Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
драйверы для IGBT модулей
Силовые IGBTи SiC модули
диодно-тиристорные модули
твердотельные ВЧ модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
Полупроводниковые модули
Силовые IGBTи SiC модули
Скрыть подбор по параметрам
Тип силового модуля
Макс.напр.к-э,В
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
Защита от перегрева
Структура модуля
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
Максимальная частота модуляции,кГц
Входная емкость затвора,нФ
Драйвер управления
Защита по току
Защита от короткого замыкания
Защита от пониженного напряжения питания
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
Максимальный ток эмиттера, А
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
Напряжение изоляции, В
Напряжение эмиттер-коллектор,В
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс
Мощность привода, кВт
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
DFS26HH12EYQ1, SiC модуль 1200В 75A H-Bridge E0
700840484
Тип силового модуля SiC модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Структура модуля полумост
DFS36FB12EYQ1, SiC модуль 1200В 25A 3-фазный E0
1460355371
Тип силового модуля SiC модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1 200
Структура модуля 3-фазный мост
DFS600HF17I3C2, SiC модуль 1700V 600A полумост ED3S
1883842866
Тип силового модуля SiC модуль
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Структура модуля полумост
DFS800HF12I5W3, SiC модуль 1200В 800A полумост ED3H
1651609542
Тип силового модуля SiC модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
Структура модуля полумост
GD100HFX170C1S, IGBTмодуль, Low Loss, замена для SKM100GB17E4, аналог CM100DY-34A, SKM145GB176D
1599205267
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
GD100HFY120C1S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, 1200 V, аналог для CM100DY-24T
1580016771
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
GD1200SGX170A3S, Trench FS IGBT модуль, Low Loss, 1700V
1107409713
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1 200
Структура модуля одиночный транзистор
GD150HFL120C8S, IGBT , Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1071
2016032375
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
GD150HFY120C1S, Advanced Trench FS IGBT, =SKM145GB128D-CASED61, CM150DY-24T
1955435628
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
GD150HFY120C6S, Силовой модуль, 1200В 150A, аналог CM150DX-24S
1258595301
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Структура модуля одиночный транзистор
GD2400SGX170A4S, IGBT - Модуль, 1700V, 2400A, аналог для CM2400HCB-34N
115999019
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 2 400
Структура модуля одиночный транзистор
GD300HFX120C2S_B36, GD300HFX120C2S_B36, 1200V/300A 2 in one-package, аналог CM300DY-24A
985157146
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Структура модуля полумост
GD300HFX170C6S, GD300HFX170C6S, Trench FS IGBT, Low Loss , аналог для позиции CM300DX-34T, CM300DX-3
1531948131
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Структура модуля полумост
GD300HFX170C6SA, IGBT модуль, =CM300DX-34T, CM300DX-34T#310G, CM300DX-34T#311G, GD300HFX170C6S
563878929
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
GD450HFY120C6S, Силовой модуль, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, 1200V 450A 2 in one-package, анал
1823245045
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Структура модуля полумост
GD50FFX170C5SA, IGBT, 1700V/50A 6 in one-package, аналог для GD50FFT170C5S
1338872686
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Структура модуля полумост
GD600HFY120C6S, Силовой модуль, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, 1200V 600A 2 in one-package, CM60
1470287897
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
GD650HFX170P1S, IGBT модуль 1.7кВ, 1.073KA аналог для FF650R17IE4D_B2 , 2MBI650XXA170-50
956067294
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 650
Структура модуля полумост
GD800HFX170A3S, IGBT модуль 800A, 1700В, полумост, материал подложки - AlSiC, max рабочая температ
448651084
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
Структура модуля одиночный транзистор
GD900HFX120P1SA, IGBT модуль 1200В 900А, 5240 Вт
1348822201
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 900
Мощность привода, кВт 5,24
LG200HF060T1VH, E2A IGBT модуль замена Semikron = SKM195GB066D
1348312098
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт 780
Максимальный ток эмиттера, А 200
MG150HF12TLC1, IGBT модуль, 1200В, 150А, 968Вт (C1) = GD150HFY120C1S, SKM145GB128D-CASED61, CM150DY-
1966199318
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
MG300HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 300А, 1700Вт [C2] = MG300HF12MIC2 = CM300DY-24A Mitsubishi = SKM3
1118914396
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Структура модуля полумост
MG450HF12TFC2, IGBT модуль, 1200В, 450А, 2307Вт [C2] =GD400HFF120C2S
458674419
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Структура модуля полумост
PM100CLS120, модуль 6 IGBT 1200В 100A 5 поколение L серия
1633011203
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,9
Покзать параметры
PM100CVA120, модуль 6 IGBT 1200В 100A 3 поколение В серия
1110195527
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,35
Покзать параметры
PM200DV1A120, IGBT модуль 1200В 200A V1 серия
347695603
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Защита от перегрева есть
PM25RL1A120#300G, IGBT модуль 350G 7 IGBT 1200В 25A 5 поколение L1 серия
520770359
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
Защита от перегрева есть
PM25RL1C120#300G, модуль 7 IGBT 1200В 25A 5 поколение L1 серия
692004833
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
PM450CLA120, модуль 6 IGBT 1200В 450A 5 поколение L серия
2118829997
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,9
Покзать параметры
PM50CL1B120#300G, модуль IPM L1-Series
542761916
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Защита от перегрева есть
PM50RL1A120#300G, модуль 7 IGBT 1200В 50A 5 поколение L1 серия (замена pin-to-pin версии с суффиксо
1565845534
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
PM50RL1B120#350G, IGBT модуль 350G 1200В 50A 5 поколение L1 серия
441173869
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Защита от перегрева есть
PM50RVA120, IPM модуль 7 IGBT 1200В 50A 3 поколение В серия
1038393767
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,65
Покзать параметры
PM75CVA120, IPM модуль 6 IGBT 1200В 75A 3 поколение В серия
116369886
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,65
Покзать параметры
PM75RL1A120#300G, модуль 7 IGBT 1200В 75A 5 поколение L1 серия
196552498
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
PS11032, IGBT модуль 0.2кВт 220В 1/3 фаз
1237619254
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 220
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 4
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+3ф мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,9
Покзать параметры
PS12015-A, IGBT модуль 1.5кВт 400В
1836805886
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 5
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 3,6
Покзать параметры
PS12034, модуль 6 IGBT 1200В 10A
1701726862
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 10
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+3ф мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 3,6
Покзать параметры
PS21A7A, IGBT модуль 4 версия 600В 75А
1463094950
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
PSS35SA2FT, транзистор DIPIPM Ver. 6, Large DIP 1200V
1804365370
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1 200
TIM2400ESM17-TSA000, IGBT модуль 1700В 2400A = CM2400HCB-34N
833817263
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 2 400
Защита от перегрева нет
BSM50GX120DN2BOSA1
763181590
BSM75GB120DN2, AG-34MM
1614983058
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 105
CM100TX-24S, Module
1286458852
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
CM150DX-34SA, Module
629184255
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
CM150DY-24A, Module
817392473
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,1
Покзать параметры
CM600DY-12NF, Module
1036378632
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,7
Покзать параметры
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.