Москва

Телефон: +7 (495) 923-18-19

Email: region.virta@gmail.com 

Работаем Пн-Пт: с 10.00 до 18.00 - Сб., Вс. выходной 

Отправить заявку
Каталог
Как заказать
Доставка
О компании
Сертификаты
Контакты
Электронные компоненты
Микросхемы
Транзисторы
Диоды, стабилитроны, варикапы
Тиристоры
Полупроводниковые модули
драйверы для IGBT модулей
Силовые IGBTи SiC модули
диодно-тиристорные модули
твердотельные ВЧ модули
Резисторы
Конденсаторы
устройства защиты
Предохранители
Компоненты подавления ЭМП
Резонаторы, генераторы и фильтры
Трансформаторы, дроссели
Ферриты, сердечники
Акустические компоненты
Беспроводные системы
Коммутация
Оптоэлектроника
Индикация
Светодиоды осветительные
Освещение
Источники питания
Датчики
Корпусные и установочные изделия
Провода, шнуры, расходные материалы
Измерительные приборы
Паяльное оборудование
Инструмент
Промышленная автоматика
Электротехническое оборудование
Электроника для дома и авто
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Отправить заявку
Заказать звонок

Схема проезда к офису

Главная страница
Каталог
Электронные компоненты
Полупроводниковые модули
драйверы для IGBT модулейСиловые IGBTи SiC модулидиодно-тиристорные модулитвердотельные ВЧ модули
Плиткой
Строками
Кол-во на странице:
SKHI22A, 2кан драйв 1200В 8А 50кГц
839211650
Функциональное назначение драйвер IGBT
SKHI24, 2кан драйв 1700В 15А 50кГц
1256970712
Функциональное назначение драйвер IGBT
SKHI27W, 2кан драйв 1700В 30А 10кГц
1340074114
Функциональное назначение драйвер IGBT
SKHI60H4, драйвер
317948088
Функциональное назначение драйвер IGBT
SKHI61, 6кан драйв 900В 2А 50кГц
1157669236
Функциональное назначение драйвер IGBT
SKHIBS01, 7кан драйв1200В 1.5А 20кГц
1069257939
Функциональное назначение драйвер IGBT
SKYPER32R, драйвер
52766614
UM245R, мезонинный модуль на базе FT245BM,PBF
793498286
VLA500-01R, driver for IGBT mod -NF,-A - series
135556115
Функциональное назначение драйвер IGBT
Входное напряжение, В 1-16.5
Напряжение нагрузки, В 15.2-17.5
Ток нагрузки, А 12
VLA500K-01, driver for IGBT mod -NF - series
697924815
Функциональное назначение драйвер IGBT
VLA502-01R, driver for IGBT mod -NFH - series
2023869436
Функциональное назначение драйвер IGBT
Входное напряжение, В 1-16.5
Напряжение нагрузки, В 15.2-17.5
Ток нагрузки, А 12
VLA503-01R, driver IGBT
1932990666
VLA504-01R, driver IGBT 100A/1200V, 200A/600V
1099593527
BSM50GB120DLC, IGBT модуль 2 IGBT полумост 1200В 50A
421293852
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 50
Защита от перегрева нет
CM1000DXL-24S, модуль 2 IGBT 1000А 1200В поколение NX6
1291908113
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 900
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
CM100MXA-24S, IGBT модуль CIB 100A 1200В NX6
106449928
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 100
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-ф.выпр-ль+3ф мост
CM1200DB-34N, модуль 2 IGBT 1700В 1200A замена CM1200DC-34N
2006179188
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 1 200
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,15
Покзать параметры
CM150DX-34SA, модуль 6 IGBT 150А 1700В поколение NX6
1510233101
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
CM150DY-24T#300G, IGBT модуль T серии стандартного типа 1200В
442751872
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 150
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
CM200DY-24A модуль, 2 IGBT 1200В 200A 5 поколение A серия
1047590193
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 200
CM300DY-13T#300G, IGBT модуль T-Series STD-Type
246612001
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 650
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
CM400DY-12NF, модуль 2 IGBT 600В 400A 5 поколение NF серия
2112688696
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 400
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,7
Покзать параметры
CM400DY-34T#300G, IGBT модуль T серия STD типа
1373065059
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 400
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
CM400HA-24A#300G, модуль 1 IGBT 1200В 400A 5 поколение A серия
481200590
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 400
Защита от перегрева нет
Структура модуля одиночный транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,1
Покзать параметры
CM400ST-24S1, IGBT модуль 400А 1200В
916851766
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 400
Защита от перегрева нет
Структура модуля 3-фазный мост
CM450DX-24S, модуль 2 IGBT 450A 1200В серия NX6
988081695
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
CM450DX-34T#310G, IGBT модуль 1700В 450А T серия NX типа
156695919
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
CM450HA-5F, модуль 1 IGBT RTC 250В 450A 4 поколение F серия
67675506
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 250
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 450
Защита от перегрева нет
Структура модуля одиночный транзистор
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 1,2
Покзать параметры
CM600DU-24NFH, модуль 2 IGBT 1200В 600A 50кГц NFH серия
1026708137
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 600
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 5
Покзать параметры
CM75DY-34A, модуль 2 IGBT 1700В 75A 5 поколение A серия
2119437889
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2,2
Покзать параметры
CM75E3U-12H, модуль 3 IGBT 600В 75А 3 поколение U серия
1361874400
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 75
Защита от перегрева нет
Структура модуля одиночный транзистор
CM800DU-12H, IGBT U-Series модуль 800А 600В
649407139
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
Защита от перегрева нет
CM800DX-24T1, IGBT модуль 800А 1200В T1 серия NX типа
1415527552
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 800
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
CM900DUC-24S, IGBT модуль Ic (nom): 900 А; Vce (max): 1200 В
1542403980
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 900
Защита от перегрева нет
Структура модуля полумост
CP25TD1-24A, DIP-CIB модуль 25А 1200В
517741008
Тип силового модуля CIB интеллектуальный модуль
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 25
Защита от перегрева нет
CP30TD1-12A, IGBT модуль 30A 600В
805958894
Тип силового модуля CIB интеллектуальный модуль
Макс.напр.к-э,В 600
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 30
Защита от перегрева нет
DFI100HF12DE1, Модули IGBT , 100 A 1200 V 34mm Half Bridge
619382984
DFI100HF17DE1, IGBT модуль, замена для SKM145GB176D-SEMITRANS2
756541224
DFI100PM12P4D1, IGBT модуль, 100 A 1200 V P4 Full Bridge
216098457
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
DFI150HF12DE1, Модуль IGBT, 150 A 1200 V 34mm Half Bridge
946700957
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
DFI150HF17DF1, Модули IGBT, 150 A, 1700 V 62mm, Half Bridge
1829752963
DFI200HF12DF1, Mодули IGBT , 200 A 1200 V 62mm Half Bridge
1378897869
DFI200HF17DF1, Модули IGBT, 200 A, 1700 V 62mm, Half Bridge
899130392
DFI300HF12DF1, Модули IGBT, 300 A, 1200 V 62mm, Half Bridge
1302414919
DFI300HF12I4ME1, IGBT модуль 1200В 300A полумост ED3
865243454
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1200
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Структура модуля полумост
DFI300HF17DF1, IGBT модуль, 1700V/300A Half Bridge 62 mm
1996610313
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Макс.напр.к-э,В 1700
Номинальный ток одиночного тр-ра,А 300
Структура модуля полумост
DFI300HF17I4RE1, IGBT модуль, 300 A 1200 V ED3 Half Bridge, альтернатива для CM300DX-34T, CM300DX-34
139615505
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Структура модуля полумост
DFI450HF12DF1, Модули IGBT, 450 A, 1200 V 62mm, Half Bridge
263669022
ООО "Регион-Вирта", 2025
Разработка сайта
студия веб-дизайна Forever
Наш рейтинг: 4,8 (188 голосов)
на основе отзывов Google
Полезная информация
Заказ и консультация

+7 (495) 923-18-19

email: region.virta@gmail.com

Адрес и время работы

г. Москва 2-й Кожуховский проезд, дом 29, корп. 2, стр. 2 оф. 404

Пн-Пт: с 10.00 до 18.00

Сб., Вс. выходной

Полезная информация

Работаем только с юридическими лицами индивидуальными предпринимателями, минимальная сумма заказа 10000 руб.