Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку

Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница

Каталог

Электронные компоненты

Полупроводниковые модули

драйверы для IGBT модулей Силовые IGBTи SiC модули диодно-тиристорные модули твердотельные ВЧ модули

Плиткой

Строками

Кол-во на странице:

GD75HFK120C1S, NPT Low Loss

1955435638

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	75

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD75HFU120C1S, NPT Ultra Fast IGBT

389351697

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	75

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD75HFX170C1S, GD75HFX170C1S, Trench FS IGBT, Low Loss, аналог CM75DY-34A

13932830

Макс.напр.к-э,В	1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	75

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD75HFX65C1S, Trench FS IGBT, Low Loss

773447717

Макс.напр.к-э,В	650
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	75

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD75HFY120C1S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

33121336

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	75

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD75HHU120C5S, NPT Ultra Fast IGBT

1955435633

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	75

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD75MLX65L3S, Trench FS IGBT, Low Loss

1552151106

Макс.напр.к-э,В	650
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	75

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD75PIX120C6SN, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

1945687607

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	75

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD75PIX170C6S, Trench FS IGBT, Low Loss

792636220

Макс.напр.к-э,В	1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	75

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD75PIX65C6S, Trench FS IGBT, Low Loss

33121332

Макс.напр.к-э,В	650
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	75

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD75PIY120C6S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

13932835

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	75

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD75PIY120C6SN, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

1580016776

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	75

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD75PIY120C6SNF, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

1176732249

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	75

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD800HFA120C2S_B20, 1200V/800A 2 in one-package

446664113

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD800HFX170A3S, Trench FS IGBT, Low Loss

458674228

Макс.напр.к-э,В	1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	800

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD800HFX170A3S, Силовой Модуль, 800 A, 1700 V, аналог FF800R17KP4_B2

133611928

Макс.напр.к-э,В	1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	800

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD800HFX170C3S, Trench FS IGBT, Low Loss, аналог для CM800DZ-34H

196552206

Макс.напр.к-э,В	1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	800

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD800HFY120C3S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

159678155

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	800

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD800HTX65P4S, Trench FS IGBT, Low Loss

55389700

Макс.напр.к-э,В	650
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	800

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD800SGX170C3S, Trench FS IGBT, Low Loss

1369531735

Макс.напр.к-э,В	1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	800

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD80TLQ120F1S, Advanced Trench FS Fast IGBT

1580016775

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	80

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD820HTX75P6HB, Trench FS IGBT, Low Loss

458674227

Макс.напр.к-э,В	750
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	820

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD820HTX75P6HL, Trench FS IGBT, Low Loss PTP FS820R08A6P2LB, TG820FF08S3-S4A21

1107409714

Макс.напр.к-э,В	750
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	820

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD900CLY120P1S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

956067093

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	900

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD900CUY120P1S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

966247208

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	900

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD900HFA120C6S, 1200V/900A 2 in one-package

1609463527

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD900HFY120P1S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

1762636147

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	900

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD900SGU120C3SN, NPT Ultra Fast IGBT

1772816262

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	900

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD900SGX120C2SA_B20, 1200V/900A 1 in one-package

1119419828

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD900TLY120P2S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss

1359351620

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	900

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD950HTX75P6HB, Trench FS IGBT, Low Loss

347894827

Макс.напр.к-э,В	750
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	950

под заказ

Выбрать

Сравнить

GD950HTX75P6HLB, Trench FS IGBT, Low Loss

1913978768

Макс.напр.к-э,В	750
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	950

под заказ

Выбрать

Сравнить

J1BCP78042A, IGBT модуль

2124764888

под заказ

Выбрать

Сравнить

J1BWJA, IGBT модуль

2124764886

под заказ

Выбрать

Сравнить

MBM1000FS17G, IGBT модуль 1700В 1000А

127216995

под заказ

Выбрать

Сравнить

MBN3600E17F, модуль Silicon N-channel IGBT3600A 1700V

438711769

Макс.напр.к-э,В	1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	600

под заказ

Выбрать

Сравнить

MD120HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge

1772816257

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	120
Структура модуля	полумост

под заказ

Выбрать

Сравнить

MD13HTC120P6HE, SiC MOSFET

1265243281

под заказ

Выбрать

Сравнить

MD200HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge

206732316

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	200
Структура модуля	полумост

под заказ

Выбрать

Сравнить

MD22HTC120P6HE, SiC MOSFET

1218189114

под заказ

Выбрать

Сравнить

MD29HTC120P6HE, SiC MOSFET

1510694241

под заказ

Выбрать

Сравнить

MD300HFC170C2S, SiC MOSFET Half Bridge

159678149

Макс.напр.к-э,В	1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	300
Структура модуля	полумост

под заказ

Выбрать

Сравнить

MD300HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge

1369531729

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	300
Структура модуля	полумост

под заказ

Выбрать

Сравнить

MD400HFR120C2S, SiC MOSFET Half Bridge

196552212

Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	400
Структура модуля	полумост

под заказ

Выбрать

Сравнить

MEK350-02DA, IGBT модуль 200В 365A 150нс

976400730

Макс.напр.к-э,В	200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	365

под заказ

Выбрать

Сравнить

PM100RL1A120, модуль 7 IGBT 1200В 100A 5 поколение L1 серия

1070116928

Тип силового модуля	Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В	1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	100
Защита от перегрева	есть
Структура модуля	3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	1,55
Покзать параметры
Максимальная частота модуляции,кГц	20
Драйвер управления	встроенный
Защита по току	нет
Защита от короткого замыкания	есть
Защита от пониженного напряжения питания	есть
Максимальный ток эмиттера, А	200
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс	1000
Мощность привода, кВт	20

под заказ

Выбрать

Сравнить

PM100RSD060, модуль 7 IGBT 600В 100А 4 поколение S серия

1810914424

Тип силового модуля	Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В	600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	100
Защита от перегрева	есть
Структура модуля	3-фазный мост+тормозной транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	1,7
Покзать параметры
Максимальная частота модуляции,кГц	15
Драйвер управления	встроенный
Защита по току	есть
Защита от короткого замыкания	есть
Защита от пониженного напряжения питания	есть
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт	328
Максимальный ток эмиттера, А	200
Напряжение изоляции, В	2500
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс	1200
Мощность привода, кВт	11

под заказ

Выбрать

Сравнить

PM10CSJ060, модуль 6 IGBT 600В 10A 3 поколение S серия

407366138

Тип силового модуля	Интеллектуальный модуль IPM
Макс.напр.к-э,В	600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А	10
Защита от перегрева	есть
Структура модуля	3-фазный мост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В	1,8
Покзать параметры
Максимальная частота модуляции,кГц	20
Драйвер управления	встроенный
Защита по току	есть
Защита от короткого замыкания	есть
Защита от пониженного напряжения питания	есть
Максимальная рассеиваимая мощность,Вт	39
Максимальный ток эмиттера, А	20
Напряжение изоляции, В	2500
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке,нс	500
Мощность привода, кВт	0,4

под заказ

Выбрать

Сравнить

Страницы:

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40