Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
драйверы для IGBT модулей
Силовые IGBTи SiC модули
диодно-тиристорные модули
твердотельные ВЧ модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
Полупроводниковые модули
Силовые IGBTи SiC модули
Скрыть подбор по параметрам
Тип силового модуля
Макс.напр.к-э,В
Номинальный ток одиночного тр-ра,А
Защита от перегрева
Структура модуля
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В
Максимальная частота модуляции,кГц
Входная емкость затвора,нФ
Драйвер управления
Защита по току
Защита от короткого замыкания
Защита от пониженного напряжения питания
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт
Максимальный ток эмиттера, А
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В
Напряжение изоляции, В
Напряжение эмиттер-коллектор,В
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс
Мощность привода, кВт
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
BSM50GB120DLC, IGBT модуль 2 IGBT полумост 1200В 50A
421293852
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Защита от перегрева нет
XN44272L, DriVer IC SOT23 Single channel
398317371
Макс.напр.к-э,В 25
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1,5
CM1000DXL-24S, модуль 2 IGBT 1000А 1200В поколение NX6
1291908113
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 900
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
XNS10S12FT, IPM IGBT 1200V 10A DIP29
1665159441
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1200
CM100MXA-24S, IGBT модуль CIB 100A 1200В NX6
106449928
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+3ф мост
CM1200DB-34N, модуль 2 IGBT 1700В 1200A замена CM1200DC-34N
2006179188
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1 200
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,15
Покзать параметры
CM150DX-34SA, модуль 6 IGBT 150А 1700В поколение NX6
1510233101
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
CM150DY-24T#300G, IGBT модуль T серии стандартного типа 1200В
442751872
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
CM200DY-24A модуль, 2 IGBT 1200В 200A 5 поколение A серия
1047590193
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
CM300DY-13T#300G, IGBT модуль T-Series STD-Type
246612001
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 650
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
CM400DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 400A 5 поколение NF серия
2112688696
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 400
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,7
Покзать параметры
CM400DY-34T#300G, IGBT модуль T серия STD типа
1373065059
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 400
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
CM400HA-24A#300G, модуль 1 IGBT 1200В 400A 5 поколение A серия
481200590
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 400
Защита от перегрева нет
Структура модуля одиночный транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,1
Покзать параметры
CM400ST-24S1, IGBT модуль 400А 1200В
916851766
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 400
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост
CM450DX-24S, модуль 2 IGBT 450A 1200В серия NX6
988081695
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
CM450DX-34T#310G, IGBT модуль 1700В 450А T серия NX типа
156695919
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
CM450HA-5F, модуль 1 IGBT RTC 250В 450A 4 поколение F серия
67675506
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 250
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Защита от перегрева нет
Структура модуля одиночный транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,2
Покзать параметры
CM600DU-24NFH, модуль 2 IGBT 1200В 600A 50кГц NFH серия
1026708137
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 5
Покзать параметры
CM75DY-34A, модуль 2 IGBT 1700В 75A 5 поколение A серия
2119437889
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,2
Покзать параметры
CM75E3U-12H, модуль 3 IGBT 600В 75А 3 поколение U серия
1361874400
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева нет
Структура модуля одиночный транзистор
CM800DU-12H, IGBT U-Series модуль 800А 600В
649407139
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
Защита от перегрева нет
CM800DX-24T1, IGBT модуль 800А 1200В T1 серия NX типа
1415527552
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
CM900DUC-24S, IGBT модуль Ic (nom): 900 А; Vce (max): 1200 В
1542403980
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 900
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
CP25TD1-24A, DIP-CIB модуль 25А 1200В
517741008
Тип силового модуля CIB интеллектуальный модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
Защита от перегрева нет
CP30TD1-12A, IGBT модуль 30A 600В
805958894
Тип силового модуля CIB интеллектуальный модуль
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 30
Защита от перегрева нет
DFI100HF12DE1, Модули IGBT , 100 A 1200 V 34mm Half Bridge
619382984
DFI100HF17DE1, IGBT модуль, замена для SKM145GB176D-SEMITRANS2
756541224
DFI100PM12P4D1, IGBT модуль, 100 A 1200 V P4 Full Bridge
216098457
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
DFI150HF12DE1, Модуль IGBT, 150 A 1200 V 34mm Half Bridge
946700957
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
DFI150HF17DF1, Модули IGBT, 150 A, 1700 V 62mm, Half Bridge
1829752963
DFI200HF12DF1, Mодули IGBT , 200 A 1200 V 62mm Half Bridge
1378897869
DFI200HF17DF1, Модули IGBT, 200 A, 1700 V 62mm, Half Bridge
899130392
DFI300HF12DF1, Модули IGBT, 300 A, 1200 V 62mm, Half Bridge
1302414919
DFI300HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 300A полумост ED3
865243454
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Структура модуля полумост
DFI300HF17DF1, IGBT модуль, 1700V/300A Half Bridge 62 mm
1996610313
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Структура модуля полумост
DFI300HF17I4RE1, IGBT модуль, 300 A 1200 V ED3 Half Bridge, альтернатива для CM300DX-34T, CM300DX-34
139615505
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Структура модуля полумост
DFI450HF12DF1, Модули IGBT, 450 A, 1200 V 62mm, Half Bridge
263669022
DFI450HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 450A полумост ED3
1863639901
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Структура модуля полумост
DFI450HF17I4RE1, IGBT Модуль Half Bridge 1700В 450А
713872181
DFI450HF17I4RE1P, IGBT модуль 1700V 450A полумост press-fit
509013097
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Структура модуля полумост
DFI50PM12P4D1, IGBT модуль, 50 A 1200 V P4 Full Bridge
1349985484
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
DFI600HF17I4RE2, IGBT Модуль Half Bridge 1700В 600А, аналог для FF600R17ME4, = DFI600HF17I4RE1
357641820
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Структура модуля полумост
DFI600SU17DF1, Модули IGBT, 600 A, 1700 V 62mm, Single
1379414269
DFI75HF17DE1, Модули IGBT, 75 A 1700 V 34mm Half Bridge
187186072
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
DFI75PM12P4D1, IGBT модуль, 75 A 1200 V P4 Full Bridge
1782182398
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
DFS02FB12HDB1, SiC модуль 1200В 800A 3-фазный HPD SIC
317758939
Тип силового модуля SiC модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
Структура модуля 3-фазный мост
Серия HPD
DFS04HF12EZC1, SiC модуль 1200В 200A полумост E2
1883842867
Тип силового модуля SiC модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
Структура модуля полумост
DFS05HF12EYR1, SiC модуль 1200В 150A полумост E0
1863639898
Тип силового модуля SiC модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Структура модуля полумост
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.