Полупроводниковые модули
DFI600HF17I4RE2, IGBT Модуль Half Bridge 1700В 600А, аналог для FF600R17ME4, = DFI600HF17I4RE1357641820
GD100HFX170C1S, IGBTмодуль, Low Loss, замена для SKM100GB17E4, аналог CM100DY-34A,
SKM145GB176D1599205267
GD300HFX170C6S, GD300HFX170C6S, Trench FS IGBT, Low Loss , аналог для позиции CM300DX-34T,
CM300DX-31531948131
GD300HFX170C6SA, IGBT модуль, =CM300DX-34T, CM300DX-34T#310G, CM300DX-34T#311G, GD300HFX170C6S563878929
GD450HFY120C6S, Силовой модуль, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, 1200V 450A 2 in
one-package, анал1823245045
GD600HFY120C6S, Силовой модуль, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss, 1200V 600A 2 in
one-package, CM601470287897
GD800HFX170A3S, IGBT модуль 800A, 1700В, полумост, материал подложки - AlSiC, max
рабочая температ448651084
MG150HF12TLC1, IGBT модуль, 1200В, 150А, 968Вт (C1) = GD150HFY120C1S, SKM145GB128D-CASED61,
CM150DY-1966199318
MG300HF12TLC2, IGBT модуль, 1200В, 300А, 1700Вт [C2] = MG300HF12MIC2 = CM300DY-24A
Mitsubishi = SKM31118914396
