранзисторы полевые импортныесоставные транзисторы ДарлингтонаСВЧ транзисторыIGBT транзисторы
ST13003-K, SOT32
314282306
| Корпус | SOT-32 |
| Структура | NPN |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 400 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 1,5 |
| Статический коэффициент передачи тока hfe мин | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
| Покзать параметры | |
| Диапазон рабочих температур, оС | -65...150 |
| Hfe при токе коллектора, А | 1 |
| Hfe при напряжении к-э, В | 2 |
TIP127, TO220
777101289
| Корпус | TO-220 |
| Структура | PNP Дарлингтон |
| Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В | 100 |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 5 |
| Статический коэффициент передачи тока hfe мин | 1 000 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 65 |
| Диапазон рабочих температур, оС | -65...150 |
| Hfe при токе коллектора, А | 3 |
| Hfe при напряжении к-э, В | 3 |
YJB100GP06H, одиночный P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -60B, -100A, 178 Вт
(TO-263) = IRF9Z
661921910
| Корпус | TO-263 |
YJB110G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 110A, 260Вт (TO-263)
274782045
| Корпус | TO-263 |
YJB118G08H, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 85B, 118A, 156Вт (TO-263)
1034296932
| Корпус | TO-263 |
YJB120G08A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 80B, 100A, 208Вт (TO-263)
631012416
| Корпус | TO-263 |
YJB180G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 180A, 357Вт (TO-263)
128502482
| Корпус | TO-263 |
YJB200G06A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60B, 200A, 260Вт (TO-263)
531786996
| Корпус | TO-263 |
YJB200G06B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60B, 200A, 260Вт (TO-263)
935071523
| Корпус | TO-263 |
YJB30GP10A, одиночный P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -100B, -30A, 125Вт
(TO-263)
1034296933
| Корпус | TO-263 |
YJB70G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 70A, 125Вт (TO-263)
274782056
| Корпус | TO-263 |
YJD110G08A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 80B, 110A, 83Вт (TO-252)
1437581459
| Корпус | TO-252 |
YJD18GP10A5, одиночный P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -100B, -18A, 72Вт
(TO-252)
128502481
| Корпус | TO-252 |
YJD28GP10A, одиночный P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -100B, -28A, 96Вт (TO-252)
1437581460
| Корпус | TO-252 |
YJD45G10A, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 45A, 72Вт (TO-252)
531786999
| Корпус | TO-252 |
YJD45G10B, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 45A, 72Вт (TO-252)
935071526
| Корпус | TO-252 |
YJD50GP06A, одиночный P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -60B, -50A, 89Вт (TO-252)
2097870949
| Корпус | TO-252 |
YJD80G06C, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 60B, 80A, 78Вт (TO-252)
2097870939
| Корпус | TO-252 |
YJF50G10H, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 100B, 50A, 41Вт (ITO-220AB)
2097870950
| Корпус | TO-220AB |
YJG15GP10A, одиночный P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -100B, -15A, 60Вт (PDFN5060)
1291301895
YJG180G04HJRQ, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 40B, 180A, 187т
(PDFN0560-8L)
223005022
YJG25GP10A, одиночный P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -100B, -25A, 88Вт (PDFN5060)
274782046
YJG300G04HRQ, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 40B, 300A, 192Вт
(PDFN5060-8L)
223005033
YJG320G04HJRQ, одиночный N-канальный усиленный MOSFET транзистор, 40B, 320A, 192Вт
(PDFN5060-8L)
1343078908
YJG80GP06B, одиночный P-канальный усиленный MOSFET транзистор, -60B, -80A, 120Вт (PDFN5060)
531787008
