Полупроводниковые модули
CM1000E3U-34NF, IGBT модуль 1700В 1000A 5 поколение NF серия
1139702260
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 000 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | чоппер с диодом |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Покзать параметры | |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 2000 |
| Напряжение изоляции, В | 4000 |
CM1000HA-24H, модуль 1 IGBT 1200В 1000A 3 поколение H серия
1800656470
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 000 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,5 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 25 |
| Входная емкость затвора,нФ | 20 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 5 800 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 2000 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,7 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1500 |
CM100DU-12F, модуль 2 IGBT RTC 600В 100A 4 поколение F серия
839986562
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,6 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 27 |
| Драйвер управления | VLA507 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 350 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM100DU-12H, модуль 2 IGBT 600В 100A 3 поколение U серия
540252036
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,4 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 8,8 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 400 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,6 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 250 |
CM100DU-24H, модуль 2 IGBT 1200В 100A 3 поколение U серия
1668344743
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,9 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 15 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 650 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,2 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 200 |
CM100DU-24NFH, модуль 2 IGBT 1200В 100А NFH серия
53625151
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 5 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 60 |
| Входная емкость затвора,нФ | 16 |
| Драйвер управления | VLA513 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 560 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 5 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 100 |
CM100DU-34KA, модуль 2 IGBT 1700В 100A KA серия
1466314136
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 3,2 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 14 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 890 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 5,5 |
| Напряжение изоляции, В | 3500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 4,6 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 150 |
CM100DUS-12F, модуль 2 IGBT 600В 100A 50кГц NFH серия
1241122162
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 60 |
| Входная емкость затвора,нФ | 27 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM100DY-13T, IGBT модуль T серия STD типа 650В 100А, pin to pin замена CM100DY-12H
185875127
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 650 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Структура модуля | полумост |
CM100DY-24A, модуль 2 IGBT 1200В 100A 5 поколение A серия, замена CM100DU-24F
1292554233
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 17,5 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 672 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 70 |
CM100DY-24NF, модуль 2 IGBT 1200В 100A 5 поколение NF серия (замена CM100DY-24A)
1234314712
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 23 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 650 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,8 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 80 |
CM100DY-24T#300G, модуль IGBT T-Series STD-Type 1200V
39467345
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Структура модуля | полумост |
CM100DY-28H, модуль 2 IGBT 1400В 100A 3 поколение H серия
966397199
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1400 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 3,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 25 |
| Входная емкость затвора,нФ | 20 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 780 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6,5 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 400 |
CM100DY-34A, модуль 2 IGBT 1700В 100A 5 поколение A серия
884006376
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,2 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 24,7 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 960 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 3500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 150 |
CM100DY-34T, IGBT модуль T серии стандартного типа 1700В
2123148366
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Структура модуля | полумост |
CM100E3U-12F, IGBT модуль RTC 600В 100A 4 поколение F серия
240761785
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | чоппер с диодом |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,6 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 27 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 350 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,6 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 80 |
CM100E3U-12H, IGBT модуль 600В 100A 3 поколение U серия
183709986
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | чоппер с диодом |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,4 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 8,8 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 400 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,6 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 250 |
CM100E3U-24F, IGBT модуль RTC 1200В 100A 4 поколение F серия
1067577040
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | чоппер с диодом |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 39 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 500 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,9 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 100 |
CM100E3U-24H, IGBT модуль 1200В 100A 3 поколение U серия
674002247
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | чоппер с диодом |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,9 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 15 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 650 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,2 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 200 |
CM100MX-12A, IGBT модуль 3 100A 600В NX5
1231020881
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
CM100RL-12NF, модуль 7 IGBT 600В 100A 5 поколение NF серия
1114262470
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,7 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 15 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 540 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,7 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 100 |
CM100RL-24NF, модуль 7 IGBT 1200В 100A 5 поколение NF серия
1983868144
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 17,5 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 620 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,7 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 70 |
CM100RX-24S, модуль 7 IGBT 100A 1200В NX6
2067500031
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
CM100TF-24H, модуль 6 IGBT 1200В 100A 3 поколение H серия
1083435145
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,5 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 25 |
| Входная емкость затвора,нФ | 20 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 780 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,25 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 350 |
CM100TF-28H, модуль 6 IGBT 1400В 100A 3 поколение H серия
1269880711
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1400 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 3,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 25 |
| Входная емкость затвора,нФ | 20 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 780 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6,5 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 400 |
CM100TJ-12F, модуль 6 IGBT RTC 600В 100A 4 поколение F серия
825908139
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,6 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 27 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 290 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,6 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 80 |
CM100TJ-24F, модуль 6 IGBT RTC 1200В 100A 4 поколение F серия
1561726750
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 39 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 390 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 3,3 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 50 |
CM100TL-12NF, модуль 6 IGBT 600В 100A 5 поколение NF серия
1811206634
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,7 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 15 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 540 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,7 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 100 |
CM100TL-24NF, модуль 6 IGBT 1200В 100A 5 поколение NF серия
388069477
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 17,5 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 620 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,1 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 75 |
CM100TU-12F, модуль 6 IGBT RTC 600В 100A 4 поколение F серия
250534638
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,6 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 27 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 350 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM100TX-24S, модуль 6 IGBT 100A 1200В NX6
1920145524
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
CM10YE13-12H, IGBT модуль 3 10A 600В
1281922924
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 10 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Покзать параметры | |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 20 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM110YE4-12F, IGBT модуль 3 110A 600В
2115596364
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 110 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-ф.мост (12 транз.)+чоппер с диодом |
| Драйвер управления | внешний |
| Покзать параметры | |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальный ток эмиттера, А | 220 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
CM1200DA-34X, модуль IGBT 1700V 1200A
1395730823
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
CM1200DC-34N, модуль 2 IGBT 1700В 1200A
240231365
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
CM1200DC-34N, модуль 2 IGBT 1700В 1200A
2070002400
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,15 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 176 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 6 500 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 2400 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 4000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,6 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 400 |
CM1200E4C-34N, IGBT модуль 1700В 1200A
1426962945
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | чоппер с диодом |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,15 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 176 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 6 500 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 2400 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 4000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,6 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 400 |
CM1200HA-34H, модуль 1 HV-IGBTна 1700В 1200A
2059842357
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,75 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 140 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 13 800 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 2400 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 5,5 |
| Напряжение изоляции, В | 4000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,4 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1500 |
CM1200HB-50H, модуль 1 IGBT 2500В 1200A
2098066424
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 2500 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 180 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 15 600 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 2400 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 6000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,5 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 2000 |
CM1200HC-50H, модуль 1 IGBT 4500В 1200A
993526731
| Макс.напр.к-э,В | 4500 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
CM1200HC-66H, модуль 1 IGBT 3300В 1200A
1179475961
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 3300 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 3,3 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 180 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 14 700 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 2400 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 6000 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,8 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
CM1200HCB-34N, модуль 1 IGBT 1700В 1200А
1194659276
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
CM1200HG-66H, модуль 1 IGBT 3300В 1200A
1122464680
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 3300 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | одиночный транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 3,3 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Входная емкость затвора,нФ | 180 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 12 500 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 2400 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 10200 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,8 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
CM1400DUC-24NF, модуль IGBT MPD, 5th gen. на 1200 Вольт
2145489588
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
