Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
тиристоры импортные
тиристоры маломощные отечественные
тиристоры силовые отечественные
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
Тиристоры
тиристоры импортные
Скрыть подбор по параметрам
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В
Корпус
Тип тиристора
Макс. среднее за период значение тока в открытом состоянии, А
Наименьший постоянный ток управления, необходимый для включения тиристора, мА
Удерживающий ток, необходимый для поддержания открытого состояния тиристора, мА
Макс. импульсный ток в открытом состоянии.,А
Напряжение включения (открывания) при 25оС, В
Макс. напряжение в открытом состоянии (падение напряжения), В
Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс
Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс
Рабочая температура,С
Время включения tвкл.,мкс
Время выключения tвыкл.,мкс
Особенности
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
WMB115N15HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1316873608
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB115N15HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
195507952
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB119N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1370575998
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMB120P06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
651467056
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 12
WMB125N12LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1673103968
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB128N10T2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
195507950
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMB129N10T2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1338104382
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMB129N10T2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1370575991
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMB140DN06LG2, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
1055779381
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB140N06LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1673103971
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB150N03TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
934819862
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB175N10HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
551738303
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMB175N10HG4*, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1773860517
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMB175N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
955022830
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMB175N10LG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1014345629
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMB190DN10LG2, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
107020034
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMB198N15HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
107020028
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB26DN06TS, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
249210327
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB26N06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
155101993
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB31430DN, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
1459063909
WMB31430DN, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
107020032
WMB340N20HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
510304555
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB35P04T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
315439679
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMB35P06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1410981942
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 12
WMB40N04TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
914616881
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMB46N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1861320639
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB50P03TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
268385511
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB50P04TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
268385512
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMB510N15HG2*, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2097619268
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB52N03T2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1390778969
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB56N04T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
651467060
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMB58N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
914616883
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB60P02TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
894413904
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 12
WMB60P03TA, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
894413903
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB690N15HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
652494859
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB70N04T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1317901409
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMB70P02TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1410981943
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 12
WMB80N06TS*, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1338104388
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB80P04TS*, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
671670039
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMB81N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
295236697
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMB90N02TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1338104389
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 20
WMB90P03TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
315439677
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMC1N40D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
47438902
WMC40N50D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
269413302
WMH4N80D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1296670640
WMH7N65D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1921929566
WMJ020N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1014345631
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMJ023N08HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
955022836
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 80
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.