Полупроводниковые модули
XNS40S12E6, IPM IGBT 600V 40A DIP29
804888004
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 40 |
XNS50360AB(S), IPM IGBT 600V 3A DIP23(SOP)23
761195937
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 3 |
XNS50360AT(S), IPM IGBT 600V 3A DIP23(SOP)23
1967687418
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 3 |
XNS50660AB(S), IPM IGBT 600V 6A DIP23(SOP)23
401603477
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 6 |
XNS50660AT(S), IPM IGBT 600V 6A DIP23(SOP)23
1164480464
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 6 |
XNS50N120T, IGBT TO-247 1200V 50A
1564402891
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
XNS50N65TB3, IGBT TO-247 650V 50A
1117426297
| Макс.напр.к-э,В | 650 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
XNS60360AB, IPM IGBT 600V 3A DIPA23
761195938
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 3 |
XNS60660AB, IPM IGBT 600V 6A DIPA23
1967687417
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 6 |
XNS61060AB, IPM IGBT 600V 10A DIPA23
1164480465
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 10 |
XNS61560AB, IPM IGBT 600V 15A DIPA23
1564402890
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 15 |
XNS75N65TL3, IGBT TO-247 650V 75A
1567764992
| Макс.напр.к-э,В | 650 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
XNS80N65TSH3, IGBT TO-247 650V 80A
1117426298
| Макс.напр.к-э,В | 650 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 80 |
XNT15N120T, IGBT TO-220AB 1200V 15A
804888002
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
XNT15N60TI, IGBT TO-220 600V 15A
1967687416
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 15 |
XNT24N60TI, IGBT TO-220 600V 24A
1164480466
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 24 |
XNU120A65TL3, IGBT TO-247Plus 650V 120A
1681052
| Макс.напр.к-э,В | 650 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 120 |
XNU75N120TF2, IGBT TO-247Plus 1200V 75A
1567764993
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
XNU75N120TH, IGBT TO-247Plus 1200V 75A
448657642
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
МДТКИ-400-17, IGBT модуль 400А
1412604551
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
EFE01E, диодно -тиристорный мост 75A/380V однофазный
1904934833
| Количество диодов | 2 |
| Количество тиристоров | 2 |
| Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В | 380 |
| Максимальный постоянный выходной ток, А | 75 |
| Максимальное напряжение изоляции U из.макс. | 2500 |
| Монтаж | навесной |
| Покзать параметры | |
| Рабочая температура,С | -40...125 |
| Серия | EF |
| Максимальное падение напряжения,В | 1,85 |
| при Iпр.,А | 75 |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс | 500 |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс | 100 |
EFE04G, тиристорный мост 75А/530V однофазный
1066678739
| Количество тиристоров | 4 |
| Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В | 1200 |
| Максимальный постоянный выходной ток, А | 75 |
| Максимальное напряжение изоляции U из.макс. | 2500 |
| Монтаж | навесной |
| Рабочая температура,С | -40...125 |
| Покзать параметры | |
| Серия | EF |
| Максимальное падение напряжения,В | 1,85 |
| при Iпр.,А | 75 |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс | 500 |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс | 100 |
L542, тиристорный мост 25A/240V
1796394752
| Количество тиристоров | 2 |
| Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В | 600 |
| Максимальный постоянный выходной ток, А | 25 |
| Максимальное напряжение изоляции U из.макс. | 2500 |
| Монтаж | пайка на плату |
| Рабочая температура,С | -40...125 |
| Покзать параметры | |
| Серия | L |
| Максимальное падение напряжения,В | 2,2 |
| при Iпр.,А | 15 |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс | 500 |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс | 100 |
M5010012, диодно-тиристорный модуль 100A/240V
270714263
| Количество диодов | 2 |
| Количество тиристоров | 2 |
| Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В | 600 |
| Максимальный постоянный выходной ток, А | 100 |
| Максимальное напряжение изоляции U из.макс. | 2500 |
| Монтаж | навесной |
| Покзать параметры | |
| Рабочая температура,С | -40...125 |
| Серия | M50 |
| Максимальное падение напряжения,В | 1,4 |
| при Iпр.,А | 100 |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс | 500 |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс | 100 |
M5010055, тиристорный модуль 100А/480VAC
163469395
| Количество тиристоров | 2 |
| Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В | 1200 |
| Максимальный постоянный выходной ток, А | 100 |
| Максимальное напряжение изоляции U из.макс. | 2500 |
| Монтаж | навесной |
| Рабочая температура,С | -40...125 |
| Покзать параметры | |
| Серия | M50 |
| Максимальное падение напряжения,В | 1,4 |
| при Iпр.,А | 100 |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс | 500 |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс | 100 |
M505044, тиристорный модуль 50A /380VAC
566333805
| Количество тиристоров | 2 |
| Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В | 1000 |
| Максимальный постоянный выходной ток, А | 50 |
| Максимальное напряжение изоляции U из.макс. | 2500 |
| Монтаж | навесной |
| Рабочая температура,С | -40...125 |
| Покзать параметры | |
| Серия | M50 |
| Максимальное падение напряжения,В | 1,7 |
| при Iпр.,А | 50 |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс | 500 |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс | 100 |
M505065, диодно-тиристорный модуль 50A/480VAC
870576544
| Количество диодов | 2 |
| Количество тиристоров | 2 |
| Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В | 1200 |
| Максимальный постоянный выходной ток, А | 50 |
| Максимальное напряжение изоляции U из.макс. | 2500 |
| Монтаж | навесной |
| Покзать параметры | |
| Рабочая температура,С | -40...125 |
| Серия | M50 |
| Максимальное падение напряжения,В | 1,7 |
| при Iпр.,А | 50 |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс | 500 |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс | 100 |
MD100C16D1, выпрямительный диодный модуль, 1600В, 100А [D1] = SKKD100/16 Semikron
= MDD95-16N1B IX
473684469
MD100S12M5, стеклянный пассивированный 3-х фазный выпрямительный диодный мост, 1200В,
100А [M5]
2082749973
MD120C16D1, стеклянный пассивированный выпрямительный диодный модуль, 1600В, 120А
[D1] = SKKD81/22H4
1123323265

















































