Тиристоры
WMQ098N06LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
227979557
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMQ099N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1014345636
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMQ099N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
611061103
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMQ10N10TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1794063494
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMQ119N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
195507943
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMQ125NV6LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1316873610
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMQ12P10TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1317901413
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 12 |
WMQ140N06LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
249210331
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMQ15DN04TS*, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
2076388501
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WMQ175N10HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
510304557
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMQ175N10HG4*, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1370575990
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMQ175N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1773860525
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMQ175N10LG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
611061102
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMQ18P04TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1814266468
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WMQ20DN06TS, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
1673103975
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMQ20N06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
248182534
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMQ25P03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1881523619
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMQ25P04T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
651467054
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WMQ25P06TS*, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
651467055
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 12 |
WMQ25P06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
295236695
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 12 |
WMQ26NV4T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
155101994
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 20 |
WMQ26P02TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1431184924
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 12 |
WMQ28N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1814266473
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMQ30DN04TS*, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
652494854
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WMQ30DP03TS*, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
1673103974
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMQ30N02T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
295236696
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 20 |
WMQ30N03T2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
531535333
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMQ30N04TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1814266474
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WMQ30N06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
2077416294
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMQ30P03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1297698432
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMQ30P04T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1431184923
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WMQ35P02TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
268385510
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 12 |
WMQ37N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
295236698
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMQ40DN03T1, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
510304558
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMQ40N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1410981944
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMQ42P03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
671670036
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMQ46N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1814266472
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMQ50N04T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1861320640
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WMQ50P03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
315439675
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMQ50P04TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
248182529
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WMQ55N04T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
248182532
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WMQ55P02T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
134899019
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 12 |
WMQ60P02TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
155101998
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 12 |
WMQ80N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
914616884
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMR050N03LG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1358307360
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMR05P04TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
2077416301
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WMR07N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
2077416296
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMR07N06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1317901407
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
