микросхемы памяти
M24C02WMN6T, микросхема памяти SO8
1855794658
| Корпус | SO8 |
| Тип памяти | EEPROM |
| Емкость памяти, кБит | 2 |
| Организация памяти | 256 x 8 |
| Напряжение питания, В | 2,5 |
| Интерфейс | I2C |
| Покзать параметры | |
| Время записи, мс | 0,9 |
| Частота синхронизации, МГц | 0,4 |
| Диапазон рабочих температур, гр.С | -40.00...85.00 |
M24C16-RMN6P, микросхема памяти EEPROM 16кБ 2К*8 1.8-5.5В I2C SO8
192664443
| Корпус | SO8 |
| Тип памяти | EEPROM |
| Емкость памяти, кБит | 16 |
| Организация памяти | 2 k x 8 |
| Напряжение питания, В | 2,5 |
| Интерфейс | I2C |
| Покзать параметры | |
| Время записи, мс | 0,9 |
| Частота синхронизации, МГц | 0,4 |
M24C16-WBN6, микросхема памяти 8-PDIP
1373419498
| Корпус | PDIP8 |
| Тип памяти | EEPROM |
| Емкость памяти, кБит | 16 |
| Организация памяти | 2 k x 8 |
| Напряжение питания, В | 2,5 |
| Интерфейс | I2C |
| Покзать параметры | |
| Время записи, мс | 0,9 |
| Частота синхронизации, МГц | 0,4 |
| Диапазон рабочих температур, гр.С | -40.00...85.00 |
M24C16-WMN6, микросхема памяти 8-SO
1355463857
| Корпус | SO8 |
| Тип памяти | EEPROM |
| Емкость памяти, кБит | 16 |
| Организация памяти | 2 k x 8 |
| Напряжение питания, В | 2,5 |
| Интерфейс | I2C |
| Покзать параметры | |
| Время записи, мс | 0,9 |
| Частота синхронизации, МГц | 0,4 |
MT29F64G08CBAAAWP-Z:A, микросхема памяти MLC NAND Flash 3.3D 64Гб 8G x 8 TSOP-48
1502486463
| Тип памяти | FLASH |
MT48LC16M16A2P-6A:G, микросхема памяти SDRAM 256MB 16Mх16 3.3V 7.5ns TSOP54
1918644874
| Тип памяти | SDRAM |
UT621024SCL-70LL, микросхема памяти SRAM 128k*8 SOP32
1592954504
| Тип памяти | SRAM |
| Емкость памяти, кБит | 1024 |
| Организация памяти | 128k x 8 |
