Силовые IGBTи SiC модули
CM75RL-12NF, модуль 7 IGBT 600В 75A 5 поколение NF серия
1906478207
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,7 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 11,3 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 450 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 150 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,7 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 100 |
CM75RL-24NF, модуль 7 IGBT 1200В 75A 5 поколение NF серия
807229161
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 11,5 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 520 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 150 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM75RX-24S, модуль 7 IGBT 75A 1200В серия NX6
1014493754
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
CM75TJ-24F, модуль 6 IGBT RTC 1200В 70A 4 поколение F серия
716324787
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 70 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 29 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 140 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM75TL-12NF, модуль 6 IGBT 600В 75A 5 поколение NF серия
2065536179
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,7 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 11,3 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 430 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 150 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,7 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 100 |
CM75TL-24NF, модуль 6 IGBT 1200В 75A 5 поколение NF серия
230030775
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 11 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 520 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 150 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,1 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 50 |
CM75TU-12F, модуль 6 IGBT RTC 600В 75A 4 поколение F серия
864174431
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,6 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 20 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 290 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 150 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM75TU-24F, модуль 6 IGBT RTC 1200В 75A 4 поколение F серия
971176888
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 29 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 450 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 150 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,8 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 50 |
CM75TX-24S, модуль 6 IGBT 75A 1200В NX6
1573861446
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
CM800DZ-34H#301, модуль 2 IGBT 1700В 800A
2077409577
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 800 |
CM800DZ-34H#301, модуль 2 IGBT 1700В 800A
280105170
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 800 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,6 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 72 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 6 250 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1600 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 5,5 |
| Напряжение изоляции, В | 4000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,3 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1300 |
CM800E4C-66H, IGBT модуль 1200В 75A
1260944752
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | чоппер с диодом |
| Драйвер управления | внешний |
| Покзать параметры | |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 150 |
CM800HA-24H, модуль 1 IGBT 1200В 800A 3 поколение H серия
1597525623
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 800 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,7 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 25 |
| Входная емкость затвора,нФ | 180 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 4 800 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1600 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,7 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1200 |
CM800HA-34H, модуль 1 IGBT 1700В 800A
143876509
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 800 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,75 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 93 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 9 200 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1600 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 5,5 |
| Напряжение изоляции, В | 4000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,4 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1500 |
CM800HA-50H, модуль 1 IGBT 2500В 800A
42874691
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 2500 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 800 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 3,2 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 80 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 6 900 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1600 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 6000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,2 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 2000 |
CM800HA-66H, модуль 1 IGBT 3300В 800A
846412818
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 3300 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 800 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 4,4 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 80 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 6 900 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1600 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 6000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,3 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 2000 |
CM800HB-50H, модуль 1 IGBT 2500В 800A
1252371947
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 2500 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 800 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 120 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 6 900 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1600 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 6000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,85 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 2000 |
CM800HB-66H, модуль 1 IGBT 3300В 800A
1466269450
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 3300 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 800 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 3,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 120 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 10 400 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1600 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 6000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,8 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 2000 |
CM800HC-66H, модуль 1 IGBT 3300В 800A
1128024863
| Макс.напр.к-э,В | 3300 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 800 |
CM900HB-90H, модуль 1 IGBT 4500В 900A
1213226912
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 4500 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 900 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 3 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 162 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 10 000 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1800 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 6000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 2400 |
CM900HG-130X, Модуль HVIGBT 900А 6500В
1944699419
| Макс.напр.к-э,В | 6500 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 900 |
CM900HG-90H, модуль 1 IGBT 4500В 900A
1397848212
| Макс.напр.к-э,В | 4500 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 900 |
CP15TD1-24A, IGBT модуль 15A 1200В
36238137
| Тип силового модуля | CIB интеллектуальный модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 15 |
| Защита от перегрева | нет |
CPV362M4K, IGBT модуль 600В 5.7А 8 60кГц IMS2
838377401
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 5,7 |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 30 |
| Входная емкость затвора,нФ | 0,45 |
| Покзать параметры | |
| Драйвер управления | внешний |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 23 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 11 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,98 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 51 |
CPV363M4F, модуль 6 IGBT 600В 16А 5кГц
1890504073
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 8,7 |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 10 |
| Входная емкость затвора,нФ | 1,1 |
| Покзать параметры | |
| Драйвер управления | внешний |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 36 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 50 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,63 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 16 |
CPV363M4U, модуль 6 IGBT 600В 13А 20кГц
1796392570
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 13 |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 30 |
| Входная емкость затвора,нФ | 1,1 |
| Покзать параметры | |
| Драйвер управления | внешний |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 36 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 40 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 16 |
DFH50CU12F0H1, SiC/Si гибридный модуль 1200В 75A Dual Boost F0
1268527984
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Структура модуля | Dual Boost |
DFI450HF12I4ME2, IGBT модуль 1200В 450A полумост ED3
700840487
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 450 |
| Структура модуля | полумост |
DFI600HF17I4RE1P, IGBT модуль 1700V 600A полумост press-fit
2075097038
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Структура модуля | полумост |
DFS02FB12HDW1, SiC модуль 1200В 800A 3-фазный HPD SIC
1248325002
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 800 |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Серия | HPD |
DFS03FB12HDB1, SiC модуль 1200В 600A 3-фазный HPD SIC
1480558353
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Серия | HPD |
DFS03FB12HDW1, SiC модуль 1200В 600A 3-фазный HPD SIC
85525588
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Серия | HPD |
DFS04FB12HDB1, SiC модуль 1200В 400A 3-фазный HPD SIC
1651609529
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Серия | HPD |
DFS04FB12HDW1, SiC модуль 1200В 400A 3-фазный HPD SIC
1077273826
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Серия | HPD |
DFS06HF12EZC1, SiC модуль 1200В 200A полумост E2
2007839902
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Структура модуля | полумост |
DFS09CU12EYQ1, SiC модуль 1200В 150A Boost E0
297555957
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Структура модуля | Boost |
DFS09HF12EYC1, SiC модуль 1200В 100A полумост E0
2075097037
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Структура модуля | полумост |
DFS09HF12EYQ1, SiC модуль 1200В 150A полумост E0
865243457
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Структура модуля | полумост |
DFS10HF12EZC1, SiC модуль 1200В 160A полумост E2
721043453
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 160 |
| Структура модуля | полумост |
DFS10HH12EZC1, SiC модуль 1200В 160A H-Bridge E2
1248325015
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 160 |
| Структура модуля | H-мост |
DFS12HF12EYQ1, SiC модуль 1200В 100A полумост E0
509013096
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Структура модуля | полумост |
DFS200X2CU12I3B2, SiC модуль 1200В 200A Dual Boost ED3S
1480558339
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Структура модуля | Dual Boost |
DFS200X2CU12I3B3, SiC модуль 1200В 200A Dual Boost ED3S
1077273812
| Тип силового модуля | SiC модуль |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Структура модуля | Dual Boost |
