Тиристоры
WMB115N15HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1316873608
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB115N15HG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
195507952
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB119N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1370575998
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB120P06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
651467056
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 12 |
WMB125N12LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1673103968
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB128N10T2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
195507950
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB129N10T2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1338104382
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB129N10T2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1370575991
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB140DN06LG2, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
1055779381
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB140N06LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1673103971
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB150N03TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
934819862
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB175N10HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
551738303
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB175N10HG4*, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1773860517
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB175N10LG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
955022830
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB175N10LG4, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1014345629
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB190DN10LG2, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
107020034
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMB198N15HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
107020028
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB26DN06TS, Транзистор мультиканальный силовой MOSFET
249210327
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB26N06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
155101993
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB340N20HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
510304555
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB35P04T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
315439679
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WMB35P06TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1410981942
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 12 |
WMB40N04TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
914616881
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WMB46N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1861320639
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB50P03TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
268385511
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB50P04TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
268385512
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WMB510N15HG2*, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
2097619268
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB52N03T2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1390778969
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB56N04T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
651467060
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WMB58N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
914616883
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB60P02TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
894413904
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 12 |
WMB60P03TA, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
894413903
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB690N15HG2, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
652494859
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB70N04T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1317901409
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WMB70P02TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
1410981943
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 12 |
WMB80N06TS*, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1338104388
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB80P04TS*, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
671670039
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 40 |
WMB81N03T1, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
295236697
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMB90N02TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный N Channel 20V-250V
1338104389
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 20 |
WMB90P03TS, Транзистор полевой силовой MOSFET канальный P Channel 12V-100V
315439677
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 30 |
WMJ020N10HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
1014345631
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 100 |
WMJ023N08HGS, Транзистор полевой силовой MOSFET SGT N Channel 30V-250V
955022836
| Макс. повторяющееся импульсное напр. в закрытом состоянии, В | 80 |
