Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
драйверы для IGBT модулей
Силовые IGBTи SiC модули
диодно-тиристорные модули
твердотельные ВЧ модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
Полупроводниковые модули
драйверы для IGBT модулейСиловые IGBTи SiC модулидиодно-тиристорные модулитвердотельные ВЧ модули
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
PM75RSD060, модуль 7 IGBT 600В 75A 4 поколение S Dash серия
1823959904
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,7
Покзать параметры
PM75RVA060, модуль 7 IGBT 600В 75A 3 поколение V серия
407216779
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,35
Покзать параметры
PS11011, IGBT модуль 0.1кВт 600В 1/3 фаз
1138504362
Тип силового модуля CIB интеллектуальный модуль
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 2
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,9
Покзать параметры
PS11012, IGBT модуль 0.2кВт 600В 1/3 фаз
1431797338
Тип силового модуля CIB интеллектуальный модуль
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 2
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,9
Покзать параметры
PS11013, IGBT модуль 0.4кВт 600В 1/3 фаз
365471755
Тип силового модуля CIB интеллектуальный модуль
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 3
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,9
Покзать параметры
PS11015, IGBT модуль 1.5кВт 600В 1/3 фаз
1028841552
Тип силового модуля CIB интеллектуальный модуль
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 5
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,9
Покзать параметры
PS11025-A, IGBT модуль 2.2кВт 220В 1/3 фаз
500511714
Тип силового модуля Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В 220
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+3ф мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,9
Покзать параметры
PS12012-A, IGBT модуль 0.2кВт 400В
1117329448
Тип силового модуля CIB интеллектуальный модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 5
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 3,6
Покзать параметры
PS12013-A, IGBT модуль 0.4кВт 400В
567980232
Тип силового модуля CIB интеллектуальный модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 5
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 3,6
Покзать параметры
PS12014-A, IGBT модуль 0.75кВт 400В
399591911
Тип силового модуля CIB интеллектуальный модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 5
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 3,6
Покзать параметры
PS12017-A, IGBT модуль 3.0кВт 400В
1225572324
Тип силового модуля CIB интеллектуальный модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 10
Защита от перегрева есть
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+чоппер+3-ф.мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 3,6
Покзать параметры
PS21246-EP, IGBT модуль 600В 1Ф 2.0кВт 5кГц
779649262
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,55
Максимальная частота модуляции,кГц 5
Покзать параметры
PS21254-EP, IGBT модуль 600В 1Ф 0.75кВт 15кГц
2042537931
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 15
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,8
Максимальная частота модуляции,кГц 15
Покзать параметры
PS21341-G, модуль 3 IGBT 350В 17.5Вт
159979840
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 350
Структура модуля 3-фазный мост
Драйвер управления встроенный
Защита от короткого замыкания есть
Защита от пониженного напряжения питания есть
Покзать параметры
PS21352-G, IGBT модуль 600В 1Ф 0.2кВт 15кГц
1596557974
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 5
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,8
Максимальная частота модуляции,кГц 15
Покзать параметры
PS21454-E, IGBT модуль 600В 1Ф 0.75кВт 15кГц
1264250073
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 15
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,8
Максимальная частота модуляции,кГц 15
Покзать параметры
PS21767, IGBT модуль 4 версия 600В 30A 20кГц
14048724
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 30
PS21961-4T, IGBT модуль 4 версия 600В 3A 20кГц
1106692124
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 3
PS21962-4S, IGBT модуль 4 версия 600В 5A 20кГц
820341085
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 5
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,7
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Покзать параметры
PS21965-4, IGBT модуль 4 версия 600В 20A 20кГц
1111802563
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 20
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,7
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Покзать параметры
PS21997-4, IGBT модуль 4 версия 600В 30A 20кГц
684765455
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 20
PS21997-T, IGBT модуль 4 версия 600В 30A 20кГц
1146964779
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 30
PS219B4-CST, IGBT модуль 15 А 600В 5 версия
483806518
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 30
PS21A79, IGBT модуль 4 версия 600В 50А
781886341
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
PS22052, IGBT модуль 1200В 0.4кВт 5А 15кГц
471397335
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 5
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,7
Максимальная частота модуляции,кГц 15
Покзать параметры
PS22053, IGBT модуль 1200В 0.75кВт 10А 15кГц
420422512
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 10
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,7
Максимальная частота модуляции,кГц 15
Покзать параметры
PS22054, IGBT модуль 1200В 2.2кВт 15А 15кГц
347870991
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 15
Структура модуля 3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,7
Максимальная частота модуляции,кГц 15
Покзать параметры
PS22A72, IGBT модуль 4 версия 1200В 5А
1771396485
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 5
Структура модуля 3-фазный мост
Драйвер управления встроенный
Защита от короткого замыкания есть
Покзать параметры
PS22A73, IGBT модуль 4 версия 1200В
1770012134
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 10
PS22A74, IGBT модуль 15A 1200В 4 версия
1333814078
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 15
Структура модуля 3-фазный мост
Драйвер управления встроенный
Защита от короткого замыкания есть
Покзать параметры
PS22A76, IGBT модуль 4 версия 1200В 25А
1949786607
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
Структура модуля 3-фазный мост
Драйвер управления встроенный
Защита от короткого замыкания есть
Покзать параметры
PS22A78-E, IGBT модуль 1200В 35А версия 4
895873901
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 35
Структура модуля 3-фазный мост
Драйвер управления встроенный
Защита от короткого замыкания есть
Покзать параметры
PS22A79, DIPIPM Ver. 4, Large DIP
1463294242
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 35
PS51277-AP, модуль 2 IGBT 600В 15А
436478408
Тип силового модуля Интеллектуальный DIP модуль с ККМ
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 30
Структура модуля 2 транзистора+2 диода
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2
Максимальная частота модуляции,кГц 20
Покзать параметры
PS61767-V, IGBT модуль 600В 30А
1669319544
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 30
PS61869-VP, IGBT модуль 600В 50А
89572463
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
PSS10S72FT, PSS10S72FT
53149091
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 10
PSS10SA2FT, IGBT модуль 6 версия
879920456
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 10
PSS15S92E6-AG, IGBT модуль 15A 600В 6 версия
2031300516
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 15
PSS15S92F6-AG, IGBT модуль 15A 600В 6 версия
1903403796
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 15
PSS25S73FT, Модуль 1200В 25А DIPIPM
762362523
PSS50SA2FT, IGBT модуль 1200V/50A 6th generation IGBT
666336646
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1 200
PSS75SA2FT, IGBT модуль 1200В 6 версия
2109600876
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
QM50HA-H, IGBT модуль
347862302
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
SEMiX202GB12E4s, IGBT модуль
443453122
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
SEMIX202GB12VS, IGBT модуль
328343698
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
SEMIX302GB066HDS, IGBT модуль
447970203
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
SEMIX302GB176HDS, IGBT модуль
1085238144
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.