Полупроводниковые модули
DG50X07T2, Trench FS IGBT, Low Loss
1913978766
| Макс.напр.к-э,В | 650 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
DG50X12T2, Trench FS IGBT, Low Loss
1510694239
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
DG50X12T3, Trench FS IGBT, Low Loss
1265243283
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
DG75Q12T2, Advanced Trench FS Fast IGBT
300840658
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
DG75X07T2L, Trench FS IGBT, Low Loss
55389703
| Макс.напр.к-э,В | 650 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
DG75X12T2, Trench FS IGBT, Low Loss
458674230
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
DG75X12T3, Trench FS IGBT, Low Loss
1621473644
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 75 |
FF1200R17KE3, модуль IGBT 1700В 1200A = CM1200DC-34N,2MBI1200VT-170E
227978951
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
| Защита от перегрева | нет |
FF1200R17KP4_B2, IGBT модуль 1200А 1700В
1964913905
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 200 |
FF1400R17IP4, IGBT модуль 1400А 1700В 2010г
1955144171
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 400 |
FF225R12ME4, IGBT module, 1200 V, 225 A dual
55121296
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 225 |
GA100TS60SF, IGBT модуль 600В 220А
1798624654
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 220 |
GB15RF120K, IGBT модуль 1200В 15А ECONO 2 PIM
1972732080
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 15 |
GB30RF60K, IGBT модуль 600В 27А ECONO 2 PIM
1787654439
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 27 |
GB50RF60K, IGBT модуль 600В 48А ECONO 2 PIM
687618259
| Макс.напр.к-э,В | 600 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 48 |
GB50XF120K, IGBT модуль 1200В 50А ECONO 2
283362831
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 50 |
GD1000HFX170P2S, Trench FS IGBT, Low Loss , 1700V/1000A 2 in one-package
1725762095
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 1 000 |
GD100CLY120C1S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
13932841
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
GD100CLY120C2S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
1176732255
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
GD100CUY120C1S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
773447728
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
GD100CUY120C2S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
1580016782
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
GD100FFL170C6S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
1632951746
| Макс.напр.к-э,В | 1700 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
GD100FFX65C5S, Trench FS IGBT, Low Loss
773447716
| Макс.напр.к-э,В | 650 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
GD100FFY120C5S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
1552151107
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
GD100FFY120C6S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
33121333
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
GD100FFY120C6SF, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
1599205274
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
GD100FFY120C6S_B29, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
1599205279
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
GD100FTY120C6S, Advanced Trench FS IGBT, Low Loss
1552151112
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
GD100GTY120C6S, Trench FS IGBT, Low Loss
1176732243
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
GD100HFU120C2S, NPT Ultra Fast IGBT
389351686
| Макс.напр.к-э,В | 1200 |
| Номинальный ток одиночного тр-ра,А | 100 |
