Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Схема проезда к офису

тиристоры импортные
Скрыть подбор по параметрам
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В
Корпус
Тип тиристора
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии, А
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора, мА
Удерживающий ток, необходимый для поддержания открытого состояния тиристора, мА
Макс. импульсный ток в открытом состоянии.,А
Напряжение включения (открывания) при 25оС, В
Макс. напряжение в открытом состоянии (падение напряжения), В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс
Рабочая температура,С
Время включения tвкл.,мкс
Время выключения tвыкл.,мкс
Особенности
Кол-во на странице:
WMR07P03TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
2057213316
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMR09N02T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1814266471
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 20
WMR10N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1410981945
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMR12N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
248182531
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMR12P02T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1881523618
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 12
WMR13N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
155101996
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMR14N03TB, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1390778967
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMR15N02T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
651467057
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 20
WMS02P15TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
651467063
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 20
WMS032N04LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2097619273
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMS048NV6HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
531535330
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMS048NV6HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2117822249
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMS048NV6LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
934819857
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMS048NV6LG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
195507948
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMS04N10T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1861320644
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMS04N10TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1034548607
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMS05P04TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
248182527
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMS05P06T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
2057213318
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 12
WMS05P10TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
155101999
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 12
WMS060N06LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2097619272
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMS06N10TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
295236702
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMS06N15T2, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1794063492
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 20
WMS06P04T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
914616887
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMS076N06LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1390778971
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMS080N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1773860523
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMS08DH04T1, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
1269819448
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMS08DH04T1, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
1459063907
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMS08DN06TS, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
249210329
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMS08DP03TS, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
107020033
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMS08N06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1410981948
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMS08NV4T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1410981947
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 20
WMS08P03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
134899016
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMS08P04TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1814266470
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMS090N04LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
227979556
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMS098DN06LG2, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
2076388499
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMS098N06LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
175304970
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMS099N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
551738305
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMS099N10LGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2076388498
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMS09DP03TS, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
249210328
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMS09N06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1814266475
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMS09P02TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
134899017
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 12
WMS09P06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
2077416300
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 12
WMS10DH04TS, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
2076388500
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMS10DH04TS, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
510304559
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMS10DN04TS*, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
1269819447
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMS10N04TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1317901408
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMS10P06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1861320635
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 12
WMS119N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1014345637
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100