диодно-тиристорные модули
EFE01E, диодно -тиристорный мост 75A/380V однофазный
1904934833
| Количество диодов | 2 |
| Количество тиристоров | 2 |
| Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В | 380 |
| Максимальный постоянный выходной ток, А | 75 |
| Максимальное напряжение изоляции U из.макс. | 2500 |
| Монтаж | навесной |
| Покзать параметры | |
| Рабочая температура,С | -40...125 |
| Серия | EF |
| Максимальное падение напряжения,В | 1,85 |
| при Iпр.,А | 75 |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс | 500 |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс | 100 |
EFE04G, тиристорный мост 75А/530V однофазный
1066678739
| Количество тиристоров | 4 |
| Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В | 1200 |
| Максимальный постоянный выходной ток, А | 75 |
| Максимальное напряжение изоляции U из.макс. | 2500 |
| Монтаж | навесной |
| Рабочая температура,С | -40...125 |
| Покзать параметры | |
| Серия | EF |
| Максимальное падение напряжения,В | 1,85 |
| при Iпр.,А | 75 |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс | 500 |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс | 100 |
L542, тиристорный мост 25A/240V
1796394752
| Количество тиристоров | 2 |
| Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В | 600 |
| Максимальный постоянный выходной ток, А | 25 |
| Максимальное напряжение изоляции U из.макс. | 2500 |
| Монтаж | пайка на плату |
| Рабочая температура,С | -40...125 |
| Покзать параметры | |
| Серия | L |
| Максимальное падение напряжения,В | 2,2 |
| при Iпр.,А | 15 |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс | 500 |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс | 100 |
M5010012, диодно-тиристорный модуль 100A/240V
270714263
| Количество диодов | 2 |
| Количество тиристоров | 2 |
| Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В | 600 |
| Максимальный постоянный выходной ток, А | 100 |
| Максимальное напряжение изоляции U из.макс. | 2500 |
| Монтаж | навесной |
| Покзать параметры | |
| Рабочая температура,С | -40...125 |
| Серия | M50 |
| Максимальное падение напряжения,В | 1,4 |
| при Iпр.,А | 100 |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс | 500 |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс | 100 |
M5010055, тиристорный модуль 100А/480VAC
163469395
| Количество тиристоров | 2 |
| Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В | 1200 |
| Максимальный постоянный выходной ток, А | 100 |
| Максимальное напряжение изоляции U из.макс. | 2500 |
| Монтаж | навесной |
| Рабочая температура,С | -40...125 |
| Покзать параметры | |
| Серия | M50 |
| Максимальное падение напряжения,В | 1,4 |
| при Iпр.,А | 100 |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс | 500 |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс | 100 |
M505044, тиристорный модуль 50A /380VAC
566333805
| Количество тиристоров | 2 |
| Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В | 1000 |
| Максимальный постоянный выходной ток, А | 50 |
| Максимальное напряжение изоляции U из.макс. | 2500 |
| Монтаж | навесной |
| Рабочая температура,С | -40...125 |
| Покзать параметры | |
| Серия | M50 |
| Максимальное падение напряжения,В | 1,7 |
| при Iпр.,А | 50 |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс | 500 |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс | 100 |
M505065, диодно-тиристорный модуль 50A/480VAC
870576544
| Количество диодов | 2 |
| Количество тиристоров | 2 |
| Макс. импульсное повторяющееся обратное напряжение, В | 1200 |
| Максимальный постоянный выходной ток, А | 50 |
| Максимальное напряжение изоляции U из.макс. | 2500 |
| Монтаж | навесной |
| Покзать параметры | |
| Рабочая температура,С | -40...125 |
| Серия | M50 |
| Максимальное падение напряжения,В | 1,7 |
| при Iпр.,А | 50 |
| Критическая скорость нарастания напряжения в закрытом состоянии dUзс./dt,В/мкс | 500 |
| Критическая скорость нарастания тока в открытом состоянии dI/dt,А/мкс | 100 |
MD100C16D1, выпрямительный диодный модуль, 1600В, 100А [D1] = SKKD100/16 Semikron
= MDD95-16N1B IX
473684469
MD100S12M5, стеклянный пассивированный 3-х фазный выпрямительный диодный мост, 1200В,
100А [M5]
2082749973
MD120C16D1, стеклянный пассивированный выпрямительный диодный модуль, 1600В, 120А
[D1] = SKKD81/22H4
1123323265
MD165C16D2, Выпрямительный диодный модуль, 1600В, 165А [D2] = SKKD162/16; Semikron
= М4-125-16
1851914359
MT160C16T2, тиристорный модуль, 1600В, 110А (T2) = SKKT162/16 Semikron = MTC135-16-216F3B
TECHSEM
156558648
MDD95-16N1B, Диодный модуль, 1600В, 2 х 120A, последовательное включение [TO-240AA]
(без крепежа)
924551481
