тиристоры импортные
WM03N58M, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
1296670633
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WM03N58M2, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
490101579
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WM03P115R, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
268385509
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WM03P27M, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
1673103976
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WM03P41M, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
652494852
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WM03P41M2, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
2076388503
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WM03P42M, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
107020035
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WM03P42M2, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
1459063906
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WM03P51A, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
1269819449
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WM03P56M2, МОП транзистор мультиканальный Small Signal MOSFET
672697830
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WM03P91A, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1431184925
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WM04N50M, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
86817053
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WM04P50M, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
1316873615
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WM04P56M, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
249210326
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WM04P56M2, МОП транзистор мультиканальный Small Signal MOSFET
2056185525
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WM05DP01D, МОП транзистор мультиканальный Small Signal MOSFET
1296670635
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 50 |
WM05N02G, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
1249616467
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 50 |
WM05N02M, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
1652900994
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 50 |
WM05P01G, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
652494853
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 50 |
WM05P01M, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
2076388502
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 50 |
WM05P02F, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
1055779380
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 50 |
WM05P20M, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
510304561
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 50 |
WM06DN03D, МОП транзистор мультиканальный Small Signal MOSFET
672697832
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 60 |
WM06N01M, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
672697834
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 60 |
WM06N03F, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
1479266888
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 60 |
WM06N03G, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
1075982361
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 60 |
WM06N03H, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
269413307
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 60 |
WM06N03L, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
490101580
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 60 |
WM06N03M, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
2056185521
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 60 |
WM06N30M, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
1296670634
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 60 |
WM06P17MR, МОП транзистор мультиканальный Small Signal MOSFET
1479266884
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 60 |
WM10N02G, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
1652900995
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 20 |
WM10N02M, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
86817054
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 200 |
WM10N20M, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
1249616468
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 200 |
WM10N33M, МОП транзистор мультиканальный Small Signal MOSFET
1652900999
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 330 |
WM10N35M2, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
1479266887
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 350 |
WM10P20M2, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
490101581
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 200 |
WM15P10M2, МОП транзистор с малым сигналом Small Signal MOSFET -60V-100V
269413306
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 60 |
WM6C61042A, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
1055779382
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WMAA2N100D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1874875396
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB014N06HG4*, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1014345634
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB014N06LG4*, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
551738307
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB017N03LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
227979554
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB018N04LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1794063496
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WMB021N06HG4*, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
955022834
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 60 |
