Полупроводниковые модули
SKIIP23NAB126V1 [SKIIP23NAB126V1+StdLid], Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake
chopper + 3-фаз
1824729970
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 25 |
SKIIP35NAB126V1 Standard Lid, Модуль IGBT (3-фазный диодный мост + brake chopper +
3-фазный мостовой
337440767
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
SKM100GB125DN, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [D-93]
1187965487
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
SKM100GB12T4, Модуль IGBT, 2-транзистора, 1200В, 100А [SEMITRANS 2]
406261653
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
SKM200GB12E4, SEMITRANSR 3 (Case D56)
179991920
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
SKM200GB12T4, SEMITRANSR 3 (Case D56)
1148088129
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
CM1400DU-24NF, 2 IGBT 1200V 1400A 5-gen (NF-Series)
1153121678
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 400 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 220 |
| Драйвер управления | VLA500 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 3 900 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 2800 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,8 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 300 |
