Полупроводниковые модули
CM450DX-34T, IGBT модуль 1700В 450А T серия NX типа
248189257
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 450 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
DFI600HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 600A полумост ED3
2028042868
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Структура модуля | полумост |
DGW40N120CTL, IGBT модуль, 1200B, 40A, 428Вт (TO-247)
1325852180
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 40 |
FF450R12ME4, IGBT модуль 1200В 450А =CM450DX-24T,GD450HFY120C6S
1712993486
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 450 |
GD100HFU120C1S, NPT Ultra Fast IGBT
1955435627
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
GD300HFY120C6S, IGBT модуль 1.2KV 480A 150DEG C 1.613KW, аналог CM300DX-24T, CM300DX-24T#330G
1531948130
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
GD75FFX170C6SA, IGBT модуль , 1700V/75A 6 in one-package
1437574998
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
GD900SGU120C3SN, NPT Ultra Fast IGBT (SIC Diode)
206732321
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 900 |
MG100HF12LEC1, IGBT модуль, 1200B, 100A (C1) = SKM100GB125DN = FF100R12RT4 = 2MBI100VA-120-50
1316881363
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
MG100HF12TFC1, IGBT модуль, 1200B, 100A, 441Вт (C1) =GD100HFF120C1S , SKM100GB12T4
1935225043
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
MG100HF12TLC1, IGBT модуль, 1200B, 100A, 785Вт (C1) = SKM100GB12T4
1927275230
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
MG100P12E2, IGBT модуль, 1200В, 100A (E2) = Infineon FP100R12KT4 = FUJI 7MBR100VN120-50
44872131
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
MG100TF12E2A, IGBT модуль, 1200В, 100А, 446Вт (E2A)
217255528
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
MG10P12E1, IGBT модуль, 1200В, 10А, 120Вт (E1)
2099680281
| Тип силового модуля | сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 10 |
MG10P12P2, IGBT модуль, 1200В, 10А, 140Вт (P2)
985433434
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 10 |
MG10P12P3, IGBT модуль, 1200В, 10А, 140Вт (P3)
299823904
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 10 |
MG150HF12LEC2, IGBT модуль, 1200В, 150А, 1136Вт [C2] = MG150HF12MRC2
1609968958
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
MG150HF12TFC1, IGBT модуль, 1200В, 150А, 968Вт (С1)
1230442158
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
MG15P12E1, IGBT модуль, 1200В, 15А, 142Вт (E1)
346878071
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 15 |
MG15P12P2, IGBT модуль, 1200В, 15А, 155Вт (P2)
1865907845
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 15 |
MG15P12P3, IGBT модуль, 1200В, 15А, 155Вт (P3)
1912962012
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 15 |
MG200HF12LEC2, IGBT модуль, 1200В, 200А, 1358Вт [C2]
1873590443
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
MG200HF12MIC2, IGBT модуль 200А 1200В
1004452320
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
MG25P12E1, IGBT модуль, 1200В, 25А, 166Вт (E1)
703108430
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 25 |
