Полупроводниковые модули
PS12015-A, IGBT модуль 1.5кВт 400В
1836805886
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 5 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 3,6 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | есть |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 500 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Мощность привода, кВт | 1,5 |
PS12034, модуль 6 IGBT 1200В 10A
1701726862
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 10 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-ф.выпр-ль+3ф мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 3,6 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | есть |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Мощность привода, кВт | 0,75 |
PS21A7A, IGBT модуль 4 версия 600В 75А
1463094950
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
PSS35SA2FT, транзистор DIPIPM Ver. 6, Large DIP 1200V
1804365370
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
TIM2400ESM17-TSA000, IGBT модуль 1700В 2400A = CM2400HCB-34N
833817263
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 2 400 |
| Защита от перегрева | нет |
CM150DY-24A, Module
817392473
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,1 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 23 |
| Драйвер управления | VLA504 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 960 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 7 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 2,1 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 100 |
CM600DY-12NF, Module
1036378632
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,7 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Входная емкость затвора,нФ | 90 |
| Драйвер управления | VLA500 |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 130 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1200 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В | 6 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Напряжение эмиттер-коллектор,В | 1,7 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 300 |
