Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку

Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница

Каталог

Электронные компоненты

Полупроводниковые модули

драйверы для IGBT модулей Силовые IGBTи SiC модули диодно-тиристорные модули твердотельные ВЧ модули

Плиткой

Строками

Кол-во на странице:

SEMIX302GB176HDS, IGBT модуль

407832029

Макс.напр.к-э,В	1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	200

под заказ

Выбрать

Сравнить

SKIIP11NAB063T1, модуль 7 IGBT 600В 17А

1823953400

Тип силового модуля	CIB интеллектуальный модуль
Макс.напр.к-э,В	600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	17
Защита от перегрева	есть
Структура модуля	3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	2,1
Покзать параметры
Драйвер управления	встроенный
Напряжение изоляции, В	2500
Напряжение эмиттер-коллектор,В	1,6
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс	40

под заказ

Выбрать

Сравнить

SKM100GAL123D, IGBT модуль 1200В 100А

1232956961

Тип силового модуля	Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	100

под заказ

Выбрать

Сравнить

SKM100GB125DN, IGBT модуль

852149730

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	100

под заказ

Выбрать

Сравнить

SKM100GB12T4, IGBT модуль 1200В 100А 4 поколение

1643447286

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	100

под заказ

Выбрать

Сравнить

SKM100GB176D, IGBT модуль

2009537074

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	100

под заказ

Выбрать

Сравнить

SKM150GB12T4G, IGBT модуль

2124890639

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	150

под заказ

Выбрать

Сравнить

SKM200GAR123D, модуль 1 IGBT 200А

718056116

Тип силового модуля	Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	200
Структура модуля	1 транзистор+диод
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	2,5
Входная емкость затвора,нФ	10
Покзать параметры
Драйвер управления	внешний
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт	1 380
Максимальный ток эмиттера, А	400
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В	5,5
Напряжение изоляции, В	2500
Напряжение эмиттер-коллектор,В	2,5
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс	100

под заказ

Выбрать

Сравнить

SKM400GB066D, IGBT модуль

2056591240

Макс.напр.к-э,В	600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	500

под заказ

Выбрать

Сравнить

SKM75GB123D, IGBT модуль 1200В 75А

1774439538

Тип силового модуля	Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	75

под заказ

Выбрать

Сравнить

TG1400HF12H1-S300, IGBT модуль

1792469761

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	1 400

под заказ

Выбрать

Сравнить

TG1400HF17H1-S300, IGBT модуль

226385820

Макс.напр.к-э,В	1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	1 400

под заказ

Выбрать

Сравнить

TG450HF17M1-S300, IGBT модуль

1488804417

Макс.напр.к-э,В	1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	450

под заказ

Выбрать

Сравнить

TG600HF17M1-S300, IGBT модуль

1339698121

Макс.напр.к-э,В	1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	600

под заказ

Выбрать

Сравнить

TG650HF17H2-S300, IGBT модуль

1389185234

Макс.напр.к-э,В	1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	650

под заказ

Выбрать

Сравнить

TIM1000NSM33-PSA011, IGBT модуль

985900708

Макс.напр.к-э,В	3300
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	1 000

под заказ

Выбрать

Сравнить

TIM1200DDM17-TSA, IGBT модуль 1700В 1200A

682235462

Макс.напр.к-э,В	1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	1 200

под заказ

Выбрать

Сравнить

TIM1200DDM17-TSA000, IGBT модуль 1700В 1200A = CM1200DC-34N

944752376

Макс.напр.к-э,В	1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	1 200

под заказ

Выбрать

Сравнить

TIM1500ESM33-PSA012, IGBT модуль

176898706

Макс.напр.к-э,В	3300
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	500

под заказ

Выбрать

Сравнить

TIM1600FSM17-PSA011, IGBT модуль 1700В 1600A

1683565523

Макс.напр.к-э,В	1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	1 600

под заказ

Выбрать

Сравнить

TIM800DDM17-PSA000, IGBT модуль

223952874

Макс.напр.к-э,В	1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	800

под заказ

Выбрать

Сравнить

TXFF300R12MMT, IGBT модуль, 1200В, 300А, 1499Вт [M] = CM300DX-24T (Mitsubishi) = XNG300B24KC5A5 (Xin

2060496342

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	300

под заказ

Выбрать

Сравнить

TXFF450R12MMT, IGBT модуль, 1200В, 450А, 2265Вт [M] = CM450DX-24T (Mitsubishi) = XNG450B24KC5A5 (Xin

1831186427

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	450

под заказ

Выбрать

Сравнить

TXFF600R12MMT, IGBT модуль, 1200В, 600А, 3950Вт [M] = XNG600B24KC5A5 (Xiner Semi) = GD600HFY120C6S

897696928

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	600

под заказ

Выбрать

Сравнить

VS-40MT120PHAPBF, Модуль, IGBT - MTP SWITCH

873430202

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	75

под заказ

Выбрать

Сравнить

VS-40MT120UHAPBF, IGBT модуль NPT поколение 1200В 80А MTP серия

617553830

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	80

под заказ

Выбрать

Сравнить

VS-50MT060WHTAPBF, модуль 2 IGBT 50А 600В 20 100кГц MTP

1124002666

Макс.напр.к-э,В	600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	50
Максимальная частота модуляции,кГц	100

под заказ

Выбрать

Сравнить

VS-CPV362M4FPBF, модуль 3 IGBT 600В 8.8А 1 8кГц IMS2

979545276

Тип силового модуля	Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В	600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	8,8
Структура модуля	3-фазный мост
Максимальная частота модуляции,кГц	10
Входная емкость затвора,нФ	0,34
Покзать параметры
Драйвер управления	внешний
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт	23
Максимальный ток эмиттера, А	26
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В	6
Напряжение эмиттер-коллектор,В	1,66
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс	25

под заказ

Выбрать

Сравнить

VS-CPV362M4UPBF, модуль 3 IGBT 600В 7.2А 8 60кГц IMS2

747909620

Тип силового модуля	Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В	600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	7,2
Структура модуля	3-фазный мост
Максимальная частота модуляции,кГц	30
Входная емкость затвора,нФ	0,53
Покзать параметры
Драйвер управления	внешний
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт	23
Максимальный ток эмиттера, А	22
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В	6
Напряжение эмиттер-коллектор,В	1,95
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс	22

под заказ

Выбрать

Сравнить

VS-CPV363M4KPBF, IGBT модуль 600В 11А IMS2

848668504

Тип силового модуля	Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В	600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	11
Структура модуля	3-фазный мост
Максимальная частота модуляции,кГц	30
Входная емкость затвора,нФ	0,74
Покзать параметры
Драйвер управления	внешний
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт	36
Максимальный ток эмиттера, А	22
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В	6
Напряжение эмиттер-коллектор,В	2
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс	24

под заказ

Выбрать

Сравнить

VS-CPV364M4KPBF, IGBT модуль

606741839

Тип силового модуля	Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В	600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	24
Структура модуля	3-фазный мост
Максимальная частота модуляции,кГц	30
Входная емкость затвора,нФ	1,6
Покзать параметры
Драйвер управления	внешний
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт	63
Максимальный ток эмиттера, А	48
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В	6
Напряжение эмиттер-коллектор,В	2,3
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс	30

под заказ

Выбрать

Сравнить

VS-CPV364M4UPBF, IGBT модуль 600В IMS2

717417845

Тип силового модуля	Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В	600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	20
Структура модуля	3-фазный мост
Максимальная частота модуляции,кГц	30
Входная емкость затвора,нФ	2,1
Покзать параметры
Драйвер управления	внешний
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт	63
Максимальный ток эмиттера, А	60
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ),В	6
Напряжение эмиттер-коллектор,В	2,1
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс	15

под заказ

Выбрать

Сравнить

VS-GA200SA60UP, IGBT модуль 600B 200А 40кГц SOT227

364867966

Тип силового модуля	Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В	600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	200
Максимальная частота модуляции,кГц	40

под заказ

Выбрать

Сравнить

VS-GA200TS60UPBF, модуль 2 IGBT 600В 200А 40кГц

152767965

Тип силового модуля	Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В	600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	200
Максимальная частота модуляции,кГц	40