Полупроводниковые модули
PM150CL1A120, модуль 6 IGBT 1200В 150A 5 поколение L1 серия
1802361045
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Покзать параметры | |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | есть |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Мощность привода, кВт | 30 |
PM150CSD120, модуль 6 IGBT 1200В 150A 4 поколение S серия
867817620
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,4 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | есть |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 781 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 30 |
PM150RL1A120, 7 IGBT 1200V 100A 5-gen (L1-Series)
1669077088
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
PM150RL1A120, модуль 7 IGBT 1200В 150A 5 поколение L1 серия
729480804
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,55 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальный ток эмиттера, А | 200 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 30 |
PM150RSE120, модуль 7 IGBT 1200В 150A 4 поколение S серия
922692140
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 150 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,4 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | есть |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 781 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 30 |
PM200CL1A060, IGBT модуль 350G L1серия
846958119
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
PM200CLA060, модуль 6 IGBT 600В 200A 5 поколение L серия
2013682808
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,5 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 781 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 400 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 22 |
PM200CLA120, модуль 6 IGBT 1200В 200A 5 поколение L серия
1424732841
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,9 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 041 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 400 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 37 |
PM200CSD060, модуль 6 IGBT 600В 200А 4 поколение S серия
1274332059
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
PM200RSD060, модуль 7 IGBT 600В 200A 4 поколение S серия
2021382202
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 200 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,7 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | есть |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 595 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 400 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1200 |
| Мощность привода, кВт | 22 |
PM25CL1A120, модуль 6 IGBT 1200В 25A 5 поколение L1 серия
184313951
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 25 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Покзать параметры | |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | есть |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Мощность привода, кВт | 3,7 |
PM25RL1A120#350G, IGBT модуль 350G 7 IGBT 1200В 25A 5 поколение L1 серия
802124845
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 25 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,85 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | есть |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Мощность привода, кВт | 3,7 |
PM25RL1B120 #350, модуль 7 IGBT 1200В 25A 5 поколение L1 серия
1220332739
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 25 |
PM25RL1B120, модуль 7 IGBT 1200В 25A 5 поколение L1 серия
2096738821
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 25 |
PM300CLA120, модуль 6 IGBT 1200В 300A 5 поколение L серия
474024776
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,9 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 562 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 600 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 55 |
PM300CVA060, модуль 6 IGBT 600В 300A 3 поколение В серия
1707756986
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,35 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | есть |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 668 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 600 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1400 |
| Мощность привода, кВт | 55 |
PM300DV1A120, IGBT модуль 1200В 300A V1 серия
316573715
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
PM300RL1A060, IGBT модуль 600В 300A L1 серия
1926243668
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 300 |
PM400DV1A060, IGBT модуль 600В 400A V1 серия
396220303
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 400 |
PM450CGC060, IGBT модуль IGBT модуль G серия 600В
717058627
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 450 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Покзать параметры | |
| Драйвер управления | встроенный |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 041 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 450 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
PM450DV1A120, IGBT модуль 1200В 450A В1 серия
1083473282
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 450 |
| Защита от перегрева | есть |
PM50B4LA060, IGBT модуль 600В 50A 5 поколение
321767897
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
PM50CL1A120, IGBT модуль 1200В 50A 5 поколение L1 серия
1810775927
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Защита от перегрева | нет |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Покзать параметры | |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | есть |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Мощность привода, кВт | 7,5 |
PM50CLA060, модуль 6 IGBT 600В 50A 5 поколение L серия
215877308
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,5 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 131 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 100 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 3,7 |
PM50CLB120, модуль 6 IGBT 1200В 50A 5 поколение L серия
1537186956
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,9 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 480 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 100 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 7,5 |
PM50RL1A120#350G, модуль 7 IGBT 1200В 50A 5 поколение L1 серия (замена pin to pin
версии с суффиксом
1785475600
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
PM50RLA060, модуль 7 IGBT 600В 50A 5 поколение L серия
1482791056
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,5 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 131 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 100 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 3,7 |
PM50RLB060, модуль 7 IGBT 600В 50A 5 поколение L серия
88958202
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,5 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 131 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 100 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 3,7 |
PM50RLB120, модуль 7 IGBT 1200В 50A 5 поколение L серия
1612290368
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,9 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 480 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 100 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 7,5 |
PM50RSA060, модуль 7 IGBT 600В 50A 3 поколение S серия
1521640263
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | есть |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 138 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 100 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 800 |
PM50RSD120, IPM модуль 7 IGBT 1200В 50A 4 поколение S серия
2122130087
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,4 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | есть |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 328 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 100 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 7,5 |
PM50RSK060, модуль 7 IGBT 600В 50A 3 поколение S серия
2139870307
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | есть |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 100 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 100 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 800 |
PM600CLA060, модуль 6 IGBT 600В 600A 5 поколение L серия
1692313188
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,8 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 785 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1200 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 50 |
PM600DV1A060, IGBT модуль 600В 600A V1 серия
1841101229
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
PM600DVA060, модуль 2 IGBT 600В 600A 3 поколение V серия
1540984748
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 600 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | полумост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,35 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | есть |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 1 260 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 1200 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1400 |
| Мощность привода, кВт | 70 |
PM75B4LA060, IGBT модуль 600В 75A 5 поколение
530287793
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,55 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 30 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 390 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 150 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 700 |
| Мощность привода, кВт | 7,5 |
PM75CG1B120#300G, IGBT модуль серия G1 1200В
2042719870
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
PM75CL1A120, модуль 6 IGBT 1200В 75A 5 поколение L1 серия
2078331640
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,55 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальный ток эмиттера, А | 150 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 15 |
PM75CL1B120#350G, модуль 6 IGBT 1200В 75A 5 поколение L1 серия
1617691710
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,55 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальный ток эмиттера, А | 150 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 20 |
PM75CLA060, модуль 6 IGBT 600В 75A 5 поколение L серия
469357936
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,5 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 390 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 150 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 7 |
PM75CLB060, модуль 6 IGBT 060В 75A 5 поколение L серия
1443160219
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,5 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 390 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 150 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 7 |
PM75CLB120, модуль 6 IGBT 1200В 75A 5 поколение L серия
369759713
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,9 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 595 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 150 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 15 |
PM75CSD120, модуль 6 IGBT 1200В 75A 4 поколение S серия
1478136197
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 2,4 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | есть |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 416 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 150 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 15 |
PM75RL1A120#350G, модуль 7 IGBT 1200В 75A 5 поколение L1 серия
1289454923
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,55 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальный ток эмиттера, А | 150 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 15 |
PM75RL1B120, модуль 7 IGBT 1200В 75A 5 поколение L1 серия
1630674505
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,55 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 20 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальный ток эмиттера, А | 150 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 15 |
PM75RLA060, модуль 7 IGBT 600В 75A 5 поколение L серия
1296565558
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,5 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 390 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 150 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 7 |
PM75RLB060, модуль 7 IGBT 600В 75A 5 поколение L серия
1427922222
| Тип силового модуля | Интеллектуальный модуль IPM |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
| Защита от перегрева | есть |
| Структура модуля | 3-фазный мост+тормозной транзистор |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1,5 |
| Покзать параметры | |
| Максимальная частота модуляции,кГц | 15 |
| Драйвер управления | встроенный |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | есть |
| Защита от пониженного напряжения питания | есть |
| Максимальная рассеиваимая мощность,Вт | 390 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 150 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс | 1000 |
| Мощность привода, кВт | 7 |
