Полупроводниковые модули
L321F, диодно-тиристорный модуль 15A/120V
332785455
| Количество диодов | 2 |
| Количество тиристоров | 2 |
| Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В | 400 |
| Максимальный постоянный выходной ток, А | 15 |
| Максимальное напряжение изоляции U из.макс. | 2500 |
| Монтаж | пайка на плату |
| Покзать параметры | |
| Рабочая температура,С | -40...125 |
| Серия | L |
| Максимальное падение напряжения,В | 2,2 |
| при Iпр.,А | 15 |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс | 500 |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс | 100 |
M50100TB1600, силовой диодный мост 100A/600VAC 3х фазн.
1658096859
| Количество диодов | 6 |
| Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В | 1600 |
| Максимальный постоянный выходной ток, А | 100 |
| Максимальное напряжение изоляции U из.макс. | 2500 |
| Монтаж | навесной |
| Рабочая температура,С | -40...125 |
| Покзать параметры | |
| Серия | M50 |
| Максимальное падение напряжения,В | 1,2 |
| при Iпр.,А | 100 |
M50100THA1600, силовой диодный модуль -100A/600VAC 3х фазн.
1771729307
| Количество диодов | 3 |
| Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В | 1600 |
| Максимальный постоянный выходной ток, А | 100 |
| Максимальное напряжение изоляции U из.макс. | 2500 |
| Монтаж | навесной |
| Рабочая температура,С | -40...125 |
| Покзать параметры | |
| Серия | M50 |
| Максимальное падение напряжения,В | 1,2 |
| при Iпр.,А | 100 |
M50100THC1600, силовой диодный модуль +100A/600VAC 3х фазн.
1132040006
| Количество диодов | 3 |
| Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В | 1600 |
| Максимальный постоянный выходной ток, А | 100 |
| Максимальное напряжение изоляции U из.макс. | 2500 |
| Монтаж | навесной |
| Рабочая температура,С | -40...125 |
| Покзать параметры | |
| Серия | M50 |
| Максимальное падение напряжения,В | 1,2 |
| при Iпр.,А | 100 |
M505032, тиристорный модуль мост 50A/240V
1427537886
| Количество тиристоров | 4 |
| Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В | 600 |
| Максимальный постоянный выходной ток, А | 50 |
| Максимальное напряжение изоляции U из.макс. | 2500 |
| Монтаж | навесной |
| Рабочая температура,С | -40...125 |
| Покзать параметры | |
| Серия | M50 |
| Максимальное падение напряжения,В | 1,7 |
| при Iпр.,А | 50 |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс | 500 |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс | 100 |
M5060TB1000, силовой диодный мост 3х фазн. 60А 380VAC
2126559597
| Количество диодов | 6 |
| Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В | 1000 |
| Максимальный постоянный выходной ток, А | 60 |
| Максимальное напряжение изоляции U из.макс. | 2500 |
| Монтаж | навесной |
| Рабочая температура,С | -40...125 |
| Покзать параметры | |
| Серия | M50 |
| Максимальное падение напряжения,В | 1,35 |
| при Iпр.,А | 60 |
MD100C18D1, Выпрямительный диодный модуль 1800В 100А [D1]=SKKD81/12,A-10 Semikron
= SKKD81/18
442760673
MD100S12M2, стеклянный пассивированный 3-х фазный выпрямительный диодный мост, 1200В,
100А [M2]
1546810781
MD100S16M3, стеклянный пассивированный трёхфазный выпрямительный мост, 1600В, 100А
[M3] = SKD110/16;
876968996
MD100S16M4, [M4] 1600В 100А Выпрямительный диодный модуль (равноц. замена MSDM100-16;
Microsemi)
1675588422
