тиристоры импортные
WMB021N06LG4*, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1773860521
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 60 |
WMB023N03LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
934819860
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB025N06HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1358307361
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 60 |
WMB025N06LG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
207776580
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 60 |
WMB02DN10T1, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
1316873612
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB032N04LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1034548609
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WMB034N06HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1269819443
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB034N06LG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1338104385
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB03DN06T1, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
1673103973
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB040N03LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2097619274
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB040N08HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
934819856
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 80 |
WMB042DN03LG2, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
652494855
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB042DN03LG2, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
1269819446
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB043N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1034548613
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB043N10LGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2097619269
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB048NV6HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1390778972
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB048NV6HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
195507947
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB048NV6LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2097619271
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB048NV6LG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1773860520
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB049N12HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1269819440
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB050N03LG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1773860522
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB052N03LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1034548608
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB053NV8HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
531535329
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB060N06LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
934819858
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB060N08LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2097619270
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 80 |
WMB060N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1014345635
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB060N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1338104381
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB060N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
611061108
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB060N10LGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
551738306
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB060N10LGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
175304967
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB072N12HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1316873607
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB072N12LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
510304553
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB072N12LG2-S, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
207776575
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB076N06LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1034548610
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB080N03LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
227979555
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB080N10HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
955022832
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB080N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1358307359
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB090DN04LG2*, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
1459063908
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WMB090N04LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
175304971
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WMB098DN06LG2, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
510304560
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB098N03LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
934819859
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB098N06LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1338104384
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB099N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
955022831
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB099N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
195507944
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB099N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2117822252
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB099N10LGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1358307358
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB100N07TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1814266476
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 20 |
WMB108N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1317901411
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
