Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
тиристоры импортные
тиристоры маломощные отечественные
тиристоры силовые отечественные
Полупроводниковые модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
Тиристоры
тиристоры импортныетиристоры маломощные отечественныетиристоры силовые отечественные
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
WMJ028N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
955022837
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMJ10N100D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
355845623
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMJ10N80D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
355845622
WMJ11N150D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1921929565
WMJ12N120, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
47438904
WMJ220N20HG3, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
934819854
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMJ3N120D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1115360510
WMJ3N150D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1874875397
WMJ40N50D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
490101585
WMJ9N150D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1518645038
WMJ9N90D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
854007959
WMJ9N90D1B, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
355845624
WMK014N06HG4*, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
611061107
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMK023N08HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1773860519
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 80
WMK028N10HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
175304968
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMK028N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1773860518
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMK030N06HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
652494858
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMK030N06LG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
107020029
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMK037N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
207776577
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMK040N08HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
227979558
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 80
WMK043N10HGD, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1794063500
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMK043N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
531535328
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMK043N10LGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
631264086
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMK048NV6HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1014345633
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMK048NV6LG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
207776579
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMK049N12HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
107020026
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMK053N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1014345630
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMK053NV8HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1034548612
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMK058N12HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
652494861
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMK060N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
195507945
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMK060N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2117822247
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMK060N10LGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
227979560
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMK071N15HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
510304554
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMK072N12HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
249210334
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMK072N12LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1055779388
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMK080N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
207776582
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMK099N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2117822245
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMK099N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1370575997
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMK099N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
955022838
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMK099N10LGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1773860524
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMK100N07TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
914616879
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 20
WMK100N10TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1861320643
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 100
WMK10N65D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1249616473
WMK115N15HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
249210333
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMK115N15HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
531535327
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMK125N12LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
107020027
Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В 30
WMK12N65D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
1518645039
WMK13N50D1, Транзистор VDMOS D1 N-Channel
672697829
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.