smd индуктивности
IHLP4040DZERR56M01, Inductor Power Shielded Wirewound 0.56 мкГн 20% 100кГц Powdered
Iron
1967184128
| Номинальная индуктивность, мкГн | 0,56 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |
| Типоразмер | 10.3x10.3 |
| Длина, мм | 10,3 |
| Ширина, мм | 10,3 |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050CEER1R0M01, SMD индуктивность
1568910334
| Номинальная индуктивность, мкГн | 1 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050CEER1R8M01, SMD индуктивность
804208529
| Номинальная индуктивность, мкГн | 1,8 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050CEER3R3M01, SMD индуктивность
1334480392
| Номинальная индуктивность, мкГн | 3,3 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050CEER4R7M01, SMD индуктивность 4.7 мкГн 10A 20 %
1939427326
| Номинальная индуктивность, мкГн | 4,7 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |
| Максимальный постоянный ток, мА | 10 000 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Покзать параметры | |
| Серия | IHLP |
| Активное сопротивление, Ом | 0,015 |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050CEER5R6M01, SMD индуктивность
617999271
| Номинальная индуктивность, мкГн | 5,6 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050CEER6R8M01, SMD индуктивность
1074399952
| Номинальная индуктивность, мкГн | 6,8 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050CEER8R2M01, SMD индуктивность
1999877087
| Номинальная индуктивность, мкГн | 8,2 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050EZER100M01, SMD индуктивность
764679923
| Номинальная индуктивность, мкГн | 10 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050EZER1R0M01, SMD индуктивность
2047421778
| Номинальная индуктивность, мкГн | 1 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050EZER1R5M01, SMD индуктивность
1452056230
| Номинальная индуктивность, мкГн | 1,5 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050EZER2R2M01, SMD индуктивность
628272507
| Номинальная индуктивность, мкГн | 2,2 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050EZER4R7M01, SMD индуктивность
77562786
| Номинальная индуктивность, мкГн | 4,7 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050EZER8R2M01, SMD индуктивность
1649617216
| Номинальная индуктивность, мкГн | 8,2 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050EZERR22M01, SMD индуктивность
1488521155
| Номинальная индуктивность, мкГн | 0,22 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050FDER100M01, SMD индуктивность
1643553045
| Номинальная индуктивность, мкГн | 10 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050FDER100MA1, SMD индуктивность
584654215
| Номинальная индуктивность, мкГн | 10 |
| Максимальный постоянный ток, мА | 100 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Покзать параметры | |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050FDER1R2M01, Ind High Current Shielded Wirewound 1.2 мкГн 20% 100
1418679654
| Номинальная индуктивность, мкГн | 1,2 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Покзать параметры | |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050FDER1R8M5A, FIXED IND 1.8 мкГн 26A 2.94 MOHM
1487502205
| Номинальная индуктивность, мкГн | 1,8 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |
| Максимальный постоянный ток, мА | 26 000 |
| Типоразмер | 5050 |
| Длина, мм | 13,7 |
| Ширина, мм | 12,9 |
| Покзать параметры | |
| Особенности | высокоточные |
IHLP5050FDER220M5A, SMD индуктивность 22 мкГн 20% 5.5А 5050
1297995488
| Номинальная индуктивность, мкГн | 22 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |
| Максимальный постоянный ток, мА | 5 500 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Покзать параметры | |
| Серия | IHLP |
| Активное сопротивление, Ом | 0,033 |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050FDER2R2M01, SMD индуктивность
2046931254
| Номинальная индуктивность, мкГн | 2,2 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050FDER3R3M01, SMD индуктивность
878676741
| Номинальная индуктивность, мкГн | 3,3 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050FDER4R7M01, SMD индуктивность
953577985
| Номинальная индуктивность, мкГн | 4,7 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050FDER4R7M5A, Inductor Power Shielded Wirewound 4.7 мкГн 20% 100кГц Powdered
Iron
12919246
| Номинальная индуктивность, мкГн | 4,7 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |
| Максимальный постоянный ток, мА | 5 000 |
| Типоразмер | 5050 |
| Длина, мм | 13,7 |
| Ширина, мм | 12,9 |
| Покзать параметры | |
| Особенности | высокоточные |
IHLP5050FDER5R6M01, SMD индуктивность
837077658
| Номинальная индуктивность, мкГн | 5,6 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050FDER6R8M01, Inductor Power Shielded Wirewound 6.8 мкГн 20% 100кГц Powdered
Iron
567490184
| Номинальная индуктивность, мкГн | 6,8 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Покзать параметры | |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050FDERR30MA1, Катушка индуктивности 0.3uH 20% AEC-Q200
1026614343
| Номинальная индуктивность, мкГн | 0,3 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |
| Максимальный постоянный ток, мА | 48 |
| Типоразмер | 5050 |
| Длина, мм | 13,7 |
| Ширина, мм | 12,9 |
| Покзать параметры | |
| Особенности | высокоточные |
IHLP5050FDERR47M01, SMD индуктивность
729006283
| Номинальная индуктивность, мкГн | 0,47 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050FDERR56M01, SMD индуктивность
1999877072
| Номинальная индуктивность, мкГн | 0,56 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050FDERR82M01, SMD индуктивность
77562771
| Номинальная индуктивность, мкГн | 0,82 |
| Типоразмер | 12.9x13.2 |
| Длина, мм | 12,9 |
| Ширина, мм | 13,2 |
| Серия | IHLP |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
IHLP5050FDERR82MA1
623329816
| Номинальная индуктивность, мкГн | 0,82 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |
| Максимальный постоянный ток, мА | 3 300 |
| Типоразмер | 5050 |
| Длина, мм | 13,7 |
| Ширина, мм | 12,9 |
| Покзать параметры | |
| Особенности | высокоточные |
IHLP5050FDRZ1R0ML1, IHLP-5050FD-L1 1 20% R95
79365402
| Номинальная индуктивность, мкГн | 1 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |
| Типоразмер | 5050 |
| Длина, мм | 13,7 |
| Ширина, мм | 12,9 |
| Особенности | высокоточные |
IHLP5050FDRZ1R5ML1, IHLP-5050FD-L1 1.5 20% R95
1645449343
| Номинальная индуктивность, мкГн | 1,5 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |
| Типоразмер | 5050 |
| Длина, мм | 13,7 |
| Ширина, мм | 12,9 |
| Активное сопротивление, Ом | 15 |
| Покзать параметры | |
| Особенности | высокоточные |
IHLP5050FDRZ2R2ML1, IHLP-5050FD-L1 2.2 20% R95
1083434012
| Номинальная индуктивность, мкГн | 2,2 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |
| Типоразмер | 5050 |
| Длина, мм | 13,7 |
| Ширина, мм | 12,9 |
| Особенности | высокоточные |
IHLP5050FDRZ3R3ML1, IHLP-5050FD-L1 3.3 20% R95
482649929
| Номинальная индуктивность, мкГн | 3,3 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |
| Типоразмер | 5050 |
| Длина, мм | 13,7 |
| Ширина, мм | 12,9 |
| Особенности | высокоточные |
IHLP5050FDRZ4R7ML1, IHLP-5050FD-L1 4.7 20% R95
1533772706
| Номинальная индуктивность, мкГн | 4,7 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |
| Типоразмер | 5050 |
| Длина, мм | 13,7 |
| Ширина, мм | 12,9 |
| Особенности | высокоточные |
IHLP5050FDRZ5R6ML1, SMD индуктивность
32311235
| Номинальная индуктивность, мкГн | 5,6 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |
| Типоразмер | 5050 |
| Длина, мм | 13,7 |
| Ширина, мм | 12,9 |
| Особенности | высокоточные |
IHLP5050FDRZ6R8ML1, IHLP-5050FD-L1 6.8 20% R95
1890003065
| Номинальная индуктивность, мкГн | 6,8 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |
| Типоразмер | 5050 |
| Длина, мм | 13,7 |
| Ширина, мм | 12,9 |
| Особенности | высокоточные |
IHLP5050FDRZ8R2ML1, IHLP-5050FD-L1 8.2 20% R95
323919124
| Номинальная индуктивность, мкГн | 8,2 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |
| Типоразмер | 5050 |
| Длина, мм | 13,7 |
| Ширина, мм | 12,9 |
| Особенности | высокоточные |
IHLP6767DZER100M01, Ind High Current Shielded Wirewound 10 мкГн 20% 100кГц 10.5A 6767
T/R
1751955830
| Номинальная индуктивность, мкГн | 10 |
| Максимальный постоянный ток, мА | 5 000 |
| Типоразмер | 6767DZ |
IHLP6767DZER1R0M01, Inductor Power Shielded Wirewound 1 мкГн 20% 100кГц Powdered Iron
31.5A
992440943
| Номинальная индуктивность, мкГн | 1 |
| Максимальный постоянный ток, мА | 31 500 |
| Типоразмер | 6767DZ |
IHLP6767DZER2R2M01, Ind High Current Shielded Wirewound 2.2 мкГн 20% 100кГц 19A 6767
T/R
573642998
| Номинальная индуктивность, мкГн | 2,2 |
| Максимальный постоянный ток, мА | 19 000 |
| Типоразмер | 6767DZ |
IHLP6767DZER5R6M01, Ind High Current Shielded Wirewound 5.6 мкГн 20% 100кГц 14A 6767
976927525
| Номинальная индуктивность, мкГн | 5,6 |
| Максимальный постоянный ток, мА | 14 000 |
| Типоразмер | 6767DZ |
IHLP6767DZER5R6M11, Power Choke Shielded Wirewound 5.6 мкГн 20% 100кГц Powdered Iron
15A 0.0122Ohm D
1609474351
| Номинальная индуктивность, мкГн | 5,6 |
| Максимальный постоянный ток, мА | 15 000 |
| Типоразмер | 6767DZ |
IHLP6767DZERR47M01, Inductor Power Shielded Wirewound 470 нГн 20% 100кГц Powdered
Iron 49A
561275835
| Номинальная индуктивность, мкГн | 0,47 |
| Максимальный постоянный ток, мА | 49 000 |
| Типоразмер | 6767DZ |
IHLP6767DZERR68M01, SMD индуктивность 0.68 мкГн 20% 100кГц 41A
1488521170
| Номинальная индуктивность, мкГн | 0,68 |
| Допуск номинальной индуктивности,% | 20 |
| Максимальный постоянный ток, мА | 41 000 |
| Типоразмер | 17.2x17.2 |
| Длина, мм | 17,2 |
| Ширина, мм | 17,2 |
| Покзать параметры | |
| Серия | IHLP |
| Рабочая температура, С | -55...125 |
