Полупроводниковые модули
MG300HF12LEC2, IGBT модуль, 1200B, 300A, 2000Вт (C2)
764475816
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
MG300HF12TFC2, IGBT модуль, 1200B, 300A, 1700Вт (C2) = SKM300GB12T4
361191289
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
MG35P12P3, IGBT модуль, 1200В, 35A, 215Вт (P3) = FP35R12W2T4 (Infineon) = 7MBR35VKD120-50
(FUJI)
2014240599
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 35 |
MG400HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 450А [C2] = MG400HF12MIC2
43885018
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
MG40HF12LEC1, IGBT модуль, 1200В, 40А, 312Вт (C1)
714642756
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 40 |
MG40P12E1, IGBT модуль, 1200В, 40A, 227Вт (E1) = Infineon FP40R12KT3/E3 = FUJI 7MBR35VA120-50
851441185
MG450HF12LVC2, IGBT модуль, 1200В, 450A (C2) = Infineon FF450R12KT4 = FUJI 2MBI450VH-120-50
1877442170
MG450HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 450А, 2307Вт [C2] = FF400R12KE4 = GD450HFY120C2S
1265243488
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 450 |
MG50HF12LEC1, IGBT модуль, 1200В, 50A, 400Вт (C1) = Infineon FF50R12RT4 = FUJI 2MBI50VA-120-50
401102491
MG50P12E1A, IGBT модуль, 1200В, 50A, 288Вт (E1A) = Infineon FP50R12KT4 = FUJI 7MBR50VM120-50
= GD50F
1967186432
MG50P12E2, IGBT модуль, 1200В, 50A, 288Вт (E2) = Infineon FP50R12KT4G; = FUJI 7MBR50VN120-50
44872128
MG50P12E2A, IGBT модуль, 1200В, 50A, 288Вт (E2) = Infineon FP50R12KT3/E3 = FUJI 7MBR50VB120-50
1610956069
MG75HF12LEC1, IGBT модуль, 1200В, 75A, 657 Вт (C1) =а Infineon FF75R12RT4; = FUJI
2MBI75VA-120-50
1117927286
MG75P12E2, IGBT модуль, 1200В, 75A, 476Вт (E2) = Infineon FP75R12KT4; = FUJI 7MBR75VN120-50
448156655
PM150RL1A120, модуль 7 IGBT 1200В 150A 5 поколение L1 серия
536189149
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
SLIMDIP-L#500, DIPIPM модуль на 600В
2021046683
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 15 |
TIM750ASM65-PSA011, IGBT модуль 750А 6500В
1342131067
| Макс.напр.к-э,В | 6500 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 750 |
XNS25S12FT, IPM, замена для PSS10S72FT , PSS25S73FT
299817269
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
XNS50S12E6, IPM IGBT 600V 50A DIP29
804888003
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
YMIBD800-17, IGBT модуль замена TIM800DDM17-PSA000
522562772
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 800 |
2MBI150U4A-120-50, IGBT модуль
1369902611
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
5SNG1000X170300, 1700V 2 x 1000A
845040474
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 000 |
7MBR10SA120, модуль 7 IGBT 1200В 10A S серия
198734055
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 10 |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
7MBR15SA120, модуль 7 IGBT 1200В 15A S серия
1578531304
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 15 |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
7MBR25SA-120-50, модуль 7 IGBT 1200В 25A
1875729060
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 25 |
7MBR25SA-120-50,7, IGBT модуль 1200В 25A
429059494
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 25 |
7MBR25SA120, модуль 7 IGBT 1200В 25A S серия
1059377777
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 25 |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
CM1000DU-34NF#301, IGBT модуль 1700В 1000A
361682058
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 000 |
CM1000DUC-34NF, модуль 2 IGBT 1700В 1000A 5 поколение NF серия
912670304
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 000 |
CM1000DUC-34SA, модуль 2 IGBT 1700В 1000A 6 поколение, замена CM1000DU-34NF
1440315045
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 000 |
