Силовые IGBTи SiC модули
DFS20HF12EYQ1, SiC модуль 1200В 95A полумост E0
1268527983
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Структура модуля | полумост |
DFS20HH12EZQ1, SiC модуль 1200В 100A H-Bridge E2
845040488
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Структура модуля | H-мост |
DFS26HF12EYQ1, SiC модуль 1200В 77A полумост E0
297555958
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Структура модуля | полумост |
DFS300CU12I3C1, SiC модуль 1200В 300A Boost ED3S
1863639899
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
| Структура модуля | Boost |
DFS300HF12I3C2, SiC модуль 1200В 300A полумост ED3S
845040489
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
| Структура модуля | полумост |
DFS300X2CU12I3B2, SiC модуль 1200В 300A Dual Boost ED3S
1651609543
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
| Структура модуля | Dual Boost |
DFS300X2CU12I3B3, SiC модуль 1200В 300A Dual Boost ED3S
865243456
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
| Структура модуля | Dual Boost |
DFS400CU12I3C1, SiC модуль 1200В 400A Boost ED3S
2028042870
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Структура модуля | полумост |
DFS400HF12I3C2, SiC модуль 1200В 400A полумост ED3S
1248325016
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Структура модуля | полумост |
DFS400HF12I5B3, SiC модуль 1200В 400A полумост ED3H
317758926
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Структура модуля | полумост |
DFS400HF12I5W3, SiC модуль 1200В 400A полумост ED3H
85525601
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Структура модуля | полумост |
DFS400HF17I3C1, SiC модуль 1700V 400A полумост ED3S
2007839903
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Структура модуля | полумост |
DFS40CU12F0Q1, SiC модуль 1200В 50A Dual Boost F0
1460355372
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Структура модуля | Dual Boost |
DFS40HF12EYQ1, SiC модуль 1200В 55A полумост E0
105728569
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Структура модуля | полумост |
DFS40HH12EYQ1, SiC модуль 1200В 50A H-Bridge E0
2028042871
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Структура модуля | H-мост |
DFS500CU12I3C1, SiC модуль 1200В 500A Boost ED3S
700840485
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Структура модуля | Boost |
DFS500HF12I3C2, SiC модуль 1200В 500A полумост ED3S
317758925
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Структура модуля | полумост |
DFS600HF12I3C2, SiC модуль 1200В 600A полумост ED3S
85525602
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Структура модуля | полумост |
DFS600HF12I5B3, SiC модуль 1200В 600A полумост ED3H
1480558340
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Структура модуля | полумост |
DFS600HF12I5W3, SiC модуль 1200В 600A полумост ED3H
1077273813
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Структура модуля | полумост |
DFS800HF1215W3, SiC модуль 1200В 800A полумост ED3H
721043452
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 800 |
| Структура модуля | полумост |
DFS80FB12EYQ1, SiC модуль 1200В 25A 3-фазный E0
105728570
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
DG100X07T2, Trench FS IGBT, Low Loss
1107409711
| Макс.напр.к-э,В | 650 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
DG10X06T1, Trench FS IGBT, Low Loss
966247202
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 10 |
DG10X12T2, Advanced Trench FS Fast IGBT
1762636153
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 10 |
DG15X06T1, Trench FS IGBT, Low Loss
956067099
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 15 |
DG15X12T2, Trench FS IGBT, Low Loss
1772816256
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 15 |
DG20X06T1, Trench FS IGBT, Low Loss
206732315
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 20 |
DG20X06T2, Trench FS IGBT, Low Loss
1359351626
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 20 |
DG25X12T2, Trench FS IGBT, Low Loss
1725762089
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 25 |
DG30X06T2, Trench FS IGBT, Low Loss
159678148
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 30 |
DG30X07T2, Trench FS IGBT, Low Loss
1621473643
| Макс.напр.к-э,В | 650 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 30 |
DG40Q12T2LZ, Advanced Trench FS Fast IGBT
458674229
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 40 |
DG40X12T2, Trench FS IGBT, Low Loss
1107409712
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 40 |
DG50Q12T2, Advanced Trench FS Fast IGBT
1218189116
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
DG50X06T2, Trench FS IGBT, Low Loss
347894825
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
DG50X07T2, Trench FS IGBT, Low Loss
1913978766
| Макс.напр.к-э,В | 650 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
DG50X12T2, Trench FS IGBT, Low Loss
1510694239
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
DG50X12T3, Trench FS IGBT, Low Loss
1265243283
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
DG75Q12T2, Advanced Trench FS Fast IGBT
300840658
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
DG75X07T2L, Trench FS IGBT, Low Loss
55389703
| Макс.напр.к-э,В | 650 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
DG75X12T2, Trench FS IGBT, Low Loss
458674230
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
DG75X12T3, Trench FS IGBT, Low Loss
1621473644
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
FF1200R17KE3, модуль IGBT 1700В 1200A = CM1200DC-34N,2MBI1200VT-170E
227978951
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Защита от перегрева | нет |
FF1200R17KP4_B2, IGBT модуль 1200А 1700В
1964913905
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
FF1400R17IP4, IGBT модуль 1400А 1700В 2010г
1955144171
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 400 |
