Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
тиристоры импортные
тиристоры маломощные отечественные
тиристоры силовые отечественные
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
Тиристоры
тиристоры импортныетиристоры маломощные отечественныетиристоры силовые отечественные
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
WMO28N15T2, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
934819863
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 20
WMO2N100D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1210238318
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMO30P03TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1297698430
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMO35N06T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
914616880
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMO35P04T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1881523620
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMO35P06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1814266469
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 12
WMO3N120D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
450723431
WMO40N04TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
248182533
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMO50N06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
651467061
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMO50P03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
894413905
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMO50P04T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1881523617
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMO55N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1317901410
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMO60N02T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
2077416298
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 20
WMO60N04T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
295236699
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMO60N04T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
2077416295
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMO60P02TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1834469451
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 12
WMO60P03TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1834469452
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMO690N15HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2076388496
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMO6N80D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1210238319
WMO75N04T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
155101995
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMO7N65D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
355845625
WMO80N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1861320638
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMO80N06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
175304974
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMO80N08TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1317901405
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 80
WMO80P04TS*, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
894413902
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMO80P06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1410981941
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 12
WMO90N02T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1861320637
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 20
WMO90P03TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
671670038
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMO96N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
155101997
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMP119N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1358307357
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMQ020N03LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
249210332
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ023N03LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1338104387
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ032N04LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
631264082
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMQ040N03LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1794063495
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ048NV6HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
631264084
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ048NV6HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
551738308
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ048NV6LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1794063498
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ048NV6LG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1370575993
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ050N03LG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
207776581
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ050N04LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
531535332
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMQ052N03LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
631264081
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ060N04LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1370575995
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMQ060N06LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1794063497
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ060N08LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1794063499
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 80
WMQ076N06LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
631264083
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ080N03LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
175304972
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMQ090N04LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1390778970
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 40
WMQ098N03LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1338104386
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.