Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
тиристоры импортные
тиристоры маломощные отечественные
тиристоры силовые отечественные
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
Тиристоры
тиристоры импортные
Скрыть подбор по параметрам
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В
Корпус
Тип тиристора
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии, А
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора, мА
Удерживающий ток, необходимый для поддержания открытого состояния тиристора, мА
Макс. импульсный ток в открытом состоянии.,А
Напряжение включения (открывания) при 25оС, В
Макс. напряжение в открытом состоянии (падение напряжения), В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс
Рабочая температура,С
Время включения tвкл.,мкс
Время выключения tвыкл.,мкс
Особенности
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
WML4N65D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1115360512
WML4N90D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1874875398
WML50P04TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1431184926
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WML6N100D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1921929564
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WML6N80D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1518645036
WML6N90D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
450723432
WML7N65D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1296670639
WML9N90D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1613522846
WML9N90D1B, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1115360511
WMLL014N06HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
195507946
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMLL015N08HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1014345632
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 80
WMLL017N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1358307363
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMLL020N08HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2117822250
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 80
WMLL020N10HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
195507949
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMLL020N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1370575992
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMLL020NV8HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
611061105
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMLL025N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2117822251
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMLL029NV8HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
155101991
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 20
WMLL065N15HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1370575989
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMLL099N20HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1794063501
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMM014N06HG4*, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2117822248
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMM015N08HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
551738309
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 80
WMM020N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
551738310
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMM023N08HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
207776578
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 80
WMM028N10HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
227979559
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMM028N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
611061104
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMM030N06HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2076388497
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMM037N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1358307364
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMM040N08HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1338104383
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 80
WMM043N10HGD, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
934819855
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMM043N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1390778974
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMM048NV6HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
955022835
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMM049N12HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1459063915
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMM050NV6HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
175304969
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMM053N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
551738311
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMM053NV8HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
631264085
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMM055N10HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
955022833
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMM058N12HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2076388494
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMM060N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1370575996
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMM071N15HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1055779387
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMM115N15HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1673103969
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMM115N15HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
631264087
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMM120P06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
2077416299
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 12
WMM161N15T2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
652494860
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMM180N03TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1034548606
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMM190N03TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
2097619276
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMM220N20HG3, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
249210330
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMM340N20HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1316873609
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.